原位氧化Zn3N2制备P型ZnO薄膜的性能研究

采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn3N2薄膜,然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量、透射光谱和光致发光光谱等表征技术,研究了氧化温度和氧化时间对ZnO薄膜的结晶质量、电学性质和光学性能的影响.研究结果显示,450℃下氧化2h后的样品中除含有ZnO外,还有Zn3N2成分,500℃下氧化2h可以制备出电阻率为0.7Ωcm,空穴载流子浓度为1017cm-3,空穴迁移率为0.9cm2/Vs的具有c轴择优取向的p型ZnO薄膜.此时的ZnO薄膜具有良好的光学特性,紫外可见光范围内透过率为85%,处于紫外区域的激子复合产生的发光峰很强,且半高宽较窄,而处于可见光部分来自于深能级发射的绿色发光峰很弱.这种工艺制备的ZnO薄膜质量较好,有利于实现在短波长光电器件方面的应用.     

Sr0.6Ba0.2Ca0.2Al2O4 ∶Eu,Dy的制备与长余辉发光性能研究

采用高温固相法制备了Ca,Ba共掺的Sr_0.6Ba_0.2Ca_0.2Al₂O₄ ∶Eu²⁺_0.01, Dy³⁺_0.02和单掺Ba的Sr_0.6Ba_0.4Al₂O₄ ∶Eu²⁺_0.01, 关键词： 长余辉 铝酸锶 稀土掺杂 陷阱能级     

原位氧化Zn3N2制备p型ZnO薄膜的性能研究

采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn₃N₂薄膜，然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量、透射光谱和光致发光光谱等表征技术，研究了氧化温度和氧化时间对ZnO薄膜的结晶质量、电学性质和光学性能的影响.研究结果显示，450 ℃ 下氧化2 h后的样品中除含有ZnO外，还有Zn₃N₂成分，500 ℃下氧化2 h可以制备出电阻率为0.7 Ωcm，空穴载流子浓度为10^{关键词： p型ZnO薄膜 3N₂薄膜')" href="#">Zn₃N₂薄膜 射频溅射 原位氧化}     

超声喷雾热解法制备氮掺杂纳米TiO_2薄膜及其光催化特性研究

利用超声喷雾热解法在玻璃衬底上制备了不同沉积温度下的氮掺杂纳米TiO2薄膜,并525℃的退火处理.通过SEM,XRD和UV-Vis透过光谱等表征手段研究了TiO2薄膜表面形貌、结构特性和光催化特性,并探讨了掺杂作用机理.SEM结果表明,在400℃温度下掺N(原子数分数4%)的TiO2薄膜表面比较均匀,致密性好;XRD分析得出,该薄膜是多晶锐钛矿结构;UV-Vis透过光谱分析得出,该薄膜在可见光区的平均透过率为82%,吸收边红移77 nm,计算得知其禁带宽度变小.在紫外光的照射下,氮掺TiO2薄膜对亚甲基蓝溶液具有良好的光催化降解作用,降解率可达46.6%.     

Lithium/Silver-Doped Cu_2ZnSnS_4 with Tunable Band Gaps and Phase Structures: a First-Principles Study

Doping is an effective approach for improving the photovoltaic performance of Cu_2 ZnSnS_4(CZTS). The doping by substitution of Cu atoms in CZTS with Li and Ag atoms is investigated using density functional theory. The results show that the band gaps of Li_(2 x)Cu_(2(1-x))ZnSnS_4 and Ag_(2 x)Cu_(2(1-x))ZnSnS4 can be tuned in the ranges of 1.30-3.43 and 1.30-1.63 eV, respectively. The calculation also reveals a phase transition from kesterite to wurtzite-kesterite for Li_(2 x)Cu_(2(1-x))ZnSnS_4 as x is larger than 0.9. The tunable band gaps of Li_(2 x)Cu_(2(1-x))ZnSnS_4 and Ag_(2 x)Cu_(2(1-x)) ZnSnS_4 make them beneficial for achieving band-gap-graded solar cells.     

衬底对原位氧化制备的ZnO薄膜结构和光学性质的影响

 采用射频反应溅射法在不同衬底上制备Zn₃N₂薄膜,然后对其原位氧化制备ZnO薄膜。利用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)等表征技术研究了不同衬底对ZnO薄膜的结晶特性和发光性能的影响。XRD研究结果显示:Zn₃N₂薄膜在500 ℃原位氧化3 h后完全转变为ZnO薄膜,在玻璃和熔融石英衬底上制备的多晶ZnO薄膜无择优取向,而单晶硅（100）衬底上的多晶ZnO薄膜具有较好的沿（002）方向的择优取向。PL测试结果显示:硅和熔融石英衬底上的多晶ZnO薄膜发光性能良好,激子复合产生的紫外发光峰很强,且半高宽较窄,而来自于深能级发射的绿色发光峰很弱;而玻璃衬底上的多晶ZnO薄膜发光性能较差。     

基于自洽输运理论的介观体系动态电导的研究

基于介观体系电子动态输运的自洽理论,讨论了介观结构的动态电导.作为该理论的应用,采用一介观相干平行板电容器模型来进行研究. 结果表明:体系的动态电导与外场频率和体系费米能有关,为一复数且有有限虚部. 当外场频率较小时,动态电导随费米能的变化所呈现的特性和直流情形非常相似,但是随着外场频率的增加,两者差异就变得非常明显,体系动态电导随外场频率的变化呈现一些峰值结构. 在给定体系费米能时,动态电导随着外场频率的变化而产生振荡,并且出现了负的电导虚部,电导虚部的正负表明了体系的电容特性和电感特性. 关键词： 自洽输运理论 相干平行板电容器 电导 介观体系     

H_3BO_3对Y_(1.98)O_3:Eu_(0.01),Dy_(0.01)红色长余辉发光材料结构和余辉性能的影响

采用高温固相法制备了发光样品Y1.98O3:Eu3+0.01,Dy3+0.01.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱仪、单光子计数器测试了不同含量的H3BO3对Y1.98O3:Eu3+0.01,Dy3+0.01物相结构、颗粒形貌、发光性能、余辉性能的影响.结果表明当H3BO3含量低于8%(mol)时,样品可保持Y2O3晶格结构,且样品颗粒随H3BO3的含量增加逐渐增大.样品光致发光由Eu3+离子电子的5D0→7FJ跃迁所致,主峰位于612 nm,且发光强度随H3BO3含量的增加呈线性增强.随着H3BO3含量的增加,样品余辉衰减时间逐渐增加,热释光谱分析表明H3BO3的加入增加了基质陷阱能级的深度与浓度,故而导致样品长余辉性能的变化.     

Surface plasmon-polaritons on ultrathin metal films

We discuss the surface plasmon-polaritons used for ultrathin metal films with the aid of linear response theory and make comparisons with the known result given by Economou E N. In this paper we consider transverse electromagnetic fields and assume that the electromagnetic field in the linear response formula is the induced field due to the current of the electrons. It satisfies the Maxwell equation and thus we replace the current (charge) term in the Maxwell equation with the linear response expectation value. Finally,taking the external field to be zero,we obtain the dispersion relation of the surface plasmons from the eigenvalue equation. In addition,the charge-density and current-density in the z direction on the surface of ultrathin metal films are also calculated. The results may be helpful to the fundamental understanding of the complex phenomenon of surface plasmon-polaritons.