烤肠中芽孢杆菌生长动力学模型及货架期预测

以真空包装烤肠中芽孢杆菌为研究对象,建立其生长动力学模型及货架期预测模型。将同批次真空包装烤肠存放于4,10,25℃条件下,定期进行各指标测定,由此建立其中芽孢杆菌生长的一级和二级模型以及货架期预测模型。结果表明,修正的Gompertz模型可以很好的描述烤肠中的芽孢杆菌的生长情况,建立不同温度下3个一级生长动力学模型,其R2均在0.960以上,其偏差因子Bf与准确因子Af值均在可接受范围内;平方根(Belehradck)模型可以很好的描述温度与延滞时间(λ)、最大比生长速率(μmax)间的关系,建立了温度与延滞时间、最大比生长速率间的二级模型,其R2均在0.940以上,其残差的绝对值均小于0.1;通过一级和二级模型建立出了真空包装烤肠在4～25℃条件下贮存的货架期预测模型。     

基于多孔硅纳米线的含能材料的制备及性能调控

纳米多孔硅由于其海绵状的孔隙结构，氧化剂很难充分填充，导致多孔硅复合含能材料多为富燃料体系；同时其孔隙率难以调节，无法精确控制氧燃比。针对以上问题，以紧密排列的单层聚苯乙烯微球为模板，通过反应性离子刻蚀(Reaction Ion Etching, RIE)技术结合金属辅助化学刻蚀(Metal-Assisted Chemical Etching, MACE)制备得到了形貌结构可控的多孔硅纳米线，通过控制RIE时间能够精准调节多孔硅复合体系的氧燃比，同时二维线状结构非常有利于氧化剂的高效填充。结果表明，在RIE时间为80s,即硅纳米线直径为150nm左右时，复合含能体系达到最佳化学计量反应平衡，能量输出最佳。同时，选用不同电阻率的硅片制备得到不同结构形貌的硅纳米线，电阻率越低，纳米复合含能体系中的硅纳米线结构越疏松多孔，不仅能够有效缩短传质传热距离，降低反应活化能，有利于增强反应放热；而且能提升燃烧性能，有利于点火，为硅基含能材料的发展提供了新的思路。     

InAs/GaAs自组织量子点的可控分子束外延生长及其新型光电器件研究北大核心CSCD

半导体量子点因其具有类原子的分立能级结构,可在三维方向上对载流子运动进行束缚,因此被认为是光发射器件(激光器、量子光源等)极具前景的有源物质之一。其器件的性能强烈依赖于量子点材料的品质、光场与量子点偶极子场的有效相互作用等。本文将从半导体InAs/GaAs自组织量子点的可控分子束外延生长调控技术出发,进一步探讨应用于光通信、片上光互联领域的量子点激光器,以及应用于光量子信息领域的高品质量子光源器件。     

酱牛肉加工过程中挥发性成分的含量变化分析

为探讨酱牛肉加工过程中挥发性成分组成及变化规律,设计正交试验对顶空固相微萃取(HS-SPME)条件及解吸时间进行优化,并结合气相色谱质谱联用(GC-MS)对酱牛肉加工过程各阶段样品中的挥发性成分进行检测分析。结果表明,在萃取温度60℃,萃取时间60 min,解吸时间5 min的条件下效果最优。鉴别出酱牛肉加工过程中挥发性成分的总数是90种,其中包括醇类22种、醛类11种、酯类16种、烃类14种、酮类8种、含硫含氮及杂环类13种和其它化合物6种。六个加工阶段样品的挥发性成分的种类数量分别为45种、48种、53种、52种、61种和58种。加工过程中各类挥发性成分的相对含量不断发生变化,同类挥发性成分在六个加工阶段的组成也不一致。本研究结果为改进酱牛肉的生产工艺、提高产品品质提供了理论参考。     

HMX重结晶过程中的晶型析出与转变研究

以二甲基亚砜(DMSO)为溶剂,水为非溶剂,通过采用溶剂非溶剂重结晶细化中的正加法与反加法,研究了HMX重结晶过程中的晶型转变,提出了晶型析出与转变的方式。研究表明溶剂非溶剂比例是重结晶晶型的决定性因素,在溶剂非溶剂任意比例下,晶体首先析出γ-HMX,溶剂过量时γ-HMX转晶为β-HMX,溶剂非溶剂相当时,转晶为α-HMX,非溶剂过量则保持γ晶型。     

