聚氨酯与铁电陶瓷粉复合物的电致感应性能研究

利用双辊制备了一系列热塑性弹性体聚氨酯（PU）和铁电钛酸锆酸铅盐（PZT）的电感应PZT／PU复合物。X－衍射和SE镜结果显示,复合物中,在铁电相中PZT陶瓷粉呈现结晶态并且均匀分布在PU基体中,复合物的弹性模量和相对电容率随着复合物中PZT体积分数增加而升高,在高压电场下,低PZT含量的复合物呈现负的电致伸缩应力,当PZT体积分数增加到6％以上时,在某个临界电场下,复合物呈现出电致伸缩应力反转的特性,即电致伸缩应力从负转变为正,并且发生应力反转的临界电场随着复合物中PZT体积分数的增加而降低,PU的电致伸缩特性与PZT在高电场下极化反转效应结合,导致了PZT／PU复合物这种有趣的性能,因此PZT／PU复合物将在高电压场方面作为传感器开关材料得到广泛应用。     

实践在统计学发展中的重要性

本文说明实践以及对于应用统计学科学内容的思考如何导致统计中许多内容的产生和发展．这些内容有拉丁方，比估计，相关分析，列联表，ｔ化，实验设计，方差分析，随机化，部份重复。方差分量分析，生物测定，比的置信限，质量控制，抽样检查，非参数检验，变换理论， ＡＲＩＭＡ时间序列模型，序贯检验，累积和管理图，数据分析绘图技术和贝叶斯一频率累积争论的再解释等等．这种进展是经常出现的，因为实际背景经常给出一些预想不到的激励，从而使理论发展跳出了不必要的局限性的已有结构．     

快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响

本文利用快速退火对 8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了 FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2/O2(3;)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理.对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs.     

硼掺杂对用于SHJ太阳电池的nc-Si∶H薄膜微结构的影响

采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响.结果表明:由于“硼掺杂效应”,随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由[111]变为[220];光学带隙逐渐减小,电导率则先升后降;本实验中薄膜的最优掺杂比为0.3;.以优化后的p型nc-Si∶H薄膜做窗口层,SHJ太阳电池的性能得到明显改善,获得了效率为14.1;的电池.     

葡萄膜炎患者外周血单核细胞表达的疾病相关细胞因子的检测

用ELISA测IL-12、IFN—γ水平；用原位杂交染色法测IL—12 mRNA表达；电泳迁移率改变试验(EM—SA)测NF—AT活性。结果表明：葡萄膜炎患者PBMCIL—12、IFN—γ水平和IL—12m RNA表达以及NF—AT活性都显著高于正常对照和其他眼疾病患者(P＜0．01)．IL—12、IFN—γ水平异常增高是葡萄膜炎患者Th1／Th2功能紊乱、Th1细胞功能亢进主要原因之一；而在转录水平上NF—AT活性异常增高可能与患者IFN—γ基因转录增强密切相关。     

用于HIT太阳能电池的ITO薄膜制备与性能研究

采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜,研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响.通过对二者的优化,获得了方阻为2.99Ω/□,电阻率为1.76×10-4Ω·cm,可见光波段(400～800 nm)平均透过率为82.3;的ITO薄膜.将优化后的薄膜用于电池上,制出了转化效率为14.04;的HIT太阳能电池.     

铋碲掺杂对锗光学性质影响的第一性原理研究

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法研究了Bi、Te掺杂对Ge光学性质的影响.结果表明:(1) Bi单掺使介电函数虚部、吸收率、光电导率实部峰值变大且向低能方向移动;介电函数实部变小且向低能方向移动;(2) Te单掺使介电函数实部、虚部、吸收率、电导率实部峰值变小且向低能方向移动;(3)所有掺杂体系的静态介电常数都变大.这些结果为研制高性能光电器件用新型功能材料提供了理论依据.     

nc-Si:H/c-Si硅异质结太阳电池中本征硅薄膜钝化层的优化

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在低温、低功率的条件下制备了一系列本征硅薄膜, 研究了硅烷浓度(C_S)对薄膜微结构、光电特性及表面钝化性能的影响. 将本征硅薄膜作为钝化层应用到氢化纳米晶硅/晶硅(nc-Si:H/c-Si)硅异质结(SHJ)太阳电池中, 研究了硅烷浓度和薄膜厚度对电池性能的影响. 实验发现: 随着硅烷浓度的降低, 本征硅薄膜的晶化率、氢含量、结构因子、光学带隙和光敏性等都在过渡区急剧变化; 本征硅薄膜的钝化性能由薄膜的氢含量及氢的成键方式决定. 靠近过渡区的薄膜具有较好的致密性和光敏性, 氢含量最高, 带隙态密度低, 且主要以SiH 形式成键, 对硅片表现出优异的钝化性能, 使电池的开路电压大幅提高. 但是, 当薄膜的厚度过小时, 会严重影响其钝化质量. 本实验中, 沉积本征硅薄膜的最优硅烷浓度为6% (摩尔分数), 且当薄膜厚度为~8 nm时, 所制备电池的性能最好. 实验最终获得了开路电压为672 mV, 短路电流密度为35.1 mA·cm^-2, 填充因子为0.73, 效率为17.3%的nc-Si:H/c-Si SHJ太阳电池     

实践在统计学发展中的重要性(续)

3.一些初步结论 显然我可以这样继续下去,再介绍一些例子.但我宁愿暂停一下,初步总结一下 我想大家已经看到引导统计学发展的一些因素,它们是: (a)存在一个原始想法,它导致发现并形成一个新问题,进而求其解答. (b)存在一个适合这种想法的挑战性的活跃环境,以寻求新的发现. 戈色     

Influence of interface states,conduction band offset,and front contact on the performance of a-SiC:H(n)/c-Si(p)heterojunction solar cells

P-type silicon heterojunction(SHJ) solar cells with a-SiC:H(n) emitters were studied by numerical computer simulation in this paper. The influence of interface states, conduction band offset, and front contact on the performance of a-SiC:H(n)/c-Si(p) SHJ solar cells was investigated systematically. It is shown that the open circuit voltage(V_(oc)) and fill factor(F F) are very sensitive to these parameters. In addition, by analyzing equilibrium energy band diagram and electric field distribution, the influence mechanisms that interface states, conduction band offset, and front contact impact on the carrier transport, interface recombination and cell performance were studied in detail. Finally, the optimum parameters for the a-SiC:H(n)/c-Si(p) SHJ solar cells were provided. By employing these optimum parameters, the efficiency of SHJ solar cell based on p-type c-Si was significantly improved.