多孔CuAlMn形状记忆合金的制备及其压缩特性

首次以NaCl颗粒为造孔剂利用烧结-脱溶法成功制备出了多孔CuAlMn形状记忆合金,并对其宏、微观形貌特征及压缩性能进行了研究.结果表明多孔CuAlMn形状记忆合金为三维贯通的开孔网络结构,孔洞分布均匀,孔的大小、形貌与氯化钠颗粒相似.多孔CuAlMn形状记忆合金试样的准静态压缩应力-应变曲线分为明显的弹性区、平台区及致密化区3个区域.长而平的平台区表明多孔CuAlMn形状记忆合金具有良好的压缩吸能特性.     

Cu基电触头用掺杂SnO2纳米粉体的制备

利用溶胶-凝胶工艺制备了Cu基电触头用TiO2掺杂SnO2纳米粉。实验时,首先采用TG-DSC方法对掺杂SnO2前驱体在升温过程中的转变过程进行了分析,然后采用XRD对不同温度焙烧所得掺杂SnO2粉体进行了物相分析、颗粒粒径计算,采用TEM对掺杂SnO2粉体的微观形貌进行了观察,最后通过分析掺杂SnO2粉体晶格参数d值的变化对粉体的掺杂效果进行了评估。结果表明:通过所述工艺成功实现了TiO2对纳米SnO2的掺杂,500℃焙烧所得掺杂SnO2为圆球形,粒径约为10 nm,较好地满足Cu基电触头材料使用的需求。     

以NaCl为造孔剂制备开孔多孔铜的孔隙形貌及压缩性能

以NaCl颗粒为造孔剂,采用烧结-脱溶法制备了开孔多孔铜,对其孔隙及压缩性能进行了研究.结果表明:所得多孔铜的孔隙多为三维贯通开孔网络结构,孔的形貌与大小均与NaCl颗粒相似;其弯曲断口呈现典型的韧性断裂特征;其压缩应力-应变曲线分为明显的弹性区、平台区及致密化区3个区域,压缩变形遵循逐层坍塌的机制,具有较好的压缩吸能...     

烧结-脱溶法制备多孔CuAlMn形状记忆合金

首次利用烧结-脱溶法以NaCl颗粒为造孔剂成功制备出了多孔CuAlMn形状记忆合金,并对其进行了物相分析,宏、微观形貌观察及马氏体相变行为的研究。结果表明所得多孔CuAlMn形状记忆合金中孔洞分布均匀,且相互连通。材料的弯曲断口表现出一定韧性断裂特征,且可以看出合金粉末颗粒间结合呈冶金结合,无单独、分离的合金粉末颗粒存在,说明多孔合金的烧结质量较高。热处理后的合金组织为全马氏体相,DSC曲线上出现明显的吸、放热峰,表明其马氏体相变行为良好。     

Gr/Cu基SMA复合材料的阻尼行为

运用气压渗流法制备出了宏观石墨颗粒增强的形状记忆合金样品, 并利用多功能内耗仪对材料的阻尼行为进行了研究。发现在内耗-温度谱上有2个内耗峰, 分别出现在160 ℃和325 ℃左右。经分析后认为, 低温峰由孪晶细化引起, 高温峰则为马氏体相变峰。石墨颗粒加入后, 材料的相变内耗峰降低, 但背底内耗提高, 即材料的整体阻尼本领提高。根据测量结果, 对材料可能的阻尼机制进行了讨论。     

Al-10Nb-3Ce-2.5B孕育剂对Zn-Al共析合金显微组织、阻尼和拉伸力学性能的影响（英文）

制备一种新型Al-10Nb-3Ce-2.5B孕育剂,并系统研究其对锌铝共析(ZA22)合金显微组织、阻尼和拉伸力学性能的影响。结果表明,该孕育剂对ZA22合金中的α相具有显著的细化作用(α相最低可被细化至约16μm),并可使得α相的形貌从粗大枝晶状转变为细小花瓣状。通过边-边匹配晶体学模型(E2EM)建立孕育剂中CeB₆和NbB₂颗粒与α相之间的位向关系(ORs),并基于该E2EM模型揭示孕育剂对ZA22合金的细化机理。与未细化ZA22合金相比,孕育细化ZA22合金的高温阻尼性能,特别是逆共析转变阻尼峰得到显著提升。此外,孕育细化ZA22合金的室温拉伸力学性能也得到了显著提高,具有最佳细化效果的ZA22合金的抗拉强度和伸长率分别比未细化ZA22合金的高18.56%和119.04%。对相关机理进行了讨论。     

ZnO_p/Cu复合材料的制备工艺与物理性能的研究

采用粉末冶金法制备含不同质量分数ZnO的铜基复合材料,并对材料的密度、硬度和电导率进行考察.结果表明,与相同工艺制备的紫铜相比,复合材料的硬度有很大程度的提高,而电导率降低不明显.随着ZnO质量分数的增加,材料的密度和电导率都呈下降趋势,而硬度先增大后减小.当ZnO含量为10%时,复合材料具有最好的综合性能,密度达98%以上,HV硬度、电导率分别达980 MPa和41.5 MS/m.     

高质量GaN薄膜生长工艺的研究进展

概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理,从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN基半导体薄膜生长的最新研究和进展,并对其优缺点进行了分析比较,认为发展同质外延将有希望解决现在异质外延生长中存在的问题,最后展望了GaN基薄膜同质外延生长的前景.     

Cu包覆纳米Al_2O_3复合粉体的化学镀法制备

纳米Al2O3的力学性能优异,是一种理想的Cu基纳米复合材料的增强体,然而其与Cu基体的润湿性较差。为了改善其与Cu基体的润湿性,增强界面的结合力,通过化学镀工艺在其表面镀Cu,并采用SEM、TEM、XRD和EDS系统研究了镀液中络合剂及还原剂类型、镀液温度及施镀条件等重要因素对化学镀过程、镀膜质量的影响,进而优化了施镀工艺,获得了粒径均一、分散良好的Cu包覆纳米Al2O3复合粉体,为A12O3/Cu纳米复合材料的制备打下了良好的基础。     

淬火温度对铜铝锰形状记忆合金两个内耗峰的影响

利用倒扭摆内耗仪研究了淬火温度对Cu-11.9Al-2.5Mn形状记忆合金升温过程中两个内耗峰的影响.结果表明：高温峰源于逆马氏体相变,低温峰则由孪晶畴的细化所引起.低温峰在淬火温度为700℃时有一最小值之后随淬火温度的升高而升高,因为在较高温度淬火可产生较大尺寸的孪晶,从而有利于孪晶畴界的移动.高温峰开始随温度升高而增大,在700℃淬火时达到最高值,淬火温度更高时反而降低,这与高温淬火引入的缺陷密度有关.