关于VDMOSFET二次击穿现象的分析和研究

在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象,着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因,并提出了改善其二次击穿现象的最佳设计参数及最优准则：基于寄生晶体管基区结深和浓度优化的方法。同时用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数对功率晶体管VDNMOS二次击穿的影响。给出了仿真结果。     

数字化测绘技术在城镇地籍测量中的应用

数字化测绘是目前较为流行的测量方式，其技术本身也日渐成熟。文章结合数字化测绘技术在泰州市刁铺镇、口岸镇1：500数字化地籍测量中的应用，简述了控制测量、碎部（界址点坐标）测量以及内业数据处理的作业流程、实施过程与地籍管理信息系统的建立过程。     

VDMOSFET二次击穿效应的研究

在PDP驱动电路中高压功率器件大量采用了VDMOS器件，由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS二次击穿的现象，并着重分析了功率晶体管VDMOS二次击穿的原因，提出了改善其二次击穿现象的措施。用器件仿真软件MEDICI模拟了各参数因素对功率晶体管VDMOS二次击穿的影响。     

数字化测绘技术在城镇地籍测量中的应用

数字化测绘是目前较为流行的测量方式,其技术本身也日渐成熟。文章结合数字化测绘技术在泰州市刁铺镇、口岸镇1∶500数字化地籍测量中的应用,简述了控制测量、碎部(界址点坐标)测量以及内业数据处理的作业流程、实施过程与地籍管理信息系统的建立过程。     

PDP扫描驱动芯片中高压VDMOS器件的设计

PDP扫描驱动芯片完成高低压转换和功率输出,要求器件耐压170v.本文基于BCD工艺,提出了高压器件VDMOS的结构,采用了不附加工艺的场板和场限环两种终端结构提高器件耐压,并利用器件模拟软件MEDICI进行了仿真验证,得到了优化的器件结构参数.