利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点

在GaAs基In x Ga1-xAs( x =0.15)应变层上生长了InAs 量子点(QD)层,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监测,并观察生长后的表面形貌,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄.如果同时控制QD层在刚刚出点,则QD主要沿着较窄的布纹结构排列,从而得到有序排列的QD.     

项目支撑和投资拉动是振兴老工业基地的明智之举

吉林省经济具有明显的投资拉动型特征，2004年前三个季度，全省共组织实施了老工业基地振兴项目112个，总投资规模1100亿，截止九月末，已完成固定资产投资741．8亿元。较上年同期增长了17％，对经济增长的贡献率超过了60％，由此拉动GDP、工业综合效益指数、财政收入和居民收入同比分别增长了12.6、16、     

开发长白山水资源 推进我省跨越式发展

我省人均水资源占有量相当于世界平均水平的13.6%,“十五”期间实现跨越式发展首先要解决水资源短缺问题。高寒湿润的近海气候使长白山区每年可积存下60亿m3的优质淡水。按2000年利用能力匡算,每年可创造GDP1190亿元,实现财政收入120亿元。市场经济是注意力     

应变异质结外延材料的缓冲层厚度与Frank－Read源的关系研究

基于能量最小近似模型，研究了应变异质结外延材料中，产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源以释放失配应力所需ＧｅＳｉ合金缓冲层的厚度．对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ进行了具体计算，其结果表明：产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时缓冲层厚度要比临界厚度大得多，Ｌｍｉｎ＝１３００Ａ是钉扎点间的最小距离．计算结果与ＬｅＧｏｕｅｓ等的实验结果相符．就作者所知，计算产生Ｆｒａｎｋ－Ｒｅａｄ源时ＧｅＳｉ合金缓冲层厚度的工作，以前未见报道．     

δ掺杂AlGaAs/GaAsHEMT的二维量子模型

本文我们首次建立了δ掺杂AlGaAs／GaAs高电子迁移串晶体管（HEMT）的二维量子模型，这种模型考虑了HEMT器件沟道中二维电子气的量子特性，根据这个模型，我们应用二维数值模拟方法和自治求解薛定谔方程和泊松方程获得了器件沟道中的二维电子浓度，同时也得到了器件沟道中的横向电场分布和横向电流密度．模拟结果表明二维电子气主要分布在异质结GaAs一侧量子附中．详细讨论了不同栅压和不同漏压下HEMT沟道中的二维电子浓度的分布及变化．     

分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究

用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏感的高电子迁移率晶体管结构材料进行研究。     

路桥施工中钢纤维混凝土的施工技术分析

在路桥项目施工中应用钢纤维混凝土施工技术,有利于解决在路桥项目施工阶段中经常性发生的一些问题。因此,针对路桥施工中前维护凝土的施工技术展开分析十分有必要。     

基于SPC3的PROFIBUS—DP智能从站的设计

本文介绍了PROFIBUS现场总线的标准和PROFIBUS—DP总线通信协议芯片SPC3的结构和功能,分析了SPC3的状态机,给出了使用SPC3实现PROFIBUS—DP智能从站的软硬件设计方法     

王河煤矿矿井水综合利用可行性探讨

一、矿井概况 王河煤矿位于荥阳县刘河乡,距郑州市50km,荥阳县城17km,上街工业区13km。矿区内外公路纵横交错,还有铁路专用线直达,交通甚为方便。 矿井始建于1969年,井田面积9.6 km~2,主采石炭纪太原群—煤层,1982年技术改造后年产30万吨,1989年底可采储量为1084万吨,服务年限36年。1987年试生产以来矿井涌水量曾达1815m~3/h,因水文地质条件复杂,始终未能达到设计生产能力,经济效益较差。 二、供水水源与水量 1.地表水源:矿井南部为东西向山岭(伏牛山支脉),标高在 500米左右,有寒武系和奥陶系(O_2)灰岩组成,出露面积约500km~2,由于地质作用在地表形成南北向和北东向沟谷,沟谷沿寒武灰岩和奥陶灰岩一直切割到顶端呈“V”字形展布,大气降雨补给条件甚好。在接近背斜轴部和沟谷切割顶端,出现O_2灰岩溶裂隙地下水的天然露头——庙子泉,泉水流量平均为1024m~3/h,水温18℃,出露标高 350米,泉水和大气降雨沿沟谷河床可部分补给地下含水层。     

InAlA5量子点材料的AFM和拉曼散射研究

对分子束外延（MBE）自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜（AnD对量子点形貌观察的结果，分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变，并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明，岛状结构的尺寸横纵比与类GaAsLO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z（X,X）Z偏振条件下为非拉曼活性。