BEHAVIOUR OF FLUORINE IN BLAST-FURNACE SMELTING Ⅱ.SMELTING PAO-TOU IRON ORE IN AN EXPERIMENTAL BLAST-FURNACE

为了研究包头铁矿的冶炼特性及由于矿石含氟所引起的一系列问题起见,我所于1955年11月筹建了有效容积约为1米~3的实验高炉一座及全部附属设备。1955年11月30日至12月8日及12月20日至12月24日进行了二次试炉。经过设备上的改进后,于1956年1月20日至2月11日及4月23日至5月29日进行了二次冶炼试验,获得设计上所要求的的主要数据后停炉。在实验高炉冶炼试验期间并进行了4次物质平衡的试验。结果发现绝大部分的氟进入炉渣中,进入炉尘中的氟石多,而高炉煤气中的氟极低.     

高爐型釱渣的粘度、熔化性和矿物组成

报告了CaO-SiO_2-TiO_2-Al_2O_3-MgO系熔渣的粘度及熔化性,并考察了还原条件下温度、熔渣組成以及Ti_2O_3和含碳量对粘度变化的影响。結合粘度測定,較詳細地研究了高溫还原条件下钛渣的矿物組成。根据实驗結果,討論了钛渣性貭与高炉冶炼的关系。     

氟在高炉冶炼中的行为——Ⅱ.包头铁矿的实验高炉冶炼试验

为了研究包头铁矿的冶炼特性及由于矿石含氟所引起的一系列问题起见,我所于1955年11月筹建了有效容积约为1米~3的实验高炉一座及全部附属设备。1955年11月30日至12月8日及12月20日至12月24日进行了二次试炉。经过设备上的改进后,于1956年1月20日至2月11日及4月23日至5月29日进行了二次冶炼试验,获得设计上所要求的的主要数据后停炉。在实验高炉冶炼试验期间并进行了4次物质平衡的试验。结果发现绝大部分的氟进入炉渣中,进入炉尘中的氟石多,而高炉煤气中的氟极低.     

磁场在LEC法生长GaAs晶体中的应用

本文介绍了近年发展的在LEC法中应用磁场生长GaAs单晶的研究结果。对磁场应用的原理、设备及用于GaAs单晶生长作了较详细的论述。其中着重阐明了采用超导磁场生长半绝缘晶体的实际效果,指出施加磁场是生长均匀性和完整性良好的、符合集成电路要求的、大直径SI-GaAs晶体的有效措施之一。     

GaAs中子嬗变掺杂的初步研究

采用未掺杂的GaAs晶体进行了中子嬗变掺杂试验.热退火处理能有效地消除辐照引入的晶格损伤.辐照后的晶体经800℃在氢气气氛下处理2.5小时,掺杂浓度与预期掺杂量接近.采用电化学C-V法测定掺杂均匀性,结果表明掺杂浓度的相对标准偏差小于5％.     

半绝缘GaAs单晶中的微沉淀

利用 JEM-200CX 透射电子显微镜观察了原生未掺杂及掺铟的半绝缘 GaAs 单晶中的微沉淀相,发现含位错的晶体中均有 GaAs 的微多晶粒沉淀相,大小在5～100nm 不等。根据 EDXA 分析,这些微多晶粒是富砷的 GaAs,富砷的程度掺铟的比未掺的严重。沉淀相可能是由于晶体生长时,生长界面局部组份过冷所引起。     

GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析

中子嬗变掺杂是一种新掺杂方法,能将掺杂剂均匀分布引入晶体内。如GaAs在热中子作用下其同位素被激活为放射性核素,β衰变后变成稳定的Ge和Se,在此晶体作为施主杂质。辐照中晶格原子受到高能粒子的反冲,使晶格结构紊乱,经退火得到恢复后,杂质原子才能起载流子作用。将未掺杂的GaAs单晶在轻水堆中照射,冷却后的晶体按〈100〉定向切片,经抛光清洁处理后在氢气氛下进行等时(30分钟)不同温度400—800℃的热退火。利用1.5MeV     

氟在高炉冶炼中的行为——Ⅰ.氟对高炉型熔渣粘度、熔化性及脱硫力的影响

在本文中,我们报告了含氟高炉型熔渣的的粘度、熔化性和脱疏力的研究结果。所用熔渣包括坩埚冶炼渣与合成渣,含氟化钙最高达40.7%。试验数据指出氟能显著地降低熔渣的粘度与熔化温度,但对硫在渣、铁间的平衡分配影响较小。因此作为初步估计,在计算硷度时可以将氟化钙视为中性。根据本文试验结果,我们从熔渣的离子结构观点讨论了氟影响熔渣性质的机理。     

CALCULATION OF ACTIVITIES IN In-As AND Ga-As SYSTEMS

本文用变通的Gibbs-Duhem关系式,通过θ函数进行积分变换,并根据相图,结合化合物生成自由能与温度的关系式,得到了一个判别生成自由能是否准确的方法.然后据此对有关数据进行了选择,并计算In-As,Ga-As两个二元系中组分的活度.与文献数据相比较,本文结果较为合理.     

第七届国际晶体生长会议在西德召开

第七届国际晶体生长会议于1983年9月12日至16日在西德斯多加德召开。参加会议的代表来自近30个国家共300多人。我国有16名代表参加。会议共收到论文460多篇,其中包括我国学者提交的论文32篇。论文内容十分广泛,涉及的晶体种类很多,但有关硅和Ⅲ—Ⅴ族半导体材料的大会报告有4篇,占大会报告总数的66％;一般论文有125篇,占总论文数的27％左右。我国被接受的半导体材料方面