场发射显示器件中真空获得和维持工艺的改进

真空的获得和维持是目前FED研究工作中存在的主要困难之一。本文研究了在现有的传统封接排气以及消气工艺的实验条件下 ,进行了多种工艺改进 :设计了一种新型的三层FED器件结构 ,在这种结构中 ,实现了蒸散型消气剂和非蒸散型消气剂的共同使用 ;并采用了气体保护 ,以及电子轰击去气等有效措施 ,实现了FED器件内部持久的高真空度 ,为FED阴极高稳定、长寿命工作提供了有力的保障     

场发射显示器支撑墙机械强度的计算与分析

计算了几种不同材料支撑墙在不同承压和允许倾斜角度范围内的应力和形变分布。计算结果表明 ,采用热压氮化硅或氧化锆陶瓷制作的支撑墙具有足够高的机械强度 ,是支撑墙材料的较好选择。     

直流溅射中氮气分量对氮化锆薄膜性质的影响

用直流溅射方法制备氮化锆薄膜，其晶体结构，氮原子组分以及电阻率都与溅射气氛中氮气分量有直接关系。用X射线衍射分析薄膜结构，随氮气分量由5％至30％增加，玻璃衬底上的氮化锆薄膜首先呈(111)和(200)两主要生长取向；然后(200)取向逐渐消失，只有(111)单个优化生长取向；最后，没有衍射峰出现，薄膜趋于无定型结构。     

新元矿副斜井基岩段快速施工经验

从掘进、装岩、排矸、运输、巷道支护及辅助系统、劳动组织、循环进度等介绍了新元矿副斜井基岩段的施工情况,取得了较好的社会效益和经济效益.     

一种新型的表面传导电子发射阴极

本文介绍了表面传导电子发射（SCE）显示技术，提出Bi2O3／C／Cu结构的双薄膜型SCE阴极，并对其制备工艺和发射性能进行讨论。与佳能公司的SCE阴极相比，该结构采用了廉价的方式实现纳米级缝隙的构建，大大减小了激活时间与制备成本。实验表明，薄膜的蒸镀参数对制得的阴极性能有很大影响。通过对工艺参数的优化，得到了稳定、均匀的电子发射，电子发射率达到0．8％，向器件实用化方向迈出了重要的一步。     

场发射显示技术的发展状况

介绍了微尖阵列、碳纳米管、表面传导、弹道式电子发射、薄膜内场致发射以及类金剐石薄膜等几种场发射显示技术的发射特性，分析了场发射的工作机理。讨论了国内外场发射技术发展状况与它们在技术、材料、工艺等方面的瓶颈。展望了几种场发射显示器的市场产业化前景以及加快我国在场发射技术方面的研究步伐的建议。     

有电子束聚焦作用的场发射阵列

讨论了对发射电子束具有聚焦作用的场发射阵列，并制作了样管，为了抑制发射电子束的发散，采用电子束聚焦的方法，中给出了三种结构的聚焦方案，开发的透明电阻层Ｎｉ－ＳｉＯ２保证了聚焦孔的刻蚀精度。     

光ATM交换系统及其关键技术

本文介绍了国内第一个４×１５５Ｍｂ／ｓ光ＡＴＭ交换实验系统，系统以４×４光Ｔｉ：ＬｉＮｂＯ３为核心，采用了光非线性放大器和光延迟线等技术，入线速率为１５５Ｍｂ／ｓ，实现了四路多媒体用户的数据交换功能（两路演示），并进一步做了入线速率为６２２Ｍｂ／ｓ的光ＡＴＭ交换的研究。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱光调制器

利用Ⅲ-V族化合物半导体量子阱材料的量子限制Stark效应制作的电吸收型光调制器具有调制电压低,调制速度快、器件尺寸小、结构简单并易于同半导体激光器集成等优点,适于进行高性能、高速度的信息编码和处理,在光通信、光计算和光互联中具有广泛的应用前景。本文以光通信为主要应用背景,论述了量子阱调制器的开关比和调制电压、插入损耗、调制带宽、频率啁啾等各项技术指标,指出了量子阱调制器存在的工作波长范围窄和饱和吸收等主要问题并讨论了可能的解决途径,最后讨论了量子阱调制器在光电子集成,主要是半导体激光器和量子阱调制器单片集成方面的应用、发展情况和存在问题。     

直流溅射中氮气分量对氮化锆薄膜性质的影响

用直流溅射方法制备氮化锆薄膜,其晶体结构,氮原子组分以及电阻率都与溅射气氛中氮气分量有直接关系。用X射线衍射分析薄膜结构,随氮气分量由5％至30％增加,玻璃衬底上的氮化锗薄膜首先呈(111)和(200)两主要生长取向;然后(200)取向逐渐消失,只有(111)单个优化生长取向;最后,没有衍射峰出现,薄膜趋于无定型结构。