把栅厚度对气敏MOS晶体管 灵敏度的影响

本文介绍了一种? ( 栅? # ? 结构的半导体气敏器件。在叙述? ( 栅? # ? 晶 体管气敏机理的基础上, 着重讨论了把橱厚度对器件灵敏度的影响。实验结果证明, ? ( 栅? # ? 晶体管的灵敏度随着把栅厚度的增加而降低。在工竹温度不太高的条件下, 灵敏度随把栅厚度的变化基本上不受温度的影响。另外, 文中还扼要地阐述了把栅? # ? 晶体管的结构、制造技术及器件灵敏度的测试原理和方法。研究结果对于? # ? 结构的 半导体气敏传感器的研制具有重要的意义 。     

钯栅厚度对气敏MOS晶体管灵敏度的影响

本文介绍了一种Pd栅MOS结构的半导体气敏器件。在叙述Pd栅MOS晶体管气敏机理的基础上,着重讨论了钯栅厚度对器件灵敏度的影响。实验结果证明,Pd栅MOS晶体管的灵敏度随着钯栅厚度的增加而降低。在工作温度不太高的条件下,灵敏度随钯栅厚度的变化基本上不受温度的影响。另外,文中还扼要地阐述了钯栅M0S晶体管的结构、制造技术及器件灵敏度的测试原理和方法。研究结果对于MOS结构的半导体气敏传感器的研制具有重要的意义。     

高性能多晶硅压力传感器的研制

本文介绍的高性能多晶硅压力传感器,以重掺杂的LPCVD多晶硅薄膜作应变敏感电阻,用二氧化硅层隔离单晶硅衬底,使其工作温度高达200℃以上,若用恒流源供应惠斯登电桥,即使在没有外电路补偿情况下,灵敏度系数(TDS)也仅1.32×10~(-6)FS/℃,可实现近乎理想的灵敏度温度补偿.     

基于微惯性传感器的高灵敏度随动控制技术

目前的随动控制装备因难以满足传感器与执行器对实时性、准确性与稳定性需求，出现控制延迟大、执行精度低等问题，极大地限制了随动控制装备应用空间。针对上述问题，提出一种基于微惯性器件与模糊控制云台的低延迟高精度随动控制技术。该技术使用微机电系统惯性测量单元(MEMS IMU)获取高灵敏度体感姿态数据，并使用该姿态数据对双轴云台进行实时高精度随动控制。相对于传统技术手段，本研究通过传感器的实时采集算法改进与云台的高频位置闭环模糊PID控制设计，用低成本实现了低延迟高精度随动控制功能。实测结果表明，系统在连续动作命令发出后88.17 ms时间内达到了1.478°(1σ)的云台位置响应精度，可满足高灵敏度随动控制需求；新技术适用于无人机控制与观察、车载雷达与武器站控制等领域，可大幅度降低设备操控复杂度，提升控制特性。