离散阵的W—S综合法—Woodward法改进

本文给出的Ｗ－Ｓ综合法，利用样本函数的性质，对Ｗｏｏｄｗａｒｄ法进行了改进，用较少的单元就可以综合出相同效果的方向图，若单元数目相同，Ｗ－Ｓ法综合的方向图更逼近样本函数，且天线的波瓣狭窄，增益较高。     

离散阵的W—S综合法－Woodward法改进

本文给出的Ｗ—Ｓ综合法，利用样本函数的性质，对Ｗｏｏｄｗａｒｄ法进行了改进，用较少的单元就可以综合出相同效果的方向图。若单元数目相同，Ｗ－Ｓ法综合的方向图更逼近样本函数，且天线的波瓣较窄，增益较高。     

Hazy Backside Gettering with a-Si: H Film

Hazy backside gettering of boron-doped <111> siljcon wafer with a-Si: H film deposited by rf glowdischarge technique (rf-GD) has been investigated by SEM, optical microscope and preferential etching tech-lique. lt is evident that the deposited film can effectively getter the haze after annealing at l l00℃in wet oxy-len ambient for 120 min. The pre-crystallization annealing at 650℃ in argon ambient for 10 min enhances thegettering effectiveness. The low temperature(200～300℃) process of growing extrinsic gettering film reducesthe processing contamination.     

InGaP异质结双极晶体管ESD特性研究

研究了高速射频集成电路(RF IC)中InGaP异质结双极晶体管(HBT)器件的特性.测试了单指发射极和双指发射极两种结构器件的大信号DC I-V特性及抗人体模型(HBM)静电放电(ESD)能力.结果表明,双指发射极器件比单指器件能传导更高密度的电流,并能抵抗高能量的ESD;两种器件的击穿特性相似.这些结果可以用来指导RF IC ESD保护电路的设计.     

相位波瓣与多路径效应

基于麦克斯韦微分方程,对多路径效应中的多种相位关系进行了严谨的分析和规范化处理。计算了相位波瓣对威力覆盖的影响,提出了相位波瓣综合的研题,结果可用于超分辨算法以及雷达威力覆盖设计。     

水平磁场对熔体热对流抑制作用的理论分析

在直拉硅单晶生长过程中,熔体热对流对单晶质量有很大影响。一方面,热对流引起的温度波动可引起生长速率的变化,因晶体回熔而引入微缺陷,降低单晶的均匀性;另一方面,热对流将直接影响单晶中的间隙氧含量,并进一步影响到随后的氧沉淀形成。因此,在单晶生长过程中如何控制或抑制熔体的热对流越来越受到重视。     

Flow Pattern and Temperature Distribution in HMCZ Silicon Melt

The axial and radial convective flow,temperature fluctuation and distribution in the HMCZ silicon meltare studied tentatively.The experimental results show that the axial and radial convective speeds,the tempera-ture variation and the radial temperature gradient,parallel to magnetic field and near melt surface,alldecrease,but the axisymmetry of temperature distribution no longer exists when the magnetic field is applied.     

密度加权设计方法—相关法与综合法

降低天线付瓣电平是天线设计的一个重要问题,对于大型相控阵天线,通常采用等间距密度抽样阵以降低天线付瓣,国外资料上介绍的设计方法叫做统计法,这个方法是借助计算机建立在大量计算的基础上,从中选择一个较好的排列。本文介绍的相关法和综合法,可以不用计算机就能迅速获得一个好的排列,这是总结了我们工作中的经验提出来的新方法,尚需在应用中不断完善,特别是相关法提出的单元密度相关设计这一问题,虽改进了统计法的设计,但其理论分析有待深入研究。