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空穴载流子在多晶p-ZnO薄膜中的输运特性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
利用变温霍尔测量技术,研究了空穴载流子在Li和N双受主掺杂的p型ZnO多晶薄膜中的输运特性。实验结果和理论模型的比较研究表明:当温度在85~140K时,空穴载流子主要受晶界散射;当温度在140-300K时,空穴载流子主要受晶格振动散射、位错散射和电离杂质散射的共同作用。 相似文献
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用汽相传输法制备了氧化锌(ZnO)纳米线,并在室温条件下,测量了在不同波长光的激发下,样品的光致发光谱.实验结果表明,当用325 nm的光激发ZnO纳米线时,观察到峰值波长约为392 nm的紫光峰峰值强度强,峰值波长约为445 nm的蓝光峰峰值强度较弱和峰值波长约为486 nm的蓝绿光峰峰值强度弱;当增加激发光波长到380 nm时,发射光谱变成峰值波长约为520 nm的半高宽较宽、峰值强度较强的带状光谱.同时对发光峰产生的机理进行了分析. 相似文献
3.
王相虎 《上海电机学院学报》2013,(6):310-313
利用HF和AgNO3混合液刻蚀制备出n型硅纳米颗粒,并将其应用到纳米薄膜太阳能电池。结果表明,随着酸刻蚀时间的延长,硅纳米颗粒的尺寸不断减小,当刻蚀时间为35min时,其尺寸平均值为80nm。将n型硅纳米颗粒作为太阳能电池的窗口材料制备出纳米薄膜太阳能电池器件,发现19型硅纳米颗粒尺寸对太阳能电池的光电转换性能也有明显的影响,随着n型硅纳米颗粒尺寸的减小,太阳能电池的光电转化效率不断提高。 相似文献
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复合喷丸工艺对S30432钢表面应力与组织的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用扫描电镜、X射线衍射仪研究喷丸形变处理工艺对S30432钢表面残余压应力分布与组织结构变化的影响,分析了不同喷丸工艺下表面残余应力的分布特征。结果表明,采用钢丸与陶瓷丸复合喷丸工艺,材料表面残余压应力约为-520 MPa,而最大残余应力值在距表面大约0.02 mm处,其值约为-550 MPa;采用单一钢丸的喷丸工艺,表面残余压应力约为-400 MPa,距表面大约0.06 mm处残余压应力达到最大值,约为-500 MPa。喷丸后在形变层形成许多位错墙并将组织分割为细小的位错胞。 相似文献
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介绍了一维Al掺杂的ZnO(Al-ZnO)纳米结构材料的制备,研究了该材料体系的电极设计与优化。结果表明,适合于这种材料的电极为Au/Ni双层金属膜,经过在Ar和N2气氛中分别退火处理后,Au/Ni双层金属膜与Al-ZnO纳米结构材料的接触电阻得到明显降低,并且在Ar气氛中退火要好于在N2气氛中退火。 相似文献
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退火气氛对ZnO:N薄膜的光电性质影响 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了退火气氛对ZnO:N(氮掺杂的氧化锌)薄膜的光电性质影响.结果发现,n型电导原位生长的ZnO:N薄膜样品,经过600.C02气氛下退火后,样品A表现为P型电导特征;而经过600°CN2气氛下退火后,样品B仍然表现为n型电导特征.低温光致发光光谱(PL)测试表明,样品A和样品B的发光光谱最大的差别为样品A的低温发光光谱中具有与受主相关的发光峰,峰位位于3.348 eV;样品B的低温发光光谱中具有与施主相关的发光峰,峰位位于3.358 eV. 相似文献
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量子信息学是物理学与信息学交叉而形成的一门新兴学科。论述了其建立的理论基础——量子态的纠缠现象,介绍了量子计算机、量子密钥、量子隐形传态等相关高新技术,分析了今后的研究方向,以期对该学科有全面的了解。 相似文献
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研究了用气相输运方法制备ZnO纳米结构时,生长温度对ZnO纳米形貌的影响。当生长温度在400℃时,获得的是ZnO纳米锥,它们紧密结合在一起,形成了纳米锥薄膜;当生长温度升至450℃时,获得的是在ZnO纳米片上生长着杂乱无章的纳米线的双层结构;当生长温度升至480℃时,获得的是单一没有规则的ZnO纳米线;当生长温度升至560℃时,获得的是ZnO纳米片。试验结果表明:温度决定了ZnO纳米形貌特征。 相似文献
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运用发展的Ford-Kac-Mazur方法对一维无序非谐振链的热传输特性进行了研究,从中得到了热导k率与系统大小(N)之间满足关系式k-Na。并且分别在自由边界条件及固定边界条件下得到k与N之间满足k~N^1/2。和k~N^-1/2的结论,由此得出动量是决定反常热传导的关键因素。同时,通过对不同温度下对线性及非线性系统热导率的比较发现二者之间存在较大的差别。 相似文献