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分别用沉淀法和溶胶–凝胶法制备Zn0.95Ni0.05O前驱物,然后以3mol/LNaOH作为矿化剂,采用水热法在240℃保温24h合成制备了Zn0.95Ni0.05O稀磁半导体粉体。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、能谱仪和振动样品磁强计分析了合成粉体的物相组成、形貌、元素含量和铁磁性能。结果表明:用溶胶–凝胶法制备前驱物所合成的Zn0.95Ni0.05O粉体中有杂相Ni和Ni(OH)2出现。用沉淀法制备前驱物可以合成纯净的Zn0.95Ni0.05O粉体,样品中Ni离子的实际掺杂量为4.55%(摩尔分数)。Zn0.95Ni0.05O样品在室温下有良好的磁滞回线,表现出铁磁性。 相似文献
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陶瓷金属化生产中的Mo粉,通过采用科学的球磨方法,根据经验及理论公式计算球磨过程的各个工艺参数,进行各项生产性试验测试分析,应用于生产,产品的抗拉强度及一次金属化层微观形貌均达到了理想的要求,并经多次试验重复,肯定了这一工艺改进的正确性。 相似文献
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本文提出一个基本上用数字电路实现中文电传打字的新方案。采用一个小键盘输入较大数量的汉字字符。没有用复杂的机械结构和光电变换器件。打字操作也十分简单。主键盘用256个按键,加上16个页面键共可输入4096个汉字字符。每个汉字字符由12位二进码组成。在按下字键时,此字即直接编成字码并存于寄存器中。汉字码可用简单线路串行输出,属于“每分钟100个字”的标准电传系统。 相似文献
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采用水热法, 以3mol/L NaOH作为矿化剂, 在260℃下, 保温28h进行Cr合金化(x=0.10, 0.15, 0.20, 0.25), 合成Zn1-xCrxO稀磁半导体晶体. 研究了Cr合金化对水热合成Zn1-xCrxO稀磁半导体粉体结构和性能的影响. XRD测试表明, Cr元素进入到ZnO的晶格内, 实现了Cr的合金化, 晶粒尺寸分别为46.5、46.1、50.6和48.9nm. 从FE-SEM可以观察到, x>0.2时, 晶体的形貌从短柱状转变为长柱状. 通过UV/Vis测试可以观察到Cr离子的吸收, ZnO的禁带宽度依次降低为3.17、3.18、3.19和3.23eV. VSM测试表明, 所制备的Zn1-xCrxO纳米晶体在室温下均表现出弱顺磁性. 相似文献
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本实验采用水热法,以ZnSO_47H_2O为和Co(NO_3)_26H_2O为原料,以NaOH作为矿化剂(浓度为2 mol/L、3 mol/L、4 mol/L),在180℃保温24 h条件下,合成Zn_(1-x)Co_xO(x=0、0.05、0.1、0.15)稀磁半导体。通过XRD测试发现,矿化剂浓度对Co掺杂ZnO影响随着Co含量越高,峰值越低。扫描电镜显示:ZnO晶体呈针状,掺杂Co2+后,在长度方向上发生改变,当x=0.05时呈长方形块状,x=0.1时掺杂后的晶体呈块状,x=0.15时晶体以颗粒状的形貌出现,说明Co的掺杂在一定程度上影响了ZnO纳米晶体的生长。 相似文献
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