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掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究 总被引:2,自引:1,他引:2
测量了Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Ag2合金和充分退火的Ti,Al,Ag,V金属的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度。TiAl合金的脆性与其基体和晶界缺陷处的自由电子密度较低有关。在富Ti的TiAl合金中加入V,V原子比Al和Ti原子能提供较多的自由电子参与形成金属键,因而提高了合金基体和晶界缺陷处的自由电子密度;在TiAl合金中加入Ag也有类似的效应。在TiAl合金中加入V和Ag,有利于提高合金的韧性。 相似文献
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对二元Ni3Al和含0.52at.%的Ni3Al合金样品进行电解充氢,并测量其e^+寿命谱。结果可见,e^+在合金缺陷中的寿命最初随充氢时间的增加而下降,随后达到一个最小值,接着随充氢时间的增加而增加。含0.52at.%B的Ni3Al合金比二元Ni3Al合金的氢效应程度小,这说明加入少量的硼可提高Ni3Al合金的抗氢能力。 相似文献