氢等离子体处理钝化层对高效晶硅异质结太阳电池性能的影响

研究不同时间氢等离子体处理（HPT）氢化非晶硅a-Si:H（i）钝化层对高效晶硅异质结太阳电池（效率>23％）性能的影响。发现适当时间的HPT可改善钝化效果提升电池性能,但过长时间的HPT可导致薄膜钝化效果变差,有效少数载流子寿命降低。分析认为HPT时间过长,H原子进入到a-Si:H（i）薄膜层中,导致薄膜内部SiH₂增多,微结构因子（R）增大,薄膜质量变差。并且,适当时间的HPT改善太阳电池性能的幅度有限,而过长时间的HPT导致电池性能下降却很明显。因此,针对高效率的晶硅异质结太阳电池,应对钝化层沉积之后的HPT工艺进行谨慎控制。     

掺杂(硼和磷)a-Si_(1-x)C_x:H膜中氢含量的测量

本工作用IR法研究了a·Si_(1-x)Cx:H(x～0.2)膜中掺杂(B和P)对H键合特性的影响,并对样品含H量作了定量分析.     

用空间电荷限制电流法测量非晶硅基薄膜的隙态密度

利用常规的层状结构的空间电荷限制电流法,测得了具有一定厚度 d 的 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 和 GD-a-Si_(1-x)N_x∶H 膜不同含量 x 时的隙态分布 N(E):对 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜(d(?)1μm),当 x 为0、0.1、0.8时,平衡费米能级附近处的隙态密度 N(E_(?)~o)分别为2×10~(15)、4×10~(15)、6.2×10~(16)/cm~3·eV,对 GD-a-Si_(1-x)N_x∶H 膜(d(?)1μm),当 x 为0、0.05、0.2时,N(E_F~o)分别为2×10~(15)、3×10~(15)、4.5×10~(16)/cm~3·eV;得到了 GD-a-Si∶H 膜的隙态分布与膜厚度的关系,发现随着膜厚度的增加 N(E_F~o)在减小,当 d<1μm 时,N(E_F~o)约为10~(16)/cm~3·eV 的数量级,当 d>1μm 时,N(E_F~o)约为10~(15)/cm~3·eV 的数量级。对共面电极结构的样品,用温度调制空间电荷限制电流法(TM-SCLC),测得了 GD-a-Si∶H 膜的隙态分布,并对光处理前后的样品进行比较,发现强光照后存在有光诱导效应。我们对所得结果作了初步说明。     

用硅烷和甲烷辉光放电法制备的a-Si_xC_(1-x):H薄膜及光电性能的研究

本文主要介绍了应用SiH_4 CH_4的辉光放电法制备光电性能优良的a-si_xC_(1-x):H薄膜的最佳工艺条件、红外吸收谱、光隙E_(opt)同x的关系以及ESCA测量结果。我们还得到了光电导率与暗电导率比σ_P/σ_D与分压比G之间的经验公式σ_P/σ_D=C_0(1.3-G)~(-8)。文中还对这些实验结果进行了初步讨论。     

用硅烷和乙烯辉光放电法制备的a-Si_xC_(1-x):H薄膜及光电性能的研究

本文主要介绍应用辉光放电法制备的,光电性能优良的 a-S1_xC_1 x: H 薄膜的最佳工艺条件、红外吸收光谱、光学带隙E_(opt)同x的关系、ESCA和ESR的测量结果,井对这些实验结果进行了初步讨论.     

掺锑SnO_2膜XPS和AES分析

用喷涂法制备的掺锑SnO_2膜,其方块电阻可达～15Ω/□,在可见光区的光透过率达85—92％。XPS和AES剖面分析表明:该膜的表面存在约15(?)的富氧区和约50(?)的富氯区,而其内部是均匀的SnO_2多晶结构。