凝胶法制备Cu-BTC块体及其吸附脱除二甲基二硫醚性能

金属有机骨架材料Cu-BTC具有高孔隙率、易调控的骨架结构以及含过渡金属等特点,是吸附脱除硫化物的优异材料。采用凝胶法在常温条件下制备块状样品Cu-BTC-g,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、红外光谱(FT-IR)、拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、N₂吸附-脱附等手段对其进行分析表征,同时测定Cu-BTC-g样品对模型硫化物二甲基二硫醚(DMDS)的静态吸附容量、吸附热力学和动力学特性。结果表明：凝胶法制备的Cu-BTC-g样品晶体平均尺寸约为0.2μm、比表面积为901 m²/g、孔体积为0.40 cm³/g,晶体尺寸、比表面积和孔体积均小于溶剂热法合成的样品Cu-BTC-s;在吸附温度298 K下,Cu-BTC-g样品的DMDS吸附容量为110.8 mg/g,比Cu-BTC-s样品提高12%。     

色尔古水电站1F发电机定子线圈匝间短路事故分析及处理

色尔古水电在施工过程中,由于相关单位未严格按规范实施,造成1F机组定子线圈匝间发生短路事故,后经各方努力终于修复并投产,但教训深刻.介绍了色尔古水电站1F发电机定子线圈匝间短路事故分析及处理方法,对机电安装工程建设中如何有效避免类似事故再次发生具有一定的借鉴意义.     

潜射导弹出筒过程水动力计算

研究导弹出筒弹道和姿态优化问题,针对潜射导弹出筒过程所受水动力直接影响导弹的结构载荷和水下弹道,使出筒姿态受到影响.根据势流理论和拉格朗日力学原理,为保证发射的有效精度,提出了潜射导弹出筒过程的模型和水动力计算方法.应用赫斯-史密斯方法,计算了出筒过程的潜射导弹时变附加质量;应用在克希霍夫方程的基础上推导的包含时变附加...     

基于BACnet协议的智能建筑系统集成的实现

针对楼宇自控协议BACnet协议在智能建筑系统集成上的应用和实现进行探讨。提出了针对BACnet通讯协议栈，BACnet对象和BACnet服务这三方面进行设计工作的集成方法。并通过一个工程实例，具体说明基于BACnet的系统集成方法的实现过程。     

数据集市技术

阐述了数据集市的基本概念，并结合实际例子探讨了一种用多维数据库实现数据集市的方法。通过与传统方式组织的数据进行比较，充分体现出数据集市技术在优化查询、提高查询效率方面的优越性。     

路基强夯技术在公路施工中的运用

随着我国经济建设的高速发展，目前我国对于公路的需求也在与日俱增。在这样的情况下，就需对我国公路施工的方法进行改进。但是在目前我国进行公路施工的过程中，使用的仍然是传统的施工方法。在这样的方法下，在使用后的效果并不好，并且在公路完工后也无法较好的进行使用，公路的寿命也会受到较大的影响，因此就需对公路施工中的路基强夯技术进行讨论     

多发地震区超高层施工现场危险源评价与防控

以云南省西山万达广场项目塔楼工程为例,考虑地震与管理工作的影响,借助专家评估,修正了LEC评价法,并对施工中可能遇到的重大危险源进行了等级评估。结果表明,坍塌、踩踏与疏散延误3类事故具有极高的危险性,据此针对其反映出的人员素质管理与机械设备管理问题提出了整改技术与措施。     

雅都水电站库区捞漂装置的应用与探讨

本文对黑水河雅都水电站库区捞漂的思路及装置应用进行了分析研究,并阐述了在应用过程中存在的问题和解决的措施,在实际应用中获得了良好的捞漂效果。     

C元素对N型a-Si:H薄膜微结构及电学特性的影响

采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si:H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光谱研究了C元素对薄膜微结构的影响,讨论了P-C二元复合掺杂a-Si:H薄膜电学性能与微结构之间的相互影响关系.结果表明:随着C掺杂量的增加,a-Si:H薄膜的短程有序度降低,中程有序度基本保持不变,缺陷逐渐减少;一定程度的C掺杂可使N型a-Si:H薄膜电导激活能降低而使薄膜的暗电导率升高,但过量的C掺杂使N型a-Si:H薄膜非晶网络结构有序度严重恶化,电导率出现明显下降趋势.

Abstract：

Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films doped with P and C were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).The influence of carbon on the dark conductivity,activation energy and mirostructure of the P-doped a-Si:H films was investigated by means of electrical measurment and Raman spectroscopy,and the relationship between electrical properties and microstructure of the films was also analyzed.It is shown from Raman spectra that the degree of short-range order and the defects of the films decreae with the increase of carbon doping,while the degree of intermediate-range order remains unchanged.A small amount of carbon can reduce the activation energy and enhance the dark conductivity of the P-doped a-Si : H thin films.However,excessive carbon makes the structural order of the amouphous network get worse which leads to a decline of dark conductivity.     

基于最小二乘法的电梯平衡系数曲线拟合

目前电梯平衡系数曲线的绘制大都采用手工描点画图的方式,这种方式既费时又存在较大人为误差。这里提出一种基于最小二乘法得出运行电流与电梯负载之间的函数关系I=f（P）,从而进行曲线拟合的方法,利用这种拟合方法可实现利用计算机程序绘制电梯平衡系数曲线。