纳米TiO_2半导体催化活性的研究进展

纳米TiO2半导体催化技术具有广阔的应用前景,近年来半导体光催化已成为功能陶瓷材料、光化学、环境保护、生物技术等领域的研究热点之一。本文简要介绍了近年来国内外纳米TiO2半导体光催化剂的研究进展,主要包括纳米TiO2光催化剂的作用机理及结构的影响;提高催化活性的方法,指出了表面贵金属沉积、复合半导体、金属离子掺杂和表面光敏化是提高催化活性和催化效率的有效途径。     

微波介质陶瓷及其展望

综述了微波介质陶瓷材料的特性和发展现状，介绍了几种重要的微波介质陶瓷体系，讨论了微波介质陶瓷性能的影响因素，指出了改善其性能的途径和微波介质陶瓷的预期进展。     

Bi4Ti3O12掺杂中温烧结(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷

研究了Bi4Ti3O12掺杂量(≥8%,质量分数)对(Ba,Sr)TiO3(Barium Strontium Titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Bi4Ti3O12掺杂量与BST陶瓷性能的关系,得到中温烧结(≤1150℃)、高压(≥6.99MV/m)、低损耗(0.008)、符合X7R特性的多层陶瓷电容器瓷料.借助扫描电镜(SEM)研究了Bi4Ti3O12对BST陶瓷微观结构的影响,探讨了Bi4Ti3O12掺杂量对BST陶瓷性能和结构影响机理.结果表明Bi4Ti3O12是通过与BST形成核-壳结构、形成玻璃相、偏析晶界及抑制晶粒生长、改善介温特性等来影响瓷料性能和结构的.这些结果为Bi4Ti3O12掺杂改性BST电容器陶瓷提供一定的依据.     

CaTiO_3掺杂对BST铁电电容器陶瓷性能的影响

采用固相法制备了CaTiO3掺杂的(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)陶瓷,研究了CaTiO3掺杂量对BST电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响。结果表明:随着CaTiO3掺杂量的增加,BST陶瓷的相对介电常数(εr)先增大然后减小然后增大,介质损耗(tanδ)和交流耐压强度(Eb)先增大然后减小。当CaTiO3掺杂量为摩尔分数10%时,BST陶瓷的综合介电性能较好:εr为4480,tanδ为0.022,Eb为5.8×103V/mm(AC),容温特性符合Y5U特性。     

超细（Ba,Sr,Cd）TiO3基多层陶瓷电容器陶瓷的研究

采用溶液-溶胶-凝胶法制备(Ba0.70Sr0.25Cd0.05)TiO3纳米粉体,利用所得到的纳米粉体研究了(Ba0.70Sr0.25Cd0.05)TiO3基多层陶瓷电容器用超细陶瓷的制备.对比研究了超细电容器陶瓷和传统固相法电容器陶瓷的性能.采用扫描电镜分析了两种方法得到的陶瓷的显微结构.结果表明:采用纳米粉体制备的(Ba0.70Sr0.25Cd0.05)TiO3基电容器陶瓷具有晶粒尺寸约为1μm,其性能为:介电常数为140 9.44,介质损耗为0.017 5,陶瓷的密度是5.22 g*cm-3,烧结温度为1300 ℃,大大降低了烧结温度,比传统固相法的陶瓷性能有较大的改善.     

贱金属内电极多层陶瓷电容器产业研发现状

经过30多年的发展，贱金属内电极多层陶瓷电容器(BME—MLCCs)已经成为多层陶瓷电容器的主流产品。由于采用镍铜内电极产品的材料成本低，市场竞争力强，已经成为国内外贱金属内电极多层陶瓷电容器产业研发的发展方向，我国国内的BME—MLCCs行业还存在一些问题，如何加快BME—MLCCs技术的发展，推动该项技术的国产化，研究具有我国自主知识产权的陶瓷介质材料和贱金属内电极浆料系统，立足国际BME—MLCCs现有的高起点，尽快赶上和超过国际先进水平，为我国信息产业生产出更多更好的BME—MLCCs已迫在眉睫。     

Dy2O3掺杂对(Ba,Sr)TiO3基高压电容器陶瓷性能的影响

研究了(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷中掺杂稀土氧化物Dy2O3对材料介电性能的影响,得到了Dy2O3影响其性能的规律,即随着Dy2O3加入量的增加材料的介电常数开始增大随后减少,当W(Dy2O3)=0.5%时介电常数最大,而介质损耗逐渐减少.得到了介电常数为5245,介质损耗为0.0026,耐压为5.5kV/mm的高压低损耗陶瓷电容器瓷料.探讨了Dy2O3掺杂改性的机理.这些结果为Dy2O3掺杂改性电容器陶瓷提供依据.     

Dy203掺杂(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷的研究

采用单因素变量法研究了(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷中掺杂稀土氧化物Dy2O3对材料介电性能的影响,得到了Dy2O3影响其性能的规律,即随着Dy2O3加入量的增加材料的介电常数开始增大随后减少,当W(Dy2O3)=0.5%时介电常数最大,而介质损耗逐渐减少.得到了介电常数为5245,介质损耗为0.0026,耐压为5.5kV/mm的高压低损耗陶瓷电容器瓷料.利用SEM分析了不同Dy2O3加入量样品的表面形貌.结果表明Dy2O3有强烈的偏析晶界、抑制晶粒生长和细晶、形成固溶体等来影响BST性能.这些结果为Dy2O3掺杂改性(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷提供依据.     

三种不同SrCO_3粉料对空气中一次烧成SrTiO_3GBBLC的性能影响

借助XRD、SEM、粒度分析仪,研究了三种常用的不同SrCO_3粉料对空气中一次烧成晶界层电容器(GBBLC)性能的影响。研究结果表明,当SrCO_3中含有多量的受主杂质离子(如Ca~(2 )等)或/和呈严重颗粒团聚状态,阻止GBBLC陶瓷的半导化,从而影响其介电性能。     

三种无铅高压陶瓷电容器瓷料的研制

通过正交实验，分析讨论了Ｂｉ２Ｏ３．３ＴｉＯ２，Ｋ２ＣＯ３，ＭｇＯ等四种添加物对（Ｓｒ，Ｂａ）ＴｉＯ３基电容器瓷料性能的影响，试制了三种无铅高压电容器瓷料，耐压超过８ＫＶ／ｍｍ，主要性能均已达国际ＧＢ５５９５－８５。