共溅射法制备Cu掺杂ZnO薄膜结构及性能的研究

采用直流与射频双靶共溅射的方法在玻璃衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜,并研究了Cu的溅射功率以及氧分压对薄膜结构和光电性能的影响,利用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见光分光光度计(UV-VIS)以及霍尔测试仪(HALL8800)分别对样品的结构、光学特性以及电学特性进行表征,结果表明,薄膜的结晶质量随Cu溅射功率的增大有所提高,超过一定范围开始降低,而透过率则一直减小,增大氧分压可以改善样品的透过率。Cu的掺入使薄膜发生了由n型向p型的转变,且富氧条件下有利于这种转变。     

软岩矿井采空区下综采工作面参数优化设计研究

以灵东煤矿软岩采空区下Ⅱ₃煤层开采为背景,选取工作面长度、区段煤柱宽度、采高等3个因素进行正交试验设计,通过FLAC^_3D数值软件模拟不同因素组合下工作面覆岩的破坏情况,分析每个因素对工作面覆岩破坏的影响程度。试验结果表明,各个因素对Ⅱ₃煤层工作面顶板破坏高度影响显著性次序依次为：采高>工作面长度>区段煤柱宽度。根据对数值模拟结果的分析,结合各因素对导水裂缝带高度影响曲线,遵循煤矿安全高效生产的基本原则,确定Ⅱ₃煤层工作面合理尺寸组合为工作面长度为250m,区段煤柱宽度为25m,采高为5m,并与中硬岩层的模拟结果进行对比,体现出软弱岩层在模拟中的破坏程度。     

磁控溅射功率对掺铝氧化锌薄膜特性的影响

透明导电氧化物（TCO）薄膜因具有在可见光区透明和电阻率低等优异的光电性能,所以被广泛应用于各种光电器件中,例如平面液晶显示器（LCD）、太阳能电池、节能视窗等[1-2]。目前应用和研究最多的是掺锡（Sn）、     

缓冲层和退火气氛对Cu掺杂ZnO薄膜稀磁性的影响

采用直流与射频双靶共溅射的方法在石英衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔测试仪(HALL8800)以及超导量子干涉仪(SQUID)分别对样品的结构、表面形貌、电学特性和磁性进行表征,研究了AZO缓冲层以及不同气氛下退火处理对薄膜磁性的影响。结果表明,加入缓冲层的样品结晶质量有所改善,但不利于磁性的产生;空气退火使样品中氧空位大量减少,同时磁性减弱;真空退火使样品中氧空位得以保留,磁性增强,氧空位缺陷对磁性的产生有很大贡献。样品中载流子浓度不高,电阻率较大,载流子浓度对样品磁性的影响不明显。     

浅埋煤层综采工作面回撤通道顶板支护技术研究

针对回撤通道受采动影响巷道顶板稳定性差、变形大等问题，以内蒙古高家梁煤矿20117回撤通道为工程背景，提出回撤通道顶板补强支护方案，建立回撤通道锚固梁结构力学模型，通过理论计算分析了锚固梁结构的稳定性，并在20117回撤通道进行现场实践。结果表明：20117回撤巷道顶底板移近量较小，巷道相对比较稳定，优化后的锚(网)索、垛式支架联合支护方式对围岩起到了加固与强化作用，很好地控制了围岩变形，保证了工作面回撤安全。     

不同缓冲层对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响

本文采用射频反应磁控溅射法在玻璃基底上分别以Al2O3和AZO为缓冲层制备ZnO:Al(AZO)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计等方法对薄膜的结构和光电性能进行表征。XRD和SEM的分析结果表明,在Al2O3和AZO缓冲层上生长的AZO薄膜均具有较好的C轴择优取向,薄膜表面光滑平整,薄膜的结晶质量得到改善;透射光谱表明所有样品在可见光范围内的透过率均超过80%;薄膜的导电性能得到提高。