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水热合成稀土氟化物材料YLiF4∶Yb,Tm的上转换发光特性 总被引:2,自引:0,他引:2
利用水热法合成了掺杂Tm3 和Yb3 的YLiF4材料, 并研究了Tm3 和Yb3 在材料中的光吸收, 以及980 nm红外光激发下不同Tm3 浓度掺杂下的上转换发光特性. 实验发现, 在980 nm激光激发下, 材料可发出可见光. 上转换发光光谱中包括蓝光和红光. 与蓝光相比, 红光强度要弱1~2个数量级. 上转换发光强度和浓度关系研究显示, 当Tm3 浓度为0.3% (摩尔分数)时上转换发光达到最强, 大于0.3% (摩尔分数)后发光开始减弱. 通过分析输出光强与泵浦功率的双对数曲线, 发现Tm3 的蓝光发射和红光发射均属于双光子过程. 相似文献
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利用超声喷雾热解法制备了钨酸锶SrWO4多晶发光膜,并研究了制备条件及掺杂对其阴极射线发光特性的影响.生成的发光膜在300℃以上退火后具有白钨矿结构,其阴极射线发光为一宽带的蓝光,包括一个位于448nm的蓝色发光带和一个位于488.6nm的蓝绿色发光带,是由阴离子络合物WO42-的电荷转移跃迁引起的.发光强度随着退火温度的升高而增强,而退火气氛对其影响不大.在SrWO4膜中掺入银离子Ag+和镧离子La3+后,不影响其发光特性,但铕离子Eu3+的掺入对发光特性有影响. 相似文献
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根据非晶态半导体的能带理论,讨论了分层优化薄膜电致发光方案中非晶二氧化硅加速层中的电子在高电场中的输运行为.研究结果表明:在高电场下,由于电场的存在降低了陷阱之间的平均势垒高度.在费密能级附近处的杂质及缺陷定域态和导带尾定域态中,电子的输运主要表现为电场增强的热辅助式跳跃传导;而在导带扩展态中,电子的输运仍像晶态半导体那样表现为共有化运动.此外,以实验数据为基础,计算出了非晶二氧化硅中电子的迁移率、最小金属电导率、导带迁移率边界状态密度及费密能级处的状态密度.
关键词: 相似文献
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在聚合物电致发光器件中,通过在不同功能层中掺杂二氧化钛纳米管来改善器件的性能.由于二氧化钛纳米管具有p型传导特性,可以显著增大空穴传输层中载流子的迁移率.由于二氧化钛纳米管在发光层中可以增大发光材料分子的刚性,从而减少无辐射跃迁.当把二氧化钛纳米管掺杂到空穴缓冲层中时,由于其与有机分子的强相互作用,一方面降低了空穴的传导性,同时也减少了界面淬灭发光的缺陷态的产生.
关键词:
二氧化钛纳米管
聚合物电致发光
掺杂 相似文献
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一种用于电子纸的电泳液的显示性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用有机颜料汉沙黄(P.Y.3)、苏丹黑和合适的稳定剂为原料配制了一种性能稳定的电泳显示液.分析了此电泳显示液中颜料微粒的带电机理及其影响因素,研究了在改变电压方向时反射光谱与吸收光谱的变化及其原因,光谱分析结果表明体系中存在的各种吸附使显示效果受到局限,反射谱与吸收谱的变化在表征器件的显示特性时呈现出一致性,器件的反射光强和反射率在不同波长上有区域选择性,同时对比度也有区域选择性,这决定了在监测器件的响应时应选择的波长范围以及可利用的光源.兼顾灵敏性和测试信号强度的需求,选用峰值波长为470 nm的蓝光二极管为光源,电泳槽的厚度为0.2 mm,用荧光光谱仪监测相同周期不同幅值脉冲电压作用下颜料微粒在493 nm波长处的反射光强的变化,并由示波器记录并输出反射光强随驱动电压的变化,还结合相关理论讨论了驱动电压对器件的反射光强和对比度的影响. 相似文献
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研究了PVK∶DCJTB体系的发光特性。实验结果表明,PVK∶DCJTB薄膜光激发时,PVK和DCJTB之间存在能量传递,DCJTB的浓度从1%增加到2%,能量传递效率明显增强,但仍然不充分。引入Alq3层后的PVK∶DCJTB/Alq3双层薄膜,PVK的发光被有效地抑制了,Alq3明显促进了PVK向DCJTB的能量传递效率,说明Alq3起到了能量传递的"桥梁"作用。而结构为ITO/PVK∶DCJTB/Alq3/LiF(1nm)/Al的器件的电致发光光谱与光致发光光谱明显不同。电致发光时,Alq3层的发光的相对强度比光致发光时大许多,而且发光强度随着驱动电压的增加而增强,说明随电压的增加,有更多的空穴注入到Alq3层,致使载流子在Alq3层的复合几率随电场的增强而增大。 相似文献