DMP法在软土路基处理中的应用研究

以软土路基深层搅拌桩加固工程为例,分析了软土路基中路堤工程的稳定性,探讨了DMP法在软土路基工程中的应用问题,为DMP法在公路工程中的应用提供了有益的借鉴.     

联合无线资源管理技术的改进型垂直切换算法

针对移动主机在垂直切换过程中无线资源的合理分配问题,基于通用移动通信系统(UMTS)和无线局域网(WLAN)构建的无线异构网络环境,按照不同业务的服务质量(QoS)优先级,提出一种联合带宽借用、负载均衡机制的新型垂直切换算法;建立基于Matlab的性能评估仿真平台,对新呼阻塞率、掉话率进行分析。结果表明,该算法可以在维持较小阻塞率的情况下,有效减少掉话率,保证QoS需求高的话音业务取得很好的服务质量。     

民办高校产权权益认识调查分析

产权权益是当前民办高校分类管理中的一个热点议题。对来自24省的81位民办高校管理者进行问卷调查,结果显示:资金、土地使用权和实物是民办高校的主要出资方式;民办高校管理者对产权管理的重要性已达成共识,但对产权管理现状不满意;不同类型的民办高校管理者对产权界定、产权配置、产权监管、产权运作等的重要性与现实情况满意度的认识存在差异。建议明确举办者投入资产的产权属性,保障学校法人财产权的完整性;优化内部治理结构,发挥不同主体的产权管理效能;完善产权监管,健全产权运作机制。     

民办高校产权管理法律法规的现状、实践与建议

目前,我国尚未制定颁布民办高校产权管理的专门法规条例,相关内容散见于教育法律法规和其他法律法规条款中,主要体现在国家和地方两个层次.各地方政府在民办高校注册登记、办学许可证行政审批、举办者变更等方面强化过程管理,改革试点地区也出台系列举措完善产权管理.但是,也存在法人产权不完整、内部治理缺乏制衡、资产财务监管不力、融资渠道不畅等问题.今后,应当保持公益性价值导向,正确认识公益性和营利性的关系,完善协调性法律法规体系,修订相关法律法规;制定针对性配套制度,使产权管理的发展与经济领域改革相互衔接.     

基于多尺度残差双域注意力网络的乳腺动态对比度增强磁共振成像肿瘤分割方法

针对乳腺肿瘤大小形态多变、边界模糊以及前景与背景间严重类不平衡的问题,该文提出一种多尺度残差双域注意力融合网络。该网络以多尺度卷积构成的多尺度残差块作为基本搭建模块,通过提取多尺度特征和优化梯度传播通道提高其识别不同尺寸目标的能力,同时融入双域注意力单元,提高网络的边缘识别和边界保持能力。另外该文提出一种混合自适应权重损失函数改善网络优化方向,缓解正负样本极度不均衡的影响。实验结果表明,该文所提方法的平均骰子相似系数(Dice)值达到0.806 3,较U形网络(UNet)提高5.3%,参数量下降73.36%,具有更优的分割性能。     

JX-Bo天然气缓蚀剂优化评测方案

对JX—Bo缓蚀剂在天然气井腐蚀环境下保护效果以及天然气开采、脱水、净化过程所用助剂的影响提出了具体的评测方法．通过这一系列的评测,能够准确的评价所选缓蚀剂的各项性能,为气田评估出一种真正优质的缓蚀剂．     

沙柳基磁性多孔炭的制备及其吸附亚甲基蓝性能研究

采用水热法原位改性沙柳生物炭制备磁性多孔炭复合材料,利用SEM、XRD、FT-IR、XPS和BET分别对多孔炭的形貌、结构表征,并研究磁性多孔炭吸附去除废水中亚甲基蓝性能。系列表征分析结果表明磁性复合材料表面疏松多孔,比表面积为63.01 m²/g,含有-COOH、-OH等丰富的官能团。在亚甲基蓝初始质量浓度为50 mg/L、初始pH值为11,投加量为2 g/L、25℃吸附120 min时,亚甲基蓝的吸附率可达88.52%,最大吸附量为218.08 mg/g;吸附过程与Langmuir吸附等温模型拟合较好,符合准二级吸附动力学模型。吸附以化学吸附为主,吸附稳定,无二次污染,吸附剂廉价易得,便于分离,是理想的亚甲蓝废水处理试剂。     

温度对WC-WB-CoCr涂层高温摩擦磨损性能的影响

采用超音速火焰喷涂(HVOF)制备了WC-WB-CoCr涂层,研究了温度对WC-WB-CoCr涂层高温摩擦磨损性能的影响。通过SEM、XRD和显微硬度仪对涂层的微观组织、相结构和力学性能进行表征。通过摩擦磨损试验机和拉曼光谱仪研究了WC-WB-CoCr涂层的高温摩擦学性能和氧化产物,采用台阶仪扫描磨痕形貌并计算WC-WB-CoCr涂层的磨损率。结果表明：WC-WB-Co-Cr涂层主要由WC和CoW₂B₂组成,涂层结构致密,与基体结合紧密;随着磨损试验温度升高,涂层的摩擦系数从0.66降低到0.57,涂层的磨损率随着温度的升高而升高,但是其磨损率增长程度随着温度的升高而降低。在高温磨损过程中,磨痕表面的氧化膜主要由WO₃和CoWO₄组成,且CoWO₄比WO₃表现出更好的耐高温磨损性能。涂层的主要磨损机制为氧化磨损、疲劳磨损和粘着磨损。     

体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究

从等温和非等温两个角度,在250 K~573 K(-23℃~300℃)范围内,对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究。系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数的温度效应及其机理。     

高压VDMOS电容的研究

本文主要研究了VDMOS电容的组成,详细分析了Ciss、Coss和Crss这3个VDMOS电容参数的定义和各自对应的特性,并从模拟上着重分析了沟道长度和栅氧厚度对电容的影响.文中提出一种反馈电容较低的VDMOS新单元结构,在相同的尺寸条件下,新结构单元Qg*Rdson的优值较之传统型设计显著下降.