金属掺杂中孔分子筛的合成及其研究

以十二烷二胺(DADD)为模板剂,TEOS为硅源,通过水热合成法制备出了具有高金属含量的中孔分子筛Zr-MSU-V和Nd-MSU-V,采用XRD、TG-DTA和TEM等对合成的分子筛进行了表征.XRD结果表明,即使当Si/Zr或Si/Nd的摩尔比达到5或20时,获得的两种分子筛Zr-MSU-V和Nd-MSU-V均能保持良好的结晶度,TEM图清楚地展示了Zr-MSU-V具有有序的层状结构;TG-DTA的结果显示,903 K焙烧脱除模板剂不会破坏金属嵌入分子筛的结构,说明其具有良好的热稳定性;通过48 h水热处理后的分子筛仍保持其结构有序性,说明其具有优良的水热稳定性.     

二阶高通滤波器的计算及设计

滤波装置分一阶、二阶、高通及C型四种。高通滤波器主要滤13以上谐波。该装置对某次频率以上呈现低阻抗。本文从高通滤波器的原理出发，对其参数进行分析与推导，并举了实例。     

五轴多工序加工检测夹具下的误差成本优化分析EI北大核心CSCD

为平衡多工序制造系统中质量与成本的问题,提出一种在机检测夹具间接影响质量与成本的求解方式。在该求解方式中,分析了在机检测夹具变量误差的特点,采用状态空间法建立了误差传递模型;分析了在机检测夹具的成本,采用显著性检验的方法建立了检测成本模型,并将检测成本融入包含公差成本和质量损失成本的成本模型中。在此基础上,提出以成本模型为目标函数、误差传递模型为约束条件的优化函数,找出零件满足质量的最优成本。以两类零件加工的质量成本为例,验证了在机检测夹具方式的有效性。     

“S”形试件的五轴数控机床综合动态精度检测特性研究

以ISO国际标准试件、NAS979系列试件、NCG试件等为例,比较了目前国内外常用机床精度检测试件的检测性能与特点,计算了“S”形检测试件的开闭角、扭曲角、曲线曲率以及曲面法曲率等特征,研究了“S”形检测试件在几何造型方面的特性,证明了“S”形试件能基本体现和覆盖机床的各种复杂姿态,以及在机床多轴联动精度检测和机床动态刚度特性检测等方面更具全面性。为基于“S”形检测试件的五轴数控机床动态精度检测提供相应的科学依据,为五轴数控机床精度检测试件的型面构造研究提供理论参考,有助于“S”形试件国际标准草案的制定与推广。     

基于无线传感网的轻量级数字签名系统设计

为了确保传感器网络中传输数据的可靠性,本文设计了一个基于对称密码体制的数字签名系统。系统使用对称密码机制来提高效率,采用硬件加密设备保证共享密钥池的安全,通过使用特定的密钥生成算法解决对称密钥的分发问题。实验结果表明,系统能耗低、效率高,具有很强的实用性。     

通过软件开发应用实现油罐动态计量

介绍了在不改变原有仪表和控制系统，通过软件开发和网络应用，实现吐哈油田油库每个大罐的进油和发车动态计量，统计出当天的进出罐总量，并且生成动态页面，实现计量数据的网络查询。     

基于改进遗传算法的继电保护一体化图形 拼接厂站最优布局

继电保护整定计算在电力系统广泛采用分布式整定计算模式,在继电保护整定计算模型拼接中,图形拼接部分存在着接线混乱的问题。深入研究了一体化继电保护图形拼接的特点,结合厂站电压等级,提出了基于改进遗传算法的继电保护一体化图形拼接方法。为了提高图形拼接的效率,采用按电压等级分层寻优的方式确定最优厂站布局。最后通过实际算例验证了该方法的快速性及有效性。     

辐射免疫损伤与防护

近年来,随着分子生物学和分子免疫学新技术的发展和引入,免疫系统辐射损伤效应研究得到了较快发展。本文从辐射免疫损伤效应方面,介绍了免疫系统和淋巴细胞损伤特点,辐射对免疫器官和外周血淋巴细胞的影响,辐射所致细胞凋亡及剂量;从分子机理方面,介绍了辐射对细胞因子免疫调节功能的影响,辐射免疫损伤效应中信号转导机制,辐射对凋亡调控基因的影响;从辐射免疫损伤防护方面,介绍了细胞因子、生长因子和基因转染的应用研究。同时,探讨了辐射免疫损伤效应和机理研究方面需要解决的问题,提出了进一步寻找有效的辐射免疫损伤防护措施的切入点。     

非晶态As2S8半导体薄膜波导的热处理效应

研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm.     

非晶态As2S8半导体薄膜波导的热处理效应

研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm.