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1.
射频反应性溅射Cd—Sn合金靶沉积透明导电...   总被引:3,自引:2,他引:1  
  相似文献   
2.
射频反应性溅射Cd-Sn合金靶沉积的Cd_2SnO_4(简称CTO)薄膜是n型缺陷简并半导体,并以氧空位作为施主态,载流子浓度高达4.46×10~(26)m~(-3)。从热处理前后CTO膜的透射谱中观察到明显的Burstein移动。光致发光谱的测量表明,晶态CTO膜的本征跃迁能隙约为2.156eV,并由CTO膜的电学和光学测量数据计算出热处理前后的光隙能E_(opt)为2.35eV—2.64eV和传导电子的有效质量m_e~*为0.22m_e—0.5m_e。  相似文献   
3.
在Ar、O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-In合金靶,制备了透明导电CdIn_2O_4(简称CIO)薄膜。研究了热处理对CIO薄膜的电学和光学性质的影响。实验结果表明,沉积后的热处理使CIO膜的电阻率均进一步减小,获得的薄膜最低电阻率为2.9×10~(-6)Ω·m,可见光区域最高透光率约为90%。在CIO膜的透射和反射谱中,观察到大的Burstein移动,并根据CIO膜的光学数据计算的热处理前后的光隙能值分别为2.46eV和2.63eV。  相似文献   
4.
蒋生蕊 《金属学报》1986,22(5):37-46
本文从马氏体相变的K-S模型出发,求得了片状马氏体内外的相变应力场,确定了片内的塑性应变和真实应力、解释了亚结构的形成,随之导出了马氏体的屈服切变强度τs与亚结构n/N之间的函数关系 τ_S=G/A'[1/2(ε_(11)~*-ε_(22)~*+(2+β_0~2)~(1/2)(cos43.5°/U+cos34.5°sin9°/V)) 由求得的应力和应力强度因子,说明淬火开裂是完全可能的。  相似文献   
5.
本文研究温度对16MnRE钢在H_2S饱和水溶液中疲劳扩展速率的影响,是前文的继续。进一步检验以前所得的结果在不同温度下是否仍然正确;并测定腐蚀疲劳裂纹扩展的激活能,了解H_2S饱和水溶液腐蚀环境对16MnRE钢疲劳裂纹扩展影响的实质。一、实验方法16MARE钢热轧后,试验前未经热处理。其化学成分(wt-%)为  相似文献   
6.
本文根据三点弯曲试样的J积分计算式及da/dN=C_1(ΔJ)~r的实验事实,导出了三点弯曲试样用ΔJ表征的从线弹性直至全面屈服范围内疲劳裂纹亚临界扩展速率表达式其中高周疲劳近似为它和Paris关系是一致的;而高应变疲劳则为它和Coffin-Manson关系相当。16Mn钢在空气和饱和H_2S水溶液介质中的实验结果表明上述公式是正确的,饱和H_2S水溶液明显加速了疲劳裂纹的亚临界扩展。  相似文献   
7.
本文采用调和势和双调和势法,导出了圆盘形夹杂外部弹性场的解析表达式。得到了以本征应变表示的应力强度因子公式,并对所得结果的特征及应用作了讨论。  相似文献   
8.
研究了用电化学方法在SnO2基底上沉积的NiOxHy膜电致变色特性,该膜是一种富氧结构,具有优良的变色特性,其透射式光密度ΔOD在可见光区可达1以上.NiOxHy膜在KOH电解液中的电致变色行为是由质子的注入或萃取所决定.H+注入并占据Ni空位,会使一部分Ni3+转化为Ni2+,Ni3+的减少将导致光透性增强,这是因为Ni的d电子能级在NiO6八面体晶场中被分裂为t2g和eg能级.H+的注入使Ni3+的t2g能级被电子填满,变为Ni2+,导致光学透明.反之,H+的萃取使t2g能级出现空穴,即形成Ni3+,导致光吸收.  相似文献   
9.
在ITO玻璃衬底上制备锆钛酸铅铁电薄膜   总被引:4,自引:0,他引:4  
利用射频反应性溅射沉积技术在掺的Sn的In2O3导电透明膜衬底上制备了钙钛矿型Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜。研究了沉积参量与热处理工艺对铁电薄膜结构和性能的影响。运用X射线衍射、X射线光电子能谱和扫描电镜等技术,分析了薄膜的晶体结构、表面形貌和表面元素化学状态。测量了不同处理条件下薄膜的铁电性能。结果表明:在掺Sn的In2O3导电透明膜衬底上可以得到表面无裂纹,化学计量比符合要求的PZ  相似文献   
10.
高碳钢马氏体亚结构的形成与相变开裂   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文从马氏体相变的K-S模型出发,求得了片状马氏体内外的相变应力场,确定了片内的塑性应变和真实应力、解释了亚结构的形成,随之导出了马氏体的屈服切变强度τs与亚结构n/N之间的函数关系τ_S=G/A'[1/2(ε_(11)~*-ε_(22)~* (2 β_0~2)~(1/2)(cos43.5°/U cos34.5°sin9°/V)) 由求得的应力和应力强度因子,说明淬火开裂是完全可能的。  相似文献   
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