首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   669764篇
  免费   59403篇
  国内免费   25758篇
工业技术   754925篇
  2024年   1676篇
  2023年   8556篇
  2022年   14437篇
  2021年   22649篇
  2020年   18531篇
  2019年   16421篇
  2018年   18900篇
  2017年   21436篇
  2016年   20134篇
  2015年   26737篇
  2014年   33794篇
  2013年   41308篇
  2012年   42096篇
  2011年   46586篇
  2010年   41337篇
  2009年   39359篇
  2008年   38438篇
  2007年   36988篇
  2006年   38019篇
  2005年   33620篇
  2004年   22537篇
  2003年   20222篇
  2002年   18564篇
  2001年   16917篇
  2000年   17150篇
  1999年   18573篇
  1998年   14626篇
  1997年   12251篇
  1996年   11561篇
  1995年   9577篇
  1994年   7880篇
  1993年   5458篇
  1992年   4375篇
  1991年   3362篇
  1990年   2607篇
  1989年   2114篇
  1988年   1747篇
  1987年   1100篇
  1986年   847篇
  1985年   542篇
  1984年   398篇
  1983年   318篇
  1982年   298篇
  1981年   193篇
  1980年   209篇
  1979年   102篇
  1978年   51篇
  1977年   62篇
  1976年   82篇
  1975年   26篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 22 毫秒
1.
Feng  Wenran  Li  Zhen  Chen  Yingying  Chen  Jinyang  Lang  Haoze  Wan  Jianghong  Gao  Yan  Dong  Haitao 《Journal of Materials Science》2022,57(3):1881-1889
Journal of Materials Science - Although chalcogenide materials continue to generate considerable interest due to great potentials for various optoelectronic devices, annealing for a long time in...  相似文献   
2.
Zhao  Jiandong  Lei  Wei  Li  Zijian  Zhao  Dongfeng  Han  Mingmin  Hou  Xiaoqing 《Multimedia Tools and Applications》2022,81(4):4753-4780
Multimedia Tools and Applications - The crowding in bus is an important factor affecting passenger satisfaction and bus dispatching level. However, how to use video images to detect crowding...  相似文献   
3.
基于铌酸锂(LN)薄膜的横向激发体声波谐振器(XBAR)能够兼具大机电耦合系数(K2)和高谐振频率(f)特性,有望满足5G应用的频段要求。然而,常规LN薄膜单层XBAR结构的温度稳定性较差,频率温度系数(TCF)较低。该文提出一种具有SiO2温度补偿层的SiO2/LN双层结构XBAR,并建立了精确分析层状结构XBAR的有限元模型。理论分析表明,该双层结构XBAR上激励的主模式是一阶反对称(A1)兰姆波。通过合理优化结构参数配置,能够获得高谐振频率(f~4.75 GHz)和大机电耦合系数(K2~8%),同时其温度稳定性也得到显著改善(TCF~-36.1×10-6/℃),相较于单层XBAR结构提高了近70×10-6/℃,这为研制温补型高频、大带宽声学滤波器提供了理论基础。  相似文献   
4.
5.
6.
7.
In this paper, a novel hybrid structure of Pd doped ZnO/SnO2 heterojunction nanofibers with hexagonal ZnO columns was one step synthesized from electrospun precursor nanofibers. Due to the synergistic effect of hexagonal ZnO, SnO2 and Pd, the structure exhibited excellent hydrogen (H2) gas sensing properties. At low-temperature of 120 °C, the response (Ra/Rg) to 100 ppm H2 gas exceeded 160, the response/recovery time was only 20 s and 6 s respectively and the limit of detection was only 0.5 ppm. Meanwhile, it also had good selectivity for H2 gas and excellent linearity. In addition, the materials were characterized by XRD, FESEM, HRTEM, XPS, and the synthesis mechanism and gas sensing mechanism were proposed.  相似文献   
8.
Ca3Co4O9 is a promising p-type thermoelectric oxide material having intrinsically low thermal conductivity. With low cost and opportunities for automatic large scale production, thick film technologies offer considerable potential for a new generation of micro-sized thermoelectric coolers or generators. Here, based on the chemical composition optimized by traditional solid state reaction for bulk samples, we present a viable approach to modulating the electrical transport properties of screen-printed calcium cobaltite thick films through control of the microstructural evolution by optimized heat-treatment. XRD and TEM analysis confirmed the formation of high-quality calcium cobaltite grains. By creating 2.0 at% cobalt deficiency in Ca2.7Bi0.3Co4O9+δ, the pressureless sintered ceramics reached the highest power factor of 98.0 μWm?1 K-2 at 823 K, through enhancement of electrical conductivity by reduction of poorly conducting secondary phases. Subsequently, textured thick films of Ca2.7Bi0.3Co3.92O9+δ were efficiently tailored by controlling the sintering temperature and holding time. Optimized Ca2.7Bi0.3Co3.92O9+δ thick films sintered at 1203 K for 8 h exhibited the maximum power factor of 55.5 μWm?1 K-2 at 673 K through microstructure control.  相似文献   
9.
10.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号