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1.
报道了采用真空蒸镀的方法制备的MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性.Mn:Bi:Dy(Sm)的投料比为2:1:0.10.薄膜经过退出处理(350—425℃,保温4h)后,具有NiAs型hcp结构,C轴垂直膜面,剩余磁感应强度B=3.4-6.5kG,内禀矫顽力_MH_c≈3-8kOe,最大磁能积(BH)_(max)=13.39MG·Oe.实验发现,薄膜厚度对MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性具有很大的影响.
关键词: 相似文献
2.
High mobility ultrathin ZnO p–n homojunction modulated by Zn_(0.85)Mg_(0.15)O quantum barriers 下载免费PDF全文
The adding of ZnMgO asymmetric double barriers(ADB) in p-ZnO:(Li, N)/n-ZnO homojunction affects the p–n junction device performance prominently. Two different homojunctions are fabricated on Si(100) substrates by pulsed laser deposition; one is the traditional p-ZnO:(Li, N)/n-ZnO homojunction with different thicknesses named as S_1 (250 nm) and S_2 (500 nm), the other is the one with ADB embedded in the n-layer named as Q (265 nm). From the photoluminescence spectra, defect luminescence present in the S-series devices is effectively limited in the Q device. The current–voltage curve of the Q device shows Zener-diode rectification property because the two-dimensional electron gas tunnels through the narrow ZnMgO barrier under a reverse bias, thus decreasing the working p–n homojunction thickness from 500 nm to265 nm. The ADB-modified homojunction shows higher carrier mobility in the Q device. The electroluminescence of the ZnO homojunction is improved in Q compared to S_2, because the holes in p-type ZnO(Li, N) can cross the wide ZnMgO barrier under a forward bias voltage into the ZnO quantum well. Therefore, electron–hole recombination occurs in the narrow bandgap of n-type ZnO, creating an ultraviolet light-emitting diode using the ZnO homojunction. 相似文献
3.
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上沿c轴方向生长单晶Zn1-xMgxO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)研究了膜厚、Mg含量、退火温度及氧气氛等制备工艺对Zn1-xMgxO薄膜的结构、形貌和光学性质的影响.实验结果表明,Mg含量x≤0.15时, Zn关键词:
1-xMgxO薄膜')" href="#">Zn1-xMgxO薄膜
制备工艺
结构
光学性质 相似文献
4.
采用PVA溶胶-凝胶方法,在玻璃衬底上制备了Zn1-xCoxO薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)研究了不同Co含量对其微结构的影响.采用振动样品磁强计(VSM)测量了Zn0.88Co0.12O样品室温下的磁性.采用荧光光谱仪研究了Zn1-xCoxO样品室温下的发光特性,分析掺杂含量对其发光性能的影响,发现随着掺杂含量的增加,蓝光发光峰有一定的红移现象.
关键词:
PVA方法
ZnO
掺杂 相似文献
5.
采用溶胶-凝胶法制备了单轴M型锶铁氧体SrFe12-x12-xCrxxO 1919(x=0—1)超细晶粒.实验结果表明, 随掺杂量x的增大,质量饱和磁化强 度σss在x≤04范围内增大,在x=02附近达到极大值.矫顽力Hcc在x<05的范围 内单调降低,这对于用作高密度磁记录材料非常有利.当x≤04时,样品是单相结构, 在 x=06以后出现非磁性相α-Fe22O3<
关键词:
锶铁氧体
3+')" href="#">Cr3+3+
结构
磁性 相似文献
6.
7.
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上沿c轴方向生长单晶Zn1-xMgxO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)研究了膜厚、Mg含量、退火温度及氧气氛等制备工艺对Zn1-xMgxO薄膜的结构、形貌和光学性质的影响.实验结果表明,Mg含量x≤0.15时, Zn1-xMgxO保持六角纤锌矿结构,0.25≤x≤0.35时为立方结构,经过600℃退火之后,Zn0.75Mg0.25O转化为六角纤锌矿结构;后续退火有利于晶粒长大,一定的氧气氛也有利于减少晶体缺陷和薄膜的c轴应力,但是过量的氧气容易与Mg元素结合形成MgO,不利于ZnO 六角纤锌矿结构的生长.对Zn0.925Mg0.075O薄膜进行荧光光谱分析,分析结果表明缺陷发光峰主要与锌空位、锌位氧(Ozn)或氧间隙(Oi)等缺陷有关,退火可以使紫外发射峰蓝移. 相似文献
8.
采用脉冲激光沉积方法在单晶Si(100)衬底上制备出c轴取向的Zn1-xMgxO单晶薄膜,通过荧光光谱仪研究了薄膜的光致发光特性.实验结果表明,Mg含量增加,Zn1-xMgxO单晶薄膜的紫外发光峰蓝移,发光峰强度减弱,缺陷发光强度增强.同时发现,由于Mg的掺杂,引入了一些束缚能较大的局域束缚态.对于氧气氛下制备的样品,实验发现紫外峰和绿光带发光峰同时增强,但是R值减小,紫外峰红移.对绿光发光机理研究发现,绿光发光带主要与锌空位、氧间隙(Oi)或锌位氧(OZn)等缺陷有关,它是由多个缺陷发光峰组成,各缺陷发光峰强度相对变化导致了绿光发光带的整体移动. 相似文献
9.
采用溶胶-凝胶工艺在玻璃衬底上制备了Zn1-xMgxO(x=0.1,0.2,0.3, 0.4,0.5,0.6,0.7)薄膜.X射线衍射谱(XRD)测试结果发现,在 0.1<x<0.3 范围内,薄膜仍然保持氧化锌六角纤锌矿结构,(002)面衍射峰位向大角度方向移动,超过0.3时出现氧化镁立方相.对镁含量为0.1,0.2,0.3薄膜的光致发光谱研究表明:紫外发光峰随镁含量的增加向短波方向移动.对于Zn0.9Mg0.1O薄膜,在5,5.5和6℃/min的升温速率下,升温速率越快结晶程度越好.在相同升温速率下,随着退火温度从500 ℃升高到560 ℃,样品的结晶程度变好,当退火温度达到590 ℃时,结晶质量下降.
关键词:
氧化锌
结构
禁带宽度
光致发光谱 相似文献
10.
通过溶剂热反应合成了Fe3O4空心微球.采用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构和形貌进行了表征.结果表明,所制备的单分散Fe3O4空心微球为立方多晶结构,其直径约400 nm,是由约40 nm纳米颗粒组装而成.用振动样品磁强计(VSM)测量了Fe3O4空心微球的室温和变温磁性.室温磁滞回线表明不同反应时间所得产物均表现为良好的亚铁磁性,其饱和磁化强度Ms随反应时间的增加先升后降.由反应时间为12 h所得的Fe3O4空心微球在1000 Oe下的M-T曲线测得其居里温度为778 K,并测得其在外磁场H=5000 Oe场冷却至液氮温度再升至不同温度(100 K,200 K,300 K)时的磁滞回线,发现不同温度时测得的Fe3O4空心微球磁滞回线都是左右对称的,没有明显的交换偏置效应,且随测量温度增加,其饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc均降低. 相似文献