Ti,W,Mo,TiW膜的阻挡性能比较

介绍了Ｔｉ－Ａｕ，Ｔｉ－Ｗ－Ｐｔ－Ａｕ，Ｍｏ－Ａｕ，ＴｉＷ－ＡＵ，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ等多种金属膜分别在４００，４２５，４５０，４７５和５００℃，３０分钟等时退火后的显微镜观察和典型样品的俄歇能谱分析结果。结果表明，Ｔｉ由于在Ａｕ中扩散太快，阻挡性能较差而Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ都有较好的阻挡性能，结合实际应用，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ应是同波功率管的金属化的较佳选择。     

微分脉冲极谱测定痕量铊的研究

在pH值为5~10的范围内,铊(I)与4-吗啉二硫代羧酸钾生成不溶于水的螯合物并定量的吸附在微晶萘的表面上。用15 ml的1.5 mol/L的HCl使该不溶性螯合物脱附溶解后,在滴汞电极(DME)上用微分脉冲极谱(DPP)法测定痕量的铊(I)取得了很好的效果。该分析方法的检测限达到0.025 μg/ml,所测定的铊(I)浓度的线性范围达到0.05~10 μg/ml,标准曲线的相关系数γ=0.999 5,相对标准偏差为±0.90。     

基于虚拟仪器及LabVIEWTM的电化学分析系统构建与应用

介绍了虚拟仪器的概念及其系统组成，对利用虚拟仪器技术及LabVIEW软件构建电化学分析测试软、硬件系统进行了研究。试验结果表明利用虚拟仪器技术构建的电化学分析系统不但能实现常规电化学分析仪的功能，而且系统的灵活性更大、精确度更高，有利于用户自定义仪器的功能，节省购置费用。     

PI调整液除去挠性多层板钻污的工艺参数优化

挠性多层线路板已经厂泛应用在通信、航空航天等领域。但是随着板厚／孔径比的增加，孔金属化工艺越来越难，去钻污不净，沉铜不良，造成产品合格率大大下降。本介绍了挠性板生产的去钻污工艺。通过正交实验方法研究了孔壁凹蚀量与PI调整剂含量、添加剂含量、溶液温度、时间的关系，优化了PI调整液的工艺条件。结果表明：在PI调整剂含量400ml／L、添加剂含量40g／L、时间3min、温度45℃条件下去钻污结果最好。该法应用在2—4层线路板中，获得的孔壁干净，凹蚀量在13μm左右，沉铜层附着力好，大大提高了产吊合格率。     

采用俄歇电子能谱技术分析铂化硅的合金行为

采用俄歇能谱技术分析了铂层厚度,合金温度及表面染色对铂化硅形成的影响,并分析了王水对铂化硅的作用,给出了分析结果.     

FBAR用高质量AlN薄膜制备

采用直流磁控反应溅射法,在基片表面引入RF偏置,在Si(111)衬底上成功制备了(002)向AlN薄膜。使用高分辨率X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜质量。当RF偏置从0 W变化到20 W时,XRD测试(002)摇摆曲线的半高宽有着显著的变化。当RF偏置为15 W时,AlN薄膜表现出了良好的(002)生长取向。实验结果表明,适当的RF偏置能够提高Al原子和N原子反应时的活性,促进AlN薄膜的(002)择优生长。该溅射方案应用于薄膜体声波谐振器(FBAR)谐振器工艺加工,成功制作了Q值为300,机电耦合系数为5%的FBAR样品。     

改善金属电极表面状态的工艺研究

主要讨论了半导体芯片的电镀工艺、金属刻蚀工艺对金属电极表面状态的影响。试验发现,电镀工艺中的电流密度、pH值和刻蚀工艺中的刻蚀方法对金属电极的表面状态有很大影响。通过优化此两个工艺,得到以下结论:当采用小电流密度、高pH值、干法刻蚀加湿法腐蚀的刻蚀方法时,能改善以金为主体的金属电极表面状况,电镀后得到粗细均匀的镀金层,刻蚀后表面没有残留物,大大提高了半导体芯片的镜检成品率。     

双极大功率晶体管背面工艺优化

针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的是背面减薄工艺和背面金属化工艺前的清洗工艺,芯片背表面的状态是影响器件BC正向压降的主要因素,优化后功率晶体管的BC正向压降优于指标要求,提高了批次间芯片参数的一致性,确保了双极大功率晶体管的工作稳定性。     

碳纤维表面金属化工艺研究

介绍了碳纤维表面电镀镍的工艺流程。探讨了碳纤维的去胶方法，通过正交实验方法研究了碳纤维增重率、电阻值变化率与电流强度、电镀时间的关系，优化了电镀镍的工艺条件。结果表明：采用灼烧法在400℃灼烧5min,去胶完全；采用电流强度100mA/dm^2，电镀时间为6min时镀层质量稳定。该法获得的碳纤维镀镍层均匀、致密、表面光亮、结合力强，并具有良好导电性。     

Ti,W,Mo,TiW膜的阻挡性能比较

介绍了Ｔｉ－Ａｕ，Ｔｉ－Ｗ－Ｐｔ－Ａｕ，Ｍｏ－Ａｕ，ＴｉＷ－Ａｕ，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ等多种金属膜分别在４００，４２５，４５０，４７５和５００℃，３０分钟等时退火后的显微镜观察结果和典型样品的俄歇能谱分析结果。结果表明，Ｔｉ由于在Ａｕ中扩散太快，阻挡性能较差，而Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ都有较好的阻挡性能。结合实际应用，ＴｉＷ－Ｐｔ－Ａｕ应是硅微波功率管的金属化的较佳选择。