首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   9篇
  免费   0篇
数理化   9篇
  2015年   1篇
  2014年   2篇
  2009年   1篇
  2008年   2篇
  2004年   1篇
  2003年   2篇
排序方式: 共有9条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
2.
以N,N-二甲基对溴苯胺为起始原料,利用含氟砌块法,经3步反应合成了α-[4-(N,N-二甲基)苯基]-α-三氟甲基-α-炔丙胺,其结构经1H NMR,13C NMR,19F NMR,IR,MS和HR-MS确证。  相似文献   
3.
在超高真空下,室温下,通入高纯O2,清洁铀铌合金表面就会吸附O2,并解离与表面铀原子结合生成UO2,与表面铌原子结合生成NbO,继续氧化成为Nb2O5;但在高温(673K)时,反应情况截然不同,在氧化过程中,表面上的Nb基本保持为金属态的Nb,U也不能完全氧化为UO2。利用AES研究真空热处理对铀铌合金表面层的影响,将有助进一步丰富铀铌合金的氧化腐蚀机理。  相似文献   
4.
脉冲激光沉积BNT和KNN系陶瓷薄膜的比较研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
利用脉冲激光沉积技术(PLD),在不同的制备工艺条件下,分别在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)系列的Bi0.5(Na0.7K0.2Li0.1)0.5TiO3(BNKLT)和K0.5Na0.5NbO3(KNN)系列的Li0.04(Na0.5K0.5)0.96(Nb0.775Ta0.225)O3(KNNLT)无铅压电陶瓷薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶体结构及表面形貌进行了比较研究.研究结果表明:薄膜的衬底温度、沉积室的氧气压力和薄膜的热处理温度对BNT和KNN薄膜结构和形貌都有较大影响,且影响程度不同;在最佳制备工艺参数下,利用PLD制备的BNT和KNN无铅压电陶瓷薄膜都具有精细的表面结构.  相似文献   
5.
晶核剂对锂锌硅系微晶玻璃析晶及显微结构的影响   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用差热分析方法研究了LZS系玻璃陶瓷的析晶动力学,讨论了晶核剂对微晶玻璃的晶相、显微结构及析晶动力学参数的影响.结果表明:与TiO2相比,P2O5能够更加有效地促进玻璃析晶,但两者效果相差不大.使用不同的晶核剂不会影响玻璃析出的晶相,但使用P2O5作为晶核剂能得到均匀细小的晶体.  相似文献   
6.
以(S)-叔丁基亚磺酰胺和二氟取代酮为原料制得8个二氟甲基取代的叔丁基亚磺酰亚胺(2a~2h);2a~2h与硫叶立德经不对称加成反应合成了12个二氟甲基取代的叔丁基亚磺酰基氮杂环丙烷(3a~3h),其结构经1H NMR,13C NMR,19F NMR,FT-IR和HR-ESI-MS确证。  相似文献   
7.
利用俄歇电子能谱(AES)和二次离子质谱(S1MS)分析了金属铀试样在H2气氛中的初始表面反应。虽然,将铀在H2气氛中加热,可制备出UH3化合物,在523K时该反应是非常迅速的,并能使金属完全反应,由于H2是非常小的分子,它容易透过氧化膜扩散进入金属体内从而形成UH3。但是,UH3在高温是不稳定的,当温度升高后,UH3将分解成U+3/2H2,而H2会从铀中扩散出来。  相似文献   
8.
用离子束技术探讨了Si表面纳米Ti薄膜制备的可行性以及Ti薄膜组织结构与离子束工艺之间的关系。实验进行试样表面预处理、轰击离子能量、离子密度、温度、沉积时间等离子束工艺参数对单晶Si(111)表面沉积的Ti薄膜结构的影响。采用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了Ti膜表面晶粒形貌,并用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子谱仪(AES)分析了Ti膜的结构和成分。由于残余气体的影响,Ti膜发生了不同程度的氧化,随温度升高和轰击离子强度增加氧化愈加明显。  相似文献   
9.
烧结法制备锂锌硅微晶玻璃热处理制度的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
使用烧结法制备了LZS系微晶玻璃.采用差热分析(DTA)、X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜(SEM)等分析手段对该系统微晶玻璃的析晶过程和微观结构进行了研究.通过正交试验讨论了热处理参数对微晶玻璃热膨胀性能的影响.结果表明:随着晶化温度的升高,主晶相由硅酸锂锌转变为石英,晶相含量随之增高;晶体为棒状,随温度升高和时间延长而增大;各参数对热膨胀性影响大小为晶化温度>晶化时间>核化时间>核化温度;可以通过调节热处理工艺参数调节热膨胀系数,热膨胀系数决定于主晶相的热膨胀系数及晶相含量.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号