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学科分类
工业技术   1篇
出版年
  1981年   1篇
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本文报道了对直流辉光放电沉积的非晶态硅氢合金的光致发光的测定结果.采用488nm氩离子激光器作为光源,试验温度在77K下进行.试验结果表明沉积过程中的衬底温度对光致发光有较大的影响,在室温下a:SiH.的光电导性很差,光致发光强度几乎观察不到,当温度提高到250～300℃,光致发光强度增大.随着工艺条件的变化,发  相似文献   
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