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硅微条探测器因具有很强的位置分辨率与能量分辨率而在世界各大核物理实验室得到广泛应用。中国科学院近代物理研究所研制了性能优越、位置精度达到0.5 mm×0.5 mm的双面硅微条探测器,用于HIRFL-CSR的外靶实验终端谱仪(ETF)上,用作径迹测量以及△E-E望远镜系统△E的探测。硅微条探测器体积小、集成度高,利用柔性印刷电路板(FPCB)引出信号,配合ASIC芯片的前端电路,能够方便地给出每一条的能量信息和位置信息。在此详细阐述了在HIRFL-CSR的ETF上双面硅微条探测器阵列的搭建,并测量了放射源在真空中探测单元的能量分辨本领。结果表明,该硅条探测器的每个探测单元对5~9 MeV能量的α粒子的能量分辨率在1%左右。 相似文献
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25MeV/u 40Ar+159Tb反应中等质量碎片的热核蒸发 总被引:2,自引:2,他引:0
在20°至155°范围内测量了25MeV/u的40Ar轰击159Tb靶产生的单举中等质量碎片(3≤Z≤9)能谱.后角区中等质量碎片能谱具有明显的统计蒸发特性,不同元素的能谱可用相同参数的单个运动源模型很好地拟合.拟合提取的源速度和核温度等源参数与非完全熔合所形成热核的反冲速度和核温度近似一致,表明这些不同的中等质量碎片共同起源于热核的统计蒸发.使用统计程序GEMINI计算了碎片角分布和电荷分布. 相似文献
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硅多条探测器的研制和初步应用 总被引:3,自引:0,他引:3
描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果. 这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm. P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16条,相邻条之间的间距为140μm. 当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值<2nA.239Pu α粒子的能量分辨为0.5%-0.9%,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4%-8%. 用于 7.2 MeV/u的C束离子测量,得到能量分辨为0.27%. 相似文献
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本实验同时研究了4 0Ar+209Bi反应中周边碰撞和中心碰撞两者产生的关联裂变碎片,以及其与α粒子的再关联.对裂变碎片质量分布和能量分布随热裂变核初始温度演化的系统分析,发现中心碰撞和周边碰撞所形成的热核存在着不同的裂变行为. Correlated fission fragments from the 40Ar+209Bi reaction and their further correlation with α particles have been studied for peripheral and central collisions simultaneously. The existence of different fission behavior of hot nuclei formed in central and peripheral collisions was found from the systematic analysis of the mass and energy distributions of fission fragments as a function of the initial temperature of hot fissioning nuclei. 相似文献
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25MeV/u 40)Ar+209Bi裂变反应研究 总被引:1,自引:0,他引:1
实验对25MeV/u 40Ar+209Bi体系的裂变反应,利用线性动量转移的分窗选择不同的激发能,研究裂变动能分布和质量分布与热核初始激发能的关系.实验证实激发能小于380MeV时裂变总动能分布与低激发能复合核相似.激发能大于380MeV时,最可几动能呈现出随激发增加而增加,并出现高能非对称性,而且质量分布宽度随激发能增加而迅速增大. 相似文献
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低气压多丝正比室及其在放射性束流实验中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了为在放射性束流线上开展精确的散射和反应实验中,对入射束流的角度和有效数目等进行在线监测而设计制造的低气压多丝正比室.它透射性好,不干扰束流,并方便在真空环境中工作.测量表明,它的位置分辨率约0.5mm.对20—30MeV/u的低Z的放射性束流有着大于90%的位置探测效率,适用于中能次级束实验靶前的束流定位及在线监测,也可用在靶后测量出射带电粒子的角度. 相似文献
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描述了为在放射性束流线上开展核反应研究而研制的灵敏面积为50mm×50mm的双维位置灵敏的低气压多丝正比室,研制的低气压多丝正比室为穿透式,在真空中使用,工作气压为8mb,透射性好,不干扰束流,放射源测试结果表明,它的x,y方向的位置双径迹分辨为1mm,用放射性束流在束测试结果表明,对30—40MeV的低Z放射性束的探测效率大于80%,适用于中能次级束实验中入射束的定位和反应中产生的带电粒子出射角度的测量。 相似文献
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全反射x荧光分析及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
近年来,全反射X荧光分析技术获得突破性进展,从表面及近表层微量、超微量元素分析发展结构、深度及深度分布的探测。其检测限已达pg级,硅片杂质检测限达10^8atoms/cm^2。文章介绍了该技术的基本理论、特点、国内外最新发展情况及对其今后发展的展望。 相似文献