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1.
2.
3.
采用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs/AlGaAs单量子阱和多量子阱材料.采用GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷,获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器.波长为778nm的激光器,最低阈值电流为30mA,室温下线性光功率大于20mW. 相似文献
4.
本文通过高分辨电子能量损失谱(EELS)的实验分析与密度泛函计算相结合的方法,研究了NaxCoO2·yH2O系统的电子结构特性和电子关联效应.实验结果表明,金属性Na0.3CoO2材料和电荷有序绝缘体Na0.5CoO2的O-K吸收边存在明显的结构差别,在Na0.5CoO2的EELS中第一个峰发生明显分裂,密度泛函计算证实这种分裂现象和电子关联效应直接相关.通过理论模拟谱线与实验谱线的比较确定了其电子关联强度为U=3.0 eV.在Na0.3CoO2·yH2O(y=0,0.6,1.3)超导体系中,实验发现其能损谱的低能部分随着水含量的增加发生系统的变化,损失峰向低能量方向逐步移动.电子结构计算表明水分子的插入可以引起费米面附近能态原子轨道杂化情况的改变,从而导致EELS的变化. 相似文献
5.
通过浸泡腐蚀实验、SEM、TEM和元素面扫描,研究了人工时效对7055铝合金晶间腐蚀行为的影响。结果表明:合金在120 ℃时效时,晶界析出相优先发生腐蚀;而在400 ℃时效时,晶界析出相周围铝基体优先发生腐蚀。TEM及元素面扫描结果显示,合金在120 ℃时效时,随着时效时间的改变,由于晶界析出相粗化、析出相间距加宽以及晶界析出相Cu含量的提升,导致合金腐蚀形貌由典型晶间腐蚀形貌向点蚀形貌转变。合金在400 ℃时效时,Cu元素几乎都偏聚于晶界析出相中,周边基体贫Cu,晶界析出相腐蚀电位反而高于基体,导致晶界周边基体腐蚀为主导的晶间腐蚀形貌。 相似文献
6.
Cu-Cr-Zr合金时效析出相的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用高分辨电子显微镜(HRTEM)及系列欠焦像出射波函数重构技术,探明了在大气环境下,Cu-Cr-Zr合金峰值时效时存在氧化物析出相。研究结果表明:Cu-Cr-Zr合金经950℃×1.5 h固溶处理、450℃时效6 h硬度达峰值;此时样品中除早期的具有花瓣状应变场衬度的共格析出相外,另一类强化相为圆盘状形貌的CuCrO2;该氧化物析出相为三方晶系,空间群为R 3 m(166),与基体具有特定取向关系:[011]Cu//[010]CuCrO2,(111)Cu//(003)CuCrO2,惯习面为{111}Cu。 相似文献
7.
矿井水深度处理采用了反渗透工艺,为使出水能够作为煤矿生产和生活用水,分析了活性氧化铝的投加量、吸附时间、pH对Ca2+吸附的影响。结果表明:随着pH的增大、投加量的增加和时间的延长,Ca2+的去除率均增加,并到一定程度时达到吸附平衡。吸附等温线可用Langmuir等温线描述,用于去除矿井水中Ca2+,并为工业水处理中高钙离子的去除提供重要方法。 相似文献
8.
高分辨电子显微术(HRTEM)已广泛应用于材料结构的测定,且分辨率已达到原子尺度。特别是近年来球差校正电子显微术的发展大大增加了获取各种材料结构原子像的可行性。然而,球差校正的高分辨电子显微像并未像人们期望的那样以信息分辨极限的分辨率直接反映材料结构,它们仍需要配以计算像模拟或图像处理技术才可给出可靠的结构信息。 相似文献
9.
采用脉冲激光沉积方法,在(001)LaAlO3上沉积CaBaCo2O5+δ多晶薄膜,用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对基体和薄膜的微观结构进行观察,并探讨了薄膜的生长机制以及改善薄膜质量的可能工艺。结果表明,(1)LaAlO3基体中存在位错、孪晶等缺陷,且孪晶类型以(100)楔形孪晶为主;(2)CaBaCo2O5+δ薄膜为多晶薄膜,薄膜底部保留了薄膜生长过程中的初始晶粒结构,晶粒大小约5~8 nm,厚度约为5~7 nm。薄膜顶层的晶粒较大,约为11~16 nm。 相似文献
10.
研究2026铝合金在温度为300-450°C和应变速率为0.01-10s-1的变形条件与固溶时效热处理后微观组织之间的关系。结果表明:热处理后的再结晶和析出特性与热变形时的温度补偿应变速率Z有关。在低Z条件下,热处理后会形成少量细小的再结晶晶粒,热变形过程产生的高角度亚晶粒和粗大析出物被保留下来;高Z条件下,热处理后会产生大量细小等轴晶再结晶晶粒,热变形过程产生的高密度晶胞和相对细小的动态析出物被热处理后完整的亚晶粒和相对粗化的析出物所替代。热处理后的平均再结晶晶粒尺寸随着Z值的增加而减小。建立两者的定量关系式。 相似文献