纳米界面性能在电介质科学中的应用

本文介绍了纳米科学技术中纳米界面的研究及其与电介质性能的联系 ,综述了纳米界面为绝缘电介质等基本电介质领域研究提供的新思路。     

插层型聚合物基纳米复合材料--理论、实践与发展

插层型合物基维米复合材料是最近十年中才迅速发展起来的新型复合材料,由于期具备非常均匀的微观结构与强相界面粘结强度,可以提供较仙聚合物复合材料更为优秀的机械性能,耐热性以及气体液体的阻隔性能,因而具有广泛的应用前景,简要地介绍了插层型聚合物基纳米复合材料的制备机理,研究现状以及应用领域,并对其发展前景进行讨论。     

纳米界面性能的电介质科学中的应用

本文介绍了纳米科学技术中纳米界面的研究及其与电介质性能的联系,综述了纳米界面为绝缘电介质等基本电介质领域研究提供的新思路。     

单晶相β-SiC改性大电机防晕材料研究

本文研究了β－SiC－环氧脂漆复合防晕涂层的非线性导电性。表明小粒径β－SiC非线性好,粒径越小阻越低非线性系数越大,粒径在14－21μm之间时非线性最好。与粒径相近的α－SiC相比,β－SiC防晕涂层的非线性系数随粒径增大或合成温度提高而变大;同粒度条件下则随β－SiC含量提高而增大,防晕电压升高。β－SiC调节α－SiC防晕涂层的电阻率和非线性可有效地提高材料的非线性,改善防晕效果。     

用硅质煤矸石合成SiC的研究

分别以硅质煤矸石、石英砂与弱粘煤、无烟煤作原料用Acheson工艺合成了SiC,并研究了硅质煤矸石的微观结构。SEM研究表明：硅质煤矸石中SiO2呈球状被包容于碳有机质薄壳中,SiO2球体直径小于10μm,有机质厚度小于5μm,据此提出了硅质煤矸石参与合成SiC的反应过程模型。认为硅质煤矸石的微观结构适于SiC合成反应在较低温度下快速彻底地进行。实验表明：硅质煤矸石是Acheson法合成工业SiC理想的天然原料,用其代替石英砂和大部分价格较贵的石油焦炭或资源较匮乏的无烟煤,可实现废弃物资源化与控制污染的目的,并可降低能耗和生产成本。     

新型大电机防晕材料研究

研究表明小粒径β-Si C非线性好 (粒径 14～ 2 1μm时最好 ) ,与粒径相近的 α-Si C相比 ,β-Si C的非线性系数大、电阻率低。β-Si C防晕涂层的非线性系数随粒径减少或合成温度提高而变大 ;同粒度条件下 ,则随 β-Si C含量提高而增大 ,防晕电压升高。β-Si C调节 α-Si C防晕涂层的电阻率和非线性可有效地提高材料的非线性 ,改善防晕效果     

新型SiC材料及其应用

本文对近年来在一些高技术领域中发展的碳化硅材料的制备技术、材料性能和工业应用进行了评述     

反应料导电发热合成SiC微粉的新技术研究

提出并设计了一种新型的合成SiC微粉的方法———利用反应料导电产生焦耳热供反应顺利进行 ,并实验合成了微米级的SiC微粉 .用SEM ,XRD和粒度测试仪等手段研究了该方法合成产物的微观形态和特性 .反应区中心部位发育较充分的晶体粒径为 9～ 11μm ,反应区外沿的粒径 <5 .0 μm ,均比Acheson工艺合成后经过粉碎加工的SiC微粉或专门用稻壳合成的SiC微粉更细小 .XRD测试表明其晶相主要是β-SiC,α -SiC含量非常少 .分析了反应料发热法的导电发热的机理及反应过程 ,并计算了反应过程中反应区的电阻率 .反应料发热法与高温自蔓延反应及传统的Acheson技术都有重要区别 ,可以用普通工业原料低成本合成具有较高性能和附加值的SiC产品     

用双温点立式炉烧成高性能PTCR陶瓷的工艺

以程控交换机过电流保护用高性能陶瓷ＰＴＣＲ元件作烧成对象，研究了应用自动连续式高温电阻炉对高性能陶瓷ＰＴＣＲ元件实施规模生产的工艺。调整双温点自动高温电阻立式炉的温度和下降传动速度可方便地得到合理的烧成曲线，改善ＰＴＣＲ材料的性能参数，并保证高的成品率和性能一致性。