首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   102964篇
  免费   1355篇
  国内免费   1228篇
工业技术   105547篇
  2022年   455篇
  2021年   697篇
  2020年   523篇
  2019年   677篇
  2018年   1129篇
  2017年   1093篇
  2016年   1174篇
  2015年   925篇
  2014年   1489篇
  2013年   4669篇
  2012年   2570篇
  2011年   3843篇
  2010年   3101篇
  2009年   3722篇
  2008年   3896篇
  2007年   4086篇
  2006年   3691篇
  2005年   3331篇
  2004年   3178篇
  2003年   3027篇
  2002年   2673篇
  2001年   2972篇
  2000年   2718篇
  1999年   3077篇
  1998年   9441篇
  1997年   6156篇
  1996年   4769篇
  1995年   3164篇
  1994年   2788篇
  1993年   2725篇
  1992年   1628篇
  1991年   1593篇
  1990年   1518篇
  1989年   1323篇
  1988年   1173篇
  1987年   863篇
  1986年   890篇
  1985年   918篇
  1984年   809篇
  1983年   699篇
  1982年   699篇
  1981年   684篇
  1980年   567篇
  1979年   477篇
  1978年   414篇
  1977年   534篇
  1976年   959篇
  1975年   299篇
  1974年   277篇
  1973年   256篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Bochkareva  N. I.  Ivanov  A. M.  Klochkov  A. V.  Kogotkov  V. S.  Rebane  Yu. T.  Virko  M. V.  Shreter  Y. G. 《Semiconductors》2015,49(6):827-835
Semiconductors - It is shown that the emission efficiency and the 1/f noise level in light-emitting diodes with InGaN/GaN quantum wells correlate with how the differential resistance of a diode...  相似文献   
7.
8.
9.
10.
Spinel LiSr0·1Cr0·1Mn1·8O4 was synthesised by high temperature solid state method in order to enhance the electrochemical performance. The LiSr0·1Cr0·1Mn1·8O4 (LSCMO) materials were characterised by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and electrochemical tests. The XRD and SEM studies confirm that LSCMO had spinel crystal structure with a space group of Fd3m, and the particle of LSCMO shows irregular shape. The cyclic voltammetry data illustrated that the heavy current charge–discharge performance of LMO was improved by Sr2+ and Cr3+ doping. The galvanostatic charge–discharge of LSCMO cathode materials was measured at 1, 5, 10 and 20 C. The results indicated that LSCMO improved the capacity retention.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号