非真空包装烧鸡贮藏中品质变化和腐败菌分析

对非真空包装烧鸡在低温(0~4℃)贮藏过程中品质和腐败菌种群变化进行研究,通过分析贮藏期间微生物生长情况及pH值、TVB-N值、TBARS值变化,结合感官质量变化,确定低温条件下贮藏产品的货架期和腐败菌群。结果表明:低温贮藏条件下,初始菌数为4.95×103 cfu/g时,产品的货架期约为3 d;酵母菌、假单胞菌属、乳酸菌和葡萄球菌属是产品腐败时的主要微生物;酵母菌、假单胞菌属是优势腐败菌。     

微纳米CL-20/HMX共晶含能材料的制备与性能

通过机械球磨法制备出微纳米CL-20/HMX共晶含能材料,对其进行SEM、粒度、XRD、DSC和Raman表征,以及撞击感度、摩擦感度和钢凹值测试分析。结果表明:球磨时间120min制得的CL-20/HMX共晶颗粒呈近球状,粒径分布在80~250nm。微纳米CL-20/HMX共晶含能材料展现出不同于各自单一组分的晶体结构和热分解特性,其机械感度较原料HMX大幅度降低,能量输出性能与原料CL-20相当。     

粒度对CL-20基炸药油墨临界传爆特性的影响

为研究微笔直写沉积装药技术条件下,炸药粒度对六硝基六氮杂异伍兹烷(CL?20)基炸药油墨临界传爆厚度的影响规律,分别采用机械球磨法和溶剂?非溶剂法对原料CL?20进行细化,得到了三种不同粒度的CL?20炸药,以水性聚氨酯(WPU)和乙基纤维素(EC)组成双组份粘结分散体系,制备了适用于微笔直写沉积装药工艺的CL?20基炸药油墨。分别采用激光粒度分析仪和扫描电子显微镜(SEM)对制备的CL?20炸药及相应的油墨成型样品的粒度分布和形貌进行了表征;采用X射线衍射仪(XRD)对油墨成型样品中CL?20的晶型进行了测试;利用楔形装药炸痕法测试了不同粒度CL?20炸药油墨样品在装药宽度为1 mm时的临界传爆厚度。结果表明:机械球磨法制备的两种CL?20炸药呈近球形,表面光滑,中值粒径分别为140 nm和1.5μm,油墨成型样品呈蜂窝状,分散效果较好,横切面均匀致密;溶剂?非溶剂法制备的CL?20炸药呈纺锤形,中值粒径为15μm,油墨成型样品分散效果较差,炸药颗粒与粘结体系难以形成复合结构;XRD测试结果表明三种炸药油墨样品中CL?20均为ε型;成型油墨样品在装药宽度为1 mm时的临界传爆厚度随着CL?20粒度的减小而减小,最小可达69μm,表明减小CL?20炸药的粒度能够显著增强其临界传爆性能。     

非易失性静态随机存储器研究进展

在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述。对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术。最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向。     

表面活性剂的HLB值对HMX/聚氨酯基炸药油墨流变性能的影响

为研究表面活性剂的亲水疏水平衡值(HLB值)对炸药油墨流变性能的影响,选取Span-80和Tween-80两种非离子表面活性剂,调节其质量比配制出5组不同HLB值的混合表面活性剂,采用Brookfield(CPS)流变仪对添加表面活性剂的细化环四亚甲基四硝胺(HMX)/聚氨酯基炸药油墨进行粘度测试,并计算出非牛顿指数、屈服值及触变指数(TI值)。结果表明,未添加表面活性剂的炸药油墨的非牛顿指数为0.024,屈服值为467.08 Pa,TI值为36.82;表面活性剂的加入能够有效改善炸药油墨的流变性能。随着HLB值的升高,炸药油墨表观粘度在剪切速率为5~100 s~(-1)时先升高后降低,非牛顿指数和TI值呈波动变化,屈服值持续降低。当HLB值为11时,炸药油墨的非牛顿指数达到最大值0.56,屈服值达到5.38 Pa,TI值达到最小,为8.26,分别为未添加表面活性剂炸药油墨的23.33倍,1.15%和21.53%。HLB值为11的表面活性剂更有利于改善炸药油墨的流变性能。