膜去溶和ICP-MS联用冷焰模式直接测定CMOSⅡ40％_HF中金属离子的含量

文章建立了直接测定半导体二级40％含量氢氟酸(CMOSⅡ40％_ HF)多元素含量的方法.以膜去溶作为进样系统,电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)作为分析仪器,分别采用热焰和冷焰模式分析,首先测定CMOSII 40％_ HF,然后测定以Be、Co、In和Bi作为加标的CMOSII 40％-HF,加标样品测定加标回收率,同时测定Na、Mg、K、Ca和Fe的检出限.实验结果证明该方法具有进样速度快、精密度高等优点,冷焰模式降低了Na、Mg、K、Ca和Fe的检出限,同时降低了CMOSⅡ40％_ HF的检出下限,提高了准确度.膜去溶与ICP-MS联用是快速分析高纯度HF中金属离子的有效方法,膜去溶的使用解决了使用玻璃雾化器和石英炬管时HF无法直接进样的问题,有效地减小了基体干扰,同时冷焰模式提高了碱金属元素的测量精度.     

氢化物发生-原子荧光光谱法测定地质样品中痕量锗结果的不确定度评定

采用氢化物发生-原子荧光光谱法对地质样品中的锗进行测定,根据《测量不确定度评定与表示》,对测定结果进行不确定度评定。分析了不确定度的来源,对影响不确定度的各分量进行量化,并计算得到合成标准不确定度和扩展不确定度。结果表明,最大的不确定度来源于标准曲线的制备过程。当样品中锗的含量为2.0027μg/g时,其扩展不确定度（k＝2）为0.1234μg/g。