常压MOCVD生长Ga2O3薄膜及其分析

以去离子水(H₂O)和三甲基镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga₂O₃薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga₂O₃外延膜的质量.在X射线衍射谱中有一个强的Ga₂O₃(102)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为0.25°,表明该Ga₂O₃外延膜是(102)择优取向.在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子.     

MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究

本文采用常压MOCVD方法在Ti/Si（111）模板上生长了氧化锌（ZnO）薄膜，使用二乙基锌为Zn源，去离子水为O源。Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发，然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶，接着在680％进行ZnO薄膜的生长。采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能。结果表明，本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜。     

常压化学气相沉积技术生长ZnO:H薄膜的光学性质

采用常压金属有机物化学气相沉积技术(AP-MOCVD),以二乙基锌(DEZn)为Zn源,去离子水(H2O)为氧源,N2作载气,在外延ZnO薄膜的反应气氛中通入少量氢气,在c-Al2O3衬底上生长出了ZnO∶H薄膜。用X射线双晶衍射和光致发光谱对ZnO∶H薄膜的结晶性能和光学性质进行表征。结果表明,ZnO∶H薄膜(002)和(102)面的Ω扫描半峰全宽分别为46.1 mrad和81.4 mrad,表明该薄膜具有良好的结晶性能;室温下,ZnO∶H薄膜具有较强的紫外光发射(380 nm),在低温10 K光致发光谱中观测到位于3.3630 eV处与氢相关的中性施主束缚激子峰(I4)及其位于3.331 eV处的双电子卫星峰(TES)。采用退火的方法,通过观测I4峰的强度变化,研究了氢在ZnO∶H薄膜中的热稳定性。发现随着退火温度的升高,I4峰的强度逐渐减弱,表明在高温下退火,氢会从ZnO薄膜中逸出。     

缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响

采用常压MOCVD法,以二乙基锌和去离子水为源,在不同厚度的ZnO缓冲层上生长了一组ZnO薄膜.分别采用X射线衍射(XRD)、干涉显微镜和光致发光谱(PL)对样品的结晶性能、表面形貌和发光性能进行分析,结果表明,随着缓冲层的引入,ZnO外延膜的质量得到很大提高,缓冲层的厚度对外延ZnO薄膜的质量有很大的影响,当缓冲层厚度为60 nm时,ZnO薄膜的结晶性能最好,表现出高度的择优取向,(002)面的ω摇摆曲线半峰全宽仅为1.72°,其表面平整,表现出二维生长的趋势,室温光致发光谱中只有与自由激子复合有关的近紫外发光峰,几乎观察不到与缺陷有关的深能级发光.     

基于不同间隔基的含三联苯甲壳型液晶聚乙炔的合成与性能研究

设计并合成一类含三联苯液晶基元的甲壳型液晶聚乙炔(-{HC=C-[(CH2)mOOC-terpheyl(OC6H13)2]}n-,m=5,PHA5TP(OC6)2;m=9,PHA9TP( OC6)2),研究了聚合物的热稳定性、液晶性能和发光性能,考察了间隔基的长度对其性能的影响.结果表明,三联苯液晶基元赋予单体和聚合物...     

含手性三联苯腰接型液晶聚乙炔的合成及其“甲壳效应”

设计、合成了一种新单体,并由[Rh(nbd)Cl]2/Et3N(nbd =2,5-降冰片二烯)催化聚合反应制备了一种具有较高相对分子质量(质均相对分子质量为30300)的含手性三联苯液晶聚乙炔PAM3OCO(TPh)(OR*)2{一[(CH=C(CH2)3OCO-terphenyl(OR*)2]n—,R*=(S)-2-甲基丁基}.由于手性基团和三联苯液晶基元的引入,单体具有互变手性近晶C相,而聚合物则呈现互变的手性近晶A相液晶行为.三联苯液晶基元以重心位置连接于聚合物主链并围绕主链所产生的“甲壳效应”赋予了聚合物很高的热稳定性(356℃)、发光性能和聚集诱导增强发光特性.其薄膜状态下的发光强度明显大于其在稀溶液状态下的发光强度,且内量子效率和外量子效率分别为0.214和0.023.紫外光激发下,聚合物在液晶状态下的发光强度明显优于溶液和薄膜状态,并且发光谱带发生了红移.     

微波炉的物理学——2019国际物理奥林匹克竞赛理论第二题参考解答

A部分:磁控管的结构和操作 A.1 LC电路的频率是f=ω/2π = 1/2π√LC(1) 对于理想无限长通电螺线管内部磁感应强度B理满足环路定理∮→B理?→dl=B理l=μ0I ∴B理=μ0I/l其中I为螺线管边界处边长为l的矩形环路中所包围的电流. 在本题中,设沿腔体边界流动的总电流为I,等效螺线管长度l=h,则它...     

纳米晶BaMgAl10O17:Eu复合氧化物的合成及发光特性

采用溶胶-凝胶法制备了纳米晶BaMgAl_(10)O_(17):Eu蓝色荧光粉,并对其进行了表征。结果表明:与微米晶相比,纳米晶的XRD图谱展宽,随着Eu~(2 )浓度的增加,表现为荧光猝灭;荧光猝灭源于晶格迁移。     

羟基功能化聚环氧乙烷的可控合成

研究了烷基磷酸铝催化剂i-Bu₃Al/H₃PO₄/DBU催化异亚丙基甘油基缩水甘油（IGG）与环氧乙烷（EO）共聚合的性能,通过核磁共振（NMR）、凝胶渗透色谱（GPC）和示差扫描量热法（DSC）对所获共聚物及脱保护的产物的微观结构和热性能进行表征分析.结果表明,在室温甲苯溶剂中,i-Bu₃Al/H₃PO₄/DBU催化剂可以高效催化不同用量的IGG和EO共聚合.IGG和EO共聚合30 min,获得了含量精确可控的EO-IGG无规共聚物,收率为100%.室温下将EO-IGG共聚物在酸性条件下水解2 h,EO-IGG共聚物中缩酮结构完全水解为羟基,获得了含羟基的共聚物（EO-GG）.¹³C-NMR分析表明羟基无规分布于聚环氧乙烷侧链.GPC分析表明,不同羟基含量EO-GG共聚物均为高分子量（M_n=5.9×10⁴～18.1×10⁴）、窄分布（M_w/M     

新型光学活性含氰基三联苯液晶聚噻吩合成与分子构象

合成了一种含有长柔性间隔基和氰基三联苯液晶基元的发光性聚噻吩衍生物{—[thiopheneyl—CH2—COO—(CH2)6—O—terphenyl—CN]n—, PT(6)TPhCN}. 利用傅里叶变换红外(FT-IR)光谱、核磁共振(1HNMR)、差示扫描量热(DSC)仪、偏光显微镜(POM)、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱和荧光(PL)光谱对单体和聚合物的结构及性质进行了表征. 单体都呈现出良好的液晶性能, 由于长间隔基的存在, 聚合物PT(6)TPhCN也呈现出良好SmAd相. 氰基三联苯的存在还赋予了聚合物良好的光致发光性能, 同时, 长间隔基也有效地降低了分子间的相互作用, 进一步增强了聚合物的发光性能. 另外, 研究发现, 在未引入任何手性元素的情况下, 聚合物主链在圆二色(CD)光谱中还呈现出明显的Cotton 效应, 这可能是由于大体积液晶基元的位阻效应和取向作用, 液晶基元环绕主链进行取向的同时诱导聚噻吩主链在长程范围内呈螺旋取向.