热等静压纯钒性能研究

采用热等静压技术(HIP)制备纯钒,利用动态拉伸,扫描电镜(SEM)、金相(OM)及TGA测试分析材料的动态损伤行为、焊接性能及高温氧化性能。结果表明动态拉伸应变率在100~1200s-1范围内,极限拉伸强度σb在400~700MPa且随应变率增加而呈下降的趋势;焊后漏率约为1×10-9Pa.m3/s,晶粒没有明显长大,焊池越深气孔明显减小;高温氧化符合抛物线规律,氧化激活能118kJ/mol,高温环境下易形成粉状腐蚀。     

纯钒制备及其性能

采用热等静压(HIP)技术制备纯钒,利用材料试验机、OM、SEM、TEM和TGA等测试纯钒的力学性能并观察其拉伸断口形貌、进行热重分析.结果表明:热等静压温度在1250 ℃以上可以实现全致密化;随温度的升高,抗拉强度、屈服强度均先降低后增加,延伸率及断面收缩率呈相反趋势变化,在1250 ℃综合性能最佳,抗拉强度、屈服强度分别为701,634 MPa,延伸率为22.4%;断口形貌表现出滑断、微孔聚集等不同的断裂方式,不同温度制备的纯钒试样晶粒大小没有显著变化,均观察到板条马氏体组织存在; 氧化行为符合抛物线规律,活化能为118 kJ/mol.     

无烧结助剂SiC陶瓷的高压烧结研究

以纳米SiC为原料,用两面顶压机在不同工艺条件下(1100-1300℃,4.0-4.5GPa,20-35min)实现了无烧结助剂添加的SiC陶瓷体的烧结.研究了烧结工艺对SiC陶瓷性能的影响.用XRD、SEM、显微硬度测试仪等对SiC高压烧结体进行了表征.结果表明:采用超高压工艺可实现无烧结助剂SiC陶瓷高致密化烧结;烧结体晶粒长大得到抑制,维持在纳米级,晶格常数收缩发生了收缩;烧结体显微硬度和密度随烧结温度、烧结压力、保温时间的升高或延长而提高.在4.5GPa/1250℃/35min的超高压烧结条件下烧结的无烧结助剂SiC致密度达到96%,且显微硬度达到Hv1.96 3850.     

MultiGenCreator城市场景模型的构建

近年来，随着虚拟现实技术迅速发展，城市场景及地形视景仿真建模得到广泛应用。本文根据视景仿真对建模的要求和特点，论述了如何利用专业实时三维建模软件MuhiGenCreator构建城市场景仿真模型。     

纳米SiC陶瓷的超高压烧结研究(英文)

以纳米SiC为原料,用两面项压机在不同工艺条件下(1 000～1 300℃,4.0～4.5 GPa,15～35 min)实现了40(质量分数,下同)Al2O3烧结助剂添加的SiC陶瓷体的烧结.研究了烧结工艺对SiC陶瓷性能的影响.用X射线衍射、扫描电镜、显微硬度测试仪等对SiC高压烧结体进行了表征.结果表明:Al2O3是有效的低温烧结助剂,在超高压工艺下添加4%Al2O3即可实现SiC陶瓷全致密化烧结;烧结体晶粒长大得到抑制,维持在纳米级,晶格常数收缩了约0.45%;烧结体显微硬度和密度随烧结温度、烧结压力的升高或保温时间的延长而提高.     

一起直流系统假接地现象的分析

变电站直流系统的稳定运动对整个电网的安全运行至关重要。最常见的故障为直流接地,直流系统出现接地故障,排除后即可恢复正常运行,一般不会出现反复接地。本文介绍了一起不常见的直流接地异常现象的查找处理过程及分析的理论依据,对异常现象给出了合理解释。     

浅析消弧线圈的一些问题

简要介绍了消弧线圈的发展和在电网中的作用,探讨了评价消弧线圈性能的几个技术指标,尤其是消弧线圈接地方面,较详细地分析了串联线性阻尼电阻和串联非线性阻尼电阻各自的优缺点,得出了消弧线圈串联大功率非线性阻尼电阻,更有利于快速熄弧和消除谐振的结论。     

山区高速公路桥梁设计

本文结合山区高速公路施工图设计实践，简述山区高速公路桥梁的设计要点。     

Be/CLAM钢热等静压连接界面特性及力学性能

以AgCu28合金作为过渡层材料,采用热等静压（HIP）方法进行Be／CLAM钢（中国低活化马氏体钢）的扩散连接。利用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）及剪切试验分析了接头的扩散层显微组织、元素分布和力学性能。研究表明：采用AgCu28合金作为过渡层材料,在900℃,160MPa,2h条件下能够实现Be／CLAM钢的扩散连接;AgCu28合金过渡层材料能有效地减少铍、CLAM钢母材间的元素互扩散,防止了Be-Fe等脆性金属间化合物的大量生成。接头质量较好,剪切强度达180MPa。     

氧化铝添加量对超高压烧结碳化硅性能的影响

以纳米SiC为原料,用两面顶压机在4.5 GPa/1 250 ℃/20 min条件下实现了不同Al2O3烧结助剂添加量(0～7%,质量分数,下同)的SiC陶瓷体的烧结.研究了烧结助剂含量对SiC陶瓷性能的影响.用X射线衍射、场发射电子显微镜、能谱分析、显微硬度测试对SiC高压烧结体进行了表征.结果表明:Al2O3是有效的低温烧结助剂,在超高压工艺下添加2%Al2O3即可实现SiC陶瓷全致密化烧结;烧结体晶粒长大得到抑制,晶格常数收缩了约0.45%;烧结体显微硬度随Al2O3含量升高而有所提高.