MARTINGALE INEQUALITIES UNDER G-EXPECTATION AND THEIR APPLICATIONS

In this paper,we study the martingale inequalities under G-expectation and their applications.To this end,we introduce a new kind of random time,called G-stopping time,and then investigate the properties of a G-martingale(supermartingale)such as the optional sampling theorem and upcrossing inequalities.With the help of these properties,we can show the martingale convergence property under G-expectation.     

C60激发三重态被哌嗪猝灭特性研究

本文使用激光诱导瞬态吸收光谱装置,研究了C60激发三重态在乙腈/甲苯混合溶剂中的光物理性质,得到了3C60的激发态寿命、自猝灭速率常数和时间分辩的瞬态吸收光谱.此外,实验中引入了哌嗪作为激发三重态猝灭剂.我们发现哌嗪能有效的猝灭3C60,猝灭速率常数kq接近扩散控制极限.改变混合溶剂的比例,相应的猝灭速率常数值也发生变化,即kq随混合溶剂极性的增加而增加,随溶剂粘度的增加而减小.稳态光解实验反映了反应物向产物转化过程中在紫外-可见波段吸收强度的变化.     

用高温超导模拟研制磁场高均匀度回旋管

磁场高均匀度的低温超导磁体系统已经取得了广泛的应用，在许多领域发挥着重要的作用。随着低温技术和超导技术的发展，用高温超导材料制作高均匀度的超导磁体成为可能。因此，我们用高温超导材料模拟制作了磁场高均匀度回旋管。     

副品红共振光散射法测定脱氧核糖核酸

本文基于脱氧核糖核酸 (DNA)对有机染料副品红的共振光散射的增强效应 ,拟定了一种测定DNA的共振光散射法。在pH =0 5～ 1 5范围内 ,有机染料副品红于 35 5nm处的共振光散射强度被DNA强烈增强 ,且增强程度与DNA浓度呈线性关系 ,线性范围为 0 10～ 15 μg·mL- 1 ,检出限可达 36ng·mL- 1 。该方法简便、快速、具有较高的灵敏度和准确度 ,且线性范围较宽。将该方法用于混合样品中DNA的测定 ,结果令人满意。     

金刚石窗口冷却Yb3+∶YAG DPSSL设计

针对高功率二极管重复率抽运的V型非稳腔Yb3+∶YAG激光头，提出了利用金刚石窗口冷却和直接水冷相结合的复合冷却设计.在YAG片的抽运面进行直接水冷，同时在激光提取面利用金刚石窗口冷却介质.金刚石优异的导热性能不仅能够有效地冷却激光介质，还能消除横向的温度梯度，解决了高功率激光器冷却和高功率抽运的矛盾.模拟结果表明对掺杂10 at %厚度为1.6 mm的Yb3+∶YAG片在抽运功率密度为20 kW/cm2，重复频率为10 Hz的条件下，要将最高温度控制在可接受的范围内（比如320 K），周围冷却水的对流换热系数约为4000 W/m2K.     

一类二层凸规划的对偶二层规划

本文讨论上层目标函数以下层子系统目标函数的最优值作为反馈的一类二层凸规划的对偶规划问题 ,在构成函数满足凸连续可微等条件的假设下 ,建立了二层凸规划的 Lagrange对偶二层规划 ,并证明了基本对偶定理 .     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型     

硼烷分子中化学键性质的研究 Ⅱ. B3H7中四中心键及B3H9中三个隔离的氢桥三中心键

用Dunning基进行从头计算的结果表明:在B_3H_7(1103)中氢桥三中心键与BBB三中心键间已用σ-共轭效应”融合”为一个四中心键,其特征为f_(B(1)-B(2))=0.1653,f_(B(2)-B(3))=0.1429,f_(B-H_b-B)=0.3416,f_(4center)=0.7193hartree/bohr.但在B_3H_9中三个氢桥三中心键间不相互作用,保持相互独立,其特性为f_(B-B)=0.0558,f_(B-H_b-B)=0.3922,f_(H_b3cen)=0.5115hartree/bohr.