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射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜是n型缺陷简并半导体,并以氧空位作为施主态,载流子浓度高达4.46×10~(26)m~(-3)。从热处理前后CTO膜的透射谱中观察到明显的Burstein移动。光致发光谱的测量表明,晶态CTO膜的本征跃迁能隙约为2.156eV,并由CTO膜的电学和光学测量数据计算出热处理前后的光隙能E_(opt)为2.35eV—2.64eV和传导电子的有效质量m_e~*为0.22m_e—0.5m_e。 相似文献
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在Ar、O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-In合金靶,制备了透明导电CdIn_2O_4(简称CIO)薄膜。研究了热处理对CIO薄膜的电学和光学性质的影响。实验结果表明,沉积后的热处理使CIO膜的电阻率均进一步减小,获得的薄膜最低电阻率为2.9×10~(-6)Ω·m,可见光区域最高透光率约为90%。在CIO膜的透射和反射谱中,观察到大的Burstein移动,并根据CIO膜的光学数据计算的热处理前后的光隙能值分别为2.46eV和2.63eV。 相似文献
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本文从马氏体相变的K-S模型出发,求得了片状马氏体内外的相变应力场,确定了片内的塑性应变和真实应力、解释了亚结构的形成,随之导出了马氏体的屈服切变强度τs与亚结构n/N之间的函数关系 τ_S=G/A'[1/2(ε_(11)~*-ε_(22)~*+(2+β_0~2)~(1/2)(cos43.5°/U+cos34.5°sin9°/V)) 由求得的应力和应力强度因子,说明淬火开裂是完全可能的。 相似文献
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本文采用调和势和双调和势法,导出了圆盘形夹杂外部弹性场的解析表达式。得到了以本征应变表示的应力强度因子公式,并对所得结果的特征及应用作了讨论。 相似文献
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研究了用电化学方法在SnO2基底上沉积的NiOxHy膜电致变色特性,该膜是一种富氧结构,具有优良的变色特性,其透射式光密度ΔOD在可见光区可达1以上.NiOxHy膜在KOH电解液中的电致变色行为是由质子的注入或萃取所决定.H+注入并占据Ni空位,会使一部分Ni3+转化为Ni2+,Ni3+的减少将导致光透性增强,这是因为Ni的d电子能级在NiO6八面体晶场中被分裂为t2g和eg能级.H+的注入使Ni3+的t2g能级被电子填满,变为Ni2+,导致光学透明.反之,H+的萃取使t2g能级出现空穴,即形成Ni3+,导致光吸收. 相似文献
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高碳钢马氏体亚结构的形成与相变开裂 总被引:3,自引:0,他引:3
本文从马氏体相变的K-S模型出发,求得了片状马氏体内外的相变应力场,确定了片内的塑性应变和真实应力、解释了亚结构的形成,随之导出了马氏体的屈服切变强度τs与亚结构n/N之间的函数关系τ_S=G/A'[1/2(ε_(11)~*-ε_(22)~* (2 β_0~2)~(1/2)(cos43.5°/U cos34.5°sin9°/V)) 由求得的应力和应力强度因子,说明淬火开裂是完全可能的。 相似文献