管材和管径选择与供水管网漏损控制

对供水管网漏损的原因进行了初步探讨,并从管材和管径两个方面对若干城市供水管网漏损的数据进行了统计分析,提出了管材漏损系数和管径漏损系数两个概念。根据分析结果,提出了相应的控制管网漏损的措施。     

建筑给水系统超压出流的实测分析

对11栋不同类型建筑的给水系统进行了超压出流实测分析。结果表明，普通水龙头和节水龙头的超压流率分别大于55％和61％。     

建筑给水系统超压出流现状及防治对策

通过实测分析 ,总结了建筑给水系统超压出流的现状。为减少超压出流造成的“隐形”水量浪费 ,提出了在设计中应将家庭入户管 (或公共建筑配水横支管 )的工作压力限制在 0 15MPa或静水压力限制在 0 2 5MPa以内 ,压力大于以上数值时应设减压装置 ,推广使用节水龙头等技术对策。     

超滤膜处理沉淀池出水的膜污染影响因素研究

在中试规模下采用超滤膜处理供水厂的沉淀池出水,考察了供水厂原水水质期、混凝剂和助凝剂的种类、膜通量以及过滤周期等因素对膜污染的影响.结果表明,不同水质期的膜污染速度顺序为:低温低浊期>常温常浊期>高温高藻期;混凝剂及助凝剂的种类和投量对膜污染有一定的影响;膜通量越小、过滤周期越短,则膜比通量下降速率和衰减速率越小,膜污染速度越慢.     

ECCP干法刻蚀条件下的TFT基板绝缘层过孔腐蚀的改善

过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文分析了不同刻蚀模式(ICP和ECCP)对过孔形貌的影响,利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/源极射频功率及O_2/SF_6气体比例)对刻蚀速率和均一性的影响,并得出ECCP过孔改善的最佳刻蚀参数。结果表明:ECCP模式下,氮化硅刻蚀过程中物理轰击对GI截面的下沿与Cu接触区域形成损伤后产生的缺陷,是诱发过孔腐蚀的主要因素,ICP模式无腐蚀。反应腔压力增大刻蚀速率增大,均一性下降;偏置射频功率增大,速率增大,均一性提高;源极射频功率增大,速率变化小,均一性下降;O_2/SF_6气体比例对速率影响小,O_2含量越高,均一性越高。为达到PR胶保护GI下沿截面的目的,反应压力增大到1.7Pa,偏置射频功率减小到30kW,源极功率增加到30kW,O_2/SF_6气体保持比例1∶1后,增加了氮化硅的刻蚀量,减小PR胶的内缩量,避免物理溅射表面损伤;同时刻蚀速率达到750nm/s,均一性达到10%,腐蚀发生率为10%～0,使ECCP刻蚀模式对过孔的腐蚀影响得到有效解决。     

激光化学气相沉积法在TFT-LCD电路缺陷维修中的应用

为了维修TFT-LCD电路缺陷,利用激光化学气相沉积法(LCVD)沉积钨薄膜,讨论成膜参数对基底损伤、钨薄膜电阻率的影响。在空气氛围下,波长为351nm的脉冲激光诱导W(CO)_6裂解成膜,通过聚焦离子束-扫描电子显微镜(FIB-SEM)观察薄膜横截面研究成膜参数对基底损伤的影响,再用高精度的电参数测试仪(EPM)测试不同参数下钨薄膜电阻。控制变量法表明,激光功率或激光束光斑尺寸越大,薄膜基底损伤越大,但电阻率越小,且不沉积薄膜时高功率激光辐射也不会造成基底损伤;激光辐射速度越大,基底损伤越小,但电阻率越大。通过平衡工艺参数,得到了电阻率为0.96Ω/μm、对基底无损伤的钨薄膜,成分分析表明此时W(CO)_6已经完全裂解。     

三种一体式MBR的膜污染趋势比较

对活性污泥—膜生物反应器、生物膜—膜生物反应器、复合式膜生物反应器的除污效果和膜污染趋势进行了研究。结果表明:活性污泥—膜生物反应器的膜污染程度最轻,膜通量下降速度最慢,膜污染也最容易消除;生物膜—膜生物反应器的膜污染程度最重,膜通量的下降速度最快;较大的曝气量可减轻膜的污染程度并减缓膜通量的下降速度。     

茶多酚用于饮用水消毒的初步试验研究

介绍了植物多酚的基本性质及国内外的研究应用现状 .简要阐述了分子量较小的茶多酚用于饮用水消毒时 ,投加量、接触时间、环境影响因素和杀菌持续性等方面的试验研究结果     

食物垃圾微生物处理技术的研究进展

食物垃圾处理技术有多种,但利用微生物固态发酵技术,使处理后的食物垃圾转化成微生物蛋白饲料,对食物垃圾污染的综合治理和资源的可持续利用具有十分重要的意义.     

餐厨垃圾资源化技术及应用

因餐厨垃圾具有BOD值高、易腐败、易发酵、发臭等特点,如果管理不善、处理不当,就会造成环境污染。但由于餐厨垃圾含有大量有机物,通过科学处理后也有再生利用价值。