用~(14)N(d,α_1)~(12)C核反应研究注入氮在纯铁和GCr15钢中的深度分布

本文描述了利用~(14)N(d,a_1)~(12)C核反应测量固体样品表面层内氮原子含量及深度分布的方法。在Si_3N_4标准样品中,所得到的表面处的深度分辨为48nm。利用该分析手段,研究了在不同注入温度条件下,氮离子注入纯铁和GCr15钢的保留量及深度分布的变化情况。     

高能氩离子在钇铁柘榴石中引起的非晶化研究(英文)

用倾斜样品X-射线衍射学(STD)和饱和磁化强度测量,研究了960MeV氩离子低温(195K)辐照多晶钇铁柘榴石Y_3Fe_5O_(12)(YIG)所引起的非晶化过程。分析结果表明,960MeV氩离子引起YIG晶态→非晶态转变是一个逐步的过程,在这个过程中电子能损起主导作用,但也需要一定的辐照剂量。并在辐照剂量0≥1×10~(14)Ar/cm~2时,在电子能损S_e=8.3MeV处,首次观察到了几乎完全的非晶态。     

Ar离子辐照PET膜引起的表面结构和组分变化研究

用35MeV/u的Ar离子室温下辐照多层堆叠的半晶质的聚酯（PET）膜,采用X射线衍射技术和X射线光电子谱仪分析研究了辐照引起的表面结构和组分的变化。结果表明：Ar离子辐照PET膜引起了明显的非晶化转变和化学键断裂、断裂主要发生在甲氧基和羰基功能团上,并使这两个功能团中的C和O的比分相对减少。非晶化效应和化学键断裂同时依赖于离子的照射剂量和离子在样品表面的电子能量损失、剂量越高,表面电子能量损失越大,效应就明显。同时定性地讨论了结果。     

电子辐照PVA/CMC共混水凝胶的成胶研究

本试验利用电子辐照PVA/CMC共混水凝胶,通过外观透明度、凝胶分数、溶胀度和红外光谱分析,研究了样品中结构的变化与外观透明度、凝胶分数和溶胀度的关系,以及辐照剂量对样品中结构和性能的影响.结果表明,不同比例的PVA与相同比例的CMC组成的共混水凝胶,经电子辐照后呈现不同的宏观特性.辐照样品萃取后得到的凝胶比萃取前的混合凝胶拥有更强的吸水性,表明辐照PVA/CMC共混凝胶形成了网状结构凝胶.几种竞争反应导致不同辐照剂量下混合凝胶中凝胶含量随PVA含量的变化变得复杂.辐照后样品的红外光谱分析显示,辐照使凝胶中部分仲醇中C上链接的H原子被取代而转变为叔醇,从而产生交联.     

芯片产业格局要变天

12英寸芯片厂不仅是一场资本竞赛,更是一道策略关口,逼迫企业在“加油”和“退出”之间做出选择风平浪静何尝不是一种对狂风暴雨的孕育。因此,在经历了3年的蛰伏后。全球芯片产业正聚集能量进行新     

熊耳山变质核杂岩构造研究及找矿进展

豫西熊耳山区是一个在中新生代伸展构造背景中形成的拆离－ 变质核杂岩构造。其核部由新太古界太华群变质岩系和燕山期重熔型花岗岩体组成,盖层主要由中元古界熊耳群火山岩系组成。滑脱拆离系包括位于太华群和熊耳群之间的主滑脱拆离带和盖层中一系列次级滑脱断层。区内金银矿化在空间分布上受到变质核杂岩构造的控制,成矿时代与变质核杂岩主要形成期一致,成矿过程和拆离断层的发展过程一致。拆离断层控矿体系可分为６ 种基本控矿构造类型,其中以产于拆离带附近的陡倾斜蚀变破碎带和爆破角砾岩筒最重要。根据以上认识,近年来已发现多处具有中大型矿床前景的金银多金属矿产地     

河南瑶沟金矿矿床地球化学特征及成矿预测模型

瑶沟金矿床地球化学特征研究表明，主成矿因子为中偏高温元素组合（Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ），成矿与岩浆热动力活动有关。矿床元素垂直分带显示深部可能有盲矿体存在，水平分带表明成矿元素在热液中的运移方向为由西向东。矿体剥蚀程度为中－下部，其地球化学原生晕剥蚀程度为中－上部。据上述特征建立了矿床地球化学预测模型。     

高能重离子辐照制备碳氮化合物材料研究

室温下,先用100-120 keV的N离子注入类金刚石薄膜和石墨中,注入剂量5×1017至5×1018 cm-2,再用高能Xe、U、C60离子分别辐照注氮后的样品,然后用显微FTIR和Raman、XRD/XPS等手段进行分析表征,研究了实验样品中由辐照引起的新化学键和新相的产生.实验结果显示,高能重离子辐照可在所有样品中产生大量的CN键,高N浓度和大密度能量沉积导致sp3/sp2键比率的增加以及形成α-和β-C3N4必需的N-sp3C键的量的增加.C60离子辐照在注氮石墨样品中引起了ta-C、N=sp2C和N-sp3C键的形成;而高能离子辐照在注氮类金刚石薄膜样品中产生了α-和β-C3N4晶态夹杂物,其尺寸在1.4-3.6 nm之间.     

快重离子在聚合物潜径迹中引起的损伤效应研究

在室温和真空环境下利用不同的快重离子(1.158GeV Fe56、1.755GeV Xe136及2.636GeV U238)对多层堆叠的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸脂(PC)和聚酰亚胺(PI)进行了辐照,结合X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)及紫外可见光谱测量技术,在较宽的电子能损(1.9-19.0 keV·nm-1)和注量范围(1×1010-6×1012 cm-2)研究了离子在不同聚合物潜径迹中引起的损伤过程,观测到了主要官能团的降解、炔基生成、非晶化及紫外吸收边缘的红移等现象随辐照注量及电子能损的变化趋势.通过对损伤过程的定量分析,应用径迹饱和模型假设,分别给出了Fe、Xe和U离子在不同电子能损下辐照PC时的平均非晶化径迹半径和炔基形成半径,并用热峰模型对实验结果进行了检验.     

C离子注入对SiO2薄膜光致发光特性的影响

先用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,再用不同能量的C离子对薄膜进行注入,然后用荧光光谱分析了注入参数(注入能量、剂量)与发光特性改变的关联。研究发现,C离子注入能显著影响薄膜的发光特性,并且薄膜发光特性的改变强烈依赖于C离子的注入能量和注入剂量。对C离子注入SiO2薄膜引起发光特性改变的可能机理进行了简单讨论。