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戎咏华 《理化检验(物理分册)》2004,40(2):55-60
列举了应用电子显微术——选区电子衍射和成像、高分辨电子成像和电子能量损失谱研究两种材料的例子。电子衍射和相关理论的计算结果表明,0.2%碳钢经923K,5.5h碳氮共渗油淬后的化合物层是ε—Fe2—3(N,C),而不是ε—Fe2(N,C)和ε—Fe3(N,C);经523K,2h时效后化合物层中的“灰区”析出几纳米尺度的γ′—Fe4N是化合物层硬化的原因。高分辨电子成像和电子能量损失谱揭示了高温磁控溅射41%FeCo(体积分数,下同)—Al2O3颗粒膜两步相分离的演变过程及其对巨磁电阻的影响。 相似文献
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由于巨磁阻效应材料在磁记录设备和传感器的潜在应用,具有该效应的材料得到了广泛地研究。特别是继金属多层膜之后的金属磁性颗粒膜,由于其制备简单,巨磁阻效应的机理较为复杂,受到人们的青睐。综述了金属磁性颗粒膜中巨磁阻效应的理论。在此基础上,指出了当前值得注意的研究方向。 相似文献
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论述了徐祖耀院士在马氏体相变、贝氏体相变及形状记忆材料方面的学术贡献。其中包括:揭示了无扩散马氏体相变中存在间隙原子(或离子)的扩散;完善了铁合金马氏体相变的热力学;解决了计算Fe-C合金相变开始温度(Ms)的难题;以孤立子理念演算和阐释了相变驱动力与马氏体长大速率之间的关系;以群论研究了形状记忆合金热弹性马氏体相变的对称性并建立了计算热弹性马氏体对称分布的数学模型;创建了铜基合金马氏体相变和贝氏体相变热力学;认证了陶瓷中存在贝氏体相变。 相似文献
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利用表面机械研磨处理(SMAT)技术在纯Ni上制备一定厚度的纳米晶表层,利用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)研究了纳米晶Ni的晶粒生长动力学,计算了描述晶粒生长动力学的时间指数n和晶粒生长激活能Q.研究表明,纳米晶Ni在423~723 K退火时的时间指数n约为0.14.当纳米晶Ni在423 ~523 K退火时,其晶粒生长激活能Q为32.1 kJ/mol,表明在这一温度区间内晶粒生长由晶界和亚晶界的微结构重新排列所控制;当纳米晶Ni在523~723 K退火时,晶粒生长激活能Q为121.3 kJ/mol,表明在这一温度区间内晶粒生长由晶界扩散所控制.TEM观察表明纳米晶Ni在较高温度下退火时出现异常的晶粒长大现象. 相似文献
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