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利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K. 相似文献
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静电探针测量射频感应耦合等离子体密度 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了一种可以测量射频感应耦合等离子体密度的静电探针方法,并给出了它的测量原理,实验方法和实验结果。实验结果表明:所测等离子体密度反映了等离子体的特性,并且诊断手段简单、易行,为等离子体诊断提供了一种很好的实验手段。 相似文献
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文章分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素,在此基础上,设计了一套由80C31单片机为核心的光电隔离电路和PC机组成的两级系统,用于GaN薄膜外延生长的工艺流程监控,并提出了一种合适的工艺流程监控策略。 相似文献
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(001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面 总被引:7,自引:3,他引:4
用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积(ECR-PAMOCVD)法,在低温条件下,在(001)GaAs衬底上异质外延,生长了立方晶GaN薄膜.高分辩电镜(HREM)观测与X射线衍射(XRD)测量结果表明:GaN薄膜具有典型的闪锌矿结构;三种方法测得其晶格常数为0.451~0.457nm;在GaN/GaAs界面处的生长模式为异质外延;GaN薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错;随着远离界面,GaN中位错密度与镶嵌组织迅速减少. 相似文献
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采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了高度C轴择优取向的多晶GaN薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED),X射线衍射(XRD)对样晶进行检测,研究了在低温(430℃)沉积中氮气流量对GaN薄膜结品性的影响.并且利用原子力显微镜(AFM)和室温光敏发光(PL)谱研究了薄膜的表面形貌和发光特性,发现薄膜表面形貌较为平整,其发光峰由较强的紫外近带边发光峰和极其微弱的绿光发光峰组成. 相似文献
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西文DOS下监控软件的C语言设计与实现 总被引:2,自引:0,他引:2
分析了实时监控系统软件的特点,提出了西方DOS下微机监控软件中一些关键技术的编程方法和程序实现,包括键盘输入、快速图形操作、过程数据趋势图显示、汉字显示等功能,以上程序实现简单,实现运行效果良好。 相似文献