纳米隧道结的量子电容现象

利用STM针尖和二维Au纳米团簇构造的双隧道结，通过对单电子隧穿谱的测量，研究了纳米隧道结的电容随隧道结宽度的变化，发现电容随结宽度的变化偏离了经典电容的行为，为纳米隧道结的量子电容效应提供了实验证据。     

玻璃衬底NEA GaAs透射式光电阴极的XPS定量表面化学分析和瞬态响应时间的直接测量

在一个商业超高真空装置中,对以玻璃为衬底并附有 Ga_xAl_1As 过渡层的半透明 GaAs 膜进行激活,获得了负电子亲和势(NEA)特性。在激活前后对光电阴极进行了定量表面分析,结果表明:Cs-O 表面层的化学计量是准确的 Cs_2O,其厚度约为1.3nm。通过测量阴极的光电子能带分布(EDC),首次证实了在负电子亲和势工作状态下,整个光电灵敏区域中热化电子的分布都很窄,并且几乎与波长无关。使用一架专用的超高真空可拆卸同步条纹相机测量了一些 NEA 阴极的响应时间,其典型值约8Ps。在中等瞬时分辩率的条纹相机中可考虑使用 GaAs NEA 光电阴极。这种相机工作于技术领域中重要的1.3～1.55μm 光谱波段。     

FeTe合金结构分析及其薄膜制备

利用固态反应法制备了名义成分为FeTe的合金, 采用X射线粉末衍射技术和Rietveld全谱拟合分析方法测定了其相组成和晶体结构. 研究表明,主相为Fe_1.08Te,空间群为P4/nmm,点阵参数 a = 3.8214(3) Å, c = 6.2875(3) Å, Z = 2, Fe原子占据2a和2c晶位, Te原子占据2c晶位. 利用脉冲激光沉积技术制备的FeTe薄膜超导转变起始温度为13.2 K,零电阻温度为9.8 K. 关键词： FeTe Rietveld结构精修 超导薄膜     

纳米隧道结的量子电容现象

利用STM针尖和二维Au纳米团簇构造的双隧道结,通过对单电子隧穿谱的测量,研究了纳米隧道结的电容随隧道结宽度的变化,发现电容随结宽度的变化偏离了经典电容的行为,为纳米隧道结的量子电容效应提供了实验证据.     

一种有发展前途的光电发射体——场辅助转移电子光电阴极

本文介绍一种很有发展前途的负电子亲和势光电发射体——场辅助转移电子光电阴极,其长波阈可达2.1微米。它是一种多层结构,表面具有Cs-O激活的银膜,工作时施加以反向偏置电压的异质结光电发射体。     

NdNi2Ge2化合物的结构和电磁输运性质

利用非自耗真空电弧熔炼法制备了NdNi₂Ge₂化合物样品,采用X射线粉末衍射技术和Rietveld全谱拟合分析方法测定了其晶体结构. 结果显示该化合物的空间群为I4/mmm,点阵参数为:a=4.120(1),c=9.835(0),Z=2,Nd原子占据2a晶位,Ni原子占据4d晶位,Ge原子占据4e晶位. NdNi₂Ge₂化合物呈现顺磁性,应用居里-外斯定律拟合计算得到居里-外斯常数为25.8,居里-外斯温度为6.24 K. 有效势磁矩为3.69μ_B,这与理论计算Nd³⁺的磁矩相符,表明磁矩主要源于Nd³⁺. 电阻率变化范围为0.3 Ω ·μm^-1-1 Ω ·μm,电阻曲线拟合显示NdNi₂Ge₂呈半金属性. 关键词： 2Ge₂')" href="#">NdNi₂Ge₂ Rietveld结构精修 电磁输运     

非晶化与量子限域效应

当材料尺度减小到几个纳米时，材料内部电子结构会表现为分立能级，这就是所谓的量子限域效应。通过晶态和非晶Pd纳米颗粒的单电子隧穿实验发现，在晶态Pd颗粒中能观察到量子限域效应，而在同样大小的非晶Pd颗粒中却没有观察到。考虑到有序／无序结构的静态效应并结合电子散射等动态效应，解释了非晶Pd颗粒实验中没有观察到量子限域效应的原因。这一结果表明，尺寸减小并不足以使纳米体系表现量子行为，原子结构有序度对于决定纳米体系表现经典行为或量子行为具有同等重要作用。     

用光电子能谱确定(Cs—O)激活GaAs(110)表面的结构

一、前言负电子亲和势(NEA)材料的发现是光电发射材料领域中一项开拓性进展。尔后,人们对比GaAs带隙更窄的其它Ⅲ-V族半导体进行了更为广泛的研究,旨在获得NEA状态,为一些工作在1μm或更高波段的红外系统选择高效率光电阴极推动了研究工     

光电阴极的研究现状和发展趋势

本文综述了近年来国内外光电阴极的研究成果和发展趋势,并就我国光电阴极的研究提出了看法和建议。