硅中双空位和杂质对Se~2电子结构的自洽场Xa研究

本文利用自洽场Xa—MS方法研究了硅中双空位和替代式杂质对Se~2的电子结构。研究表明:双空位在硅的禁带中引入两个二重简并的E_U能级,由于Jahn-Teller效应,对称性从D_3d降为C_2h,两个E_U能级分裂,在禁带中产生一个深施主和两个深受主能级。杂质对Se~2在禁带中引入A_(1Q)和A_(2U)两个深施主,它们的位置分别为(Ec—0.26)eV和(Ec—0.57)eV,其中前者已在实验中观察到。     

法向光电子衍射曲线类原子强度I_0的选取

本文对实验法向光电子衍射曲线的Fourier变换中类原子强度I_0选取的三条原则作了探讨,并用来确定了吸附系统C(2×2)S(1s)/Ni(001)实验法向光电子衍射曲线的I_0及Fourier变换函数X(k)。由Fourier变换所得到的表面结构常数d_⊥与LEED的结果一致。在相当大的能量范周内将I_0的数值改变10％,Fourier变换的峰值位置移动不大。     

系统C(2×2)S(ls)-Ni(001)光电子衍射谱的计算及Fourier变换分析

计算了系统C(2×2)S(1s)=Ni(001)的垂直光电子衍射谱。与实验比较,求得吸附层与衬底顶层之间的垂直距离d_⊥=1.35(?),吸附原子S位于四度中空位。对上述光电子衍射谱作Fourier变换的结果支持了上面的结论。     

单晶硅和纳米晶硅空带的NEXAFS理论研究

利用多重散射团簇方法（MSC）计算了单晶硅的K边NEXAFS谱，研究显示NEXAFS谱包含了导带态密度的信息。同时在模拟C－Si的团簇中引入一定数量的空位，构造了纳米晶硅的模型，MSC计算证实吸收边位置上升约0．5eV，说明纳米晶硅的禁带比c-Si的展宽了。     

Si_3N_4/Si表面Ge生长过程的STM研究

利用STM和LEED分析了Ge在Si3 N4 /Si(111)和Si3 N4 /Si(10 0 )表面生长过程的结构演变。在生长早期 ,Ge在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇 ,这些团簇的大小均在几个纳米范围内 ,并在高温退火时体积增大。当生长继续时 ,Ge的晶体小面开始显现。在晶态的Si3 N4 (0 0 0 1) /Si(111)表面 ,Ge的 (111)晶向的小面生长比其他方向优先。最后在大范围内形成以 (111)方向为主的晶面。相反 ,在非晶的Si3 N4 表面 ,即Si3 N4 /Si(10 0 ) ,Ge晶体的高指数侧面生长较顶面快 ,最终形成金字塔形的岛结构。对这样的表面生长过程进行了探讨并给出了合理的物理解释     

岩滩水电站扩建工程尾水围堰设计

岩滩水电站扩建工程尾水围堰位于一期工程尾水渠中,由于可研阶段考虑先改建一期安装间道路,后进行尾水出口部位的施工,而在实际施工过程中难于实现。文章对尾水围堰变更原因进行了详细分析,并对可研阶段和施工图阶段尾水围堰设计进行了详细介绍。     

复杂地质结构下地下厂房布置方案的对比分析

岩滩水电站扩建工程地下厂房为大跨度、高边墙大型洞室,且上、下发育有石英岩脉与f 211构造挤压破碎带.针对这种上、下被不利地质结构所包围的地下厂房, 采用二维弹塑性有限元方法对多种布置方案下的施工开挖进行了数值模拟,分析了围岩的开挖变形与应力随开挖的演变过程.在保证地下厂房围岩整体稳定性的条件下,对地下厂房布置方案进行了比较优化,论证了合理的布置方案.分析结果表明:(1)石英岩脉力学性状及其相对于地下厂房的位置对围岩稳定性影响不明显;(2)f 211是影响厂房区岩体稳定的主要不利地质结构;(3)建议针对f 211出露部位施加相应的支护措施,这样对限制不利地质结构对围岩稳定性的影响将有明显效果.     

系统C(2×2)Na(lS)-Ni(001)的法向光电子衍射谱的计算及Fourier变换分析

计算了系统C(2×2)Nα(1S)-Ni(001)的法向光电子衍射谱,并完成直接Fourier变换分析,求得与固体表面各原子层相对应的各级层距修正值Δ_m~(Nα),与硫原子在相同衬底上形成的相同吸附结构的Δ_n~s相比较,发现它们具有相似的规律性。     

岩滩水电站扩建工程施工总布置设计

岩滩水电站扩建工程是在一期工程的基础上扩建成的,进行施工总布置时可充分利用一期工程施工预留的施工用地、施工工厂及生产生活用房等。该厂房为地下式厂房,地下厂房的开挖施工为工程的关键线路,其施工进度直接影响整个工程的进度,合理的进行地下洞室群的施工支洞布置,是缩短工程的施工工期,产生经济效益的关键。     

硅、锗材料在Si(100)表面的生长研究

利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si(10 0 )表面生长Si,Ge的实验研究。分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质。研究表明 :Si在Si(10 0 )表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜。Ge在Si(10 0 )表面生长形成规则的三维小岛。而在Si/Ge/Si(10 0 )多层膜上生长则形成大小二种三维岛。研究表明大岛具有Ge/Si/Ge的壳层结构