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高频脉冲微束等离子电弧温度场的测试及分析 总被引:1,自引:1,他引:0
本文首次采用单波长激光干涉技术,对恒定直流和高频脉冲电流微束等离子电弧温度场进行了测试,并做了分析比较。以电弧温度分布为基础分析了高频脉冲电流微束等离子电弧收缩、稳定的原因。 相似文献
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利用电化学沉积的方法,在电解液中加入吡咯,制备了磷酸钙-聚吡咯复合涂层.结果表明:吡咯使涂层的生长方式发生了改变.未加入吡咯获得的单一的磷酸钙沉积陶瓷膜呈现无序排列,叶片状.电解液中加入吡咯后,陶瓷膜层有序排列,呈针状且整个膜层的晶粒增大.红外光谱分析表明,出现了C=C和N-H基团的伸缩振动吸收峰,说明吡咯已经由电解液中转移到涂层中.相分析表明:吡咯的加入并没有改变涂层的相组成,说明整个过程中仅有少量的吡咯进入涂层. 相似文献
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国外超声波塑料焊机使用中的焊头设计 总被引:2,自引:0,他引:2
对于国外超声波塑料焊机的应用,焊头设计是必经环节。本文利用一维弹性振动理论进行了焊理论设计,同时利用焊机自检系统对其频率进行修正。通过对焊头频随轴向尺寸变化规律的探讨分析发现:事先放大焊头小端的轴向尺寸不乏是一种可取、实用的焊头设计方法。 相似文献
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Weldability of polyetheretherketone( PEEK) with polyetherimide( PEI) is tested. And carbon fiber reinforced PEEK laminates are resistance welded using stainless steel mesh heating element. The effects of the welding time and welding pressure on the lap shear strength of joints are investigated. Results show that PEEK can heal with PEI well in welding condition and the lap shear strength of PEEK/CF(carbon fibre) joint increases linearly with welding time, but reaches a maximum value when welding pressure ranging from 0.3 MPa to 0.5 MPa with constant welding time. The fracture characteristics of surface are analyzed by SEM techniques, and four types of fracture modes of lap shear joints are suggested. 相似文献
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基于同步信号设计了一种可实现相互之间高压隔离的IGBT多路延时驱动电路系统,并应用到Marx电路中,实现了可柔性调节的阶梯型脉冲高压输出。试验结果表明,延时驱动电路可实现最大30μs的延时,且具有IGBT驱动电压欠压保护、自给反向栅压等功能,同时场效应管的存在抑制了栅射极电压振荡。驱动信号高压隔离变压器为单原边多副边结构,简单紧凑,通过副边数目的增减,可驱动不同级数的Marx电路,具有扩展性好的优点。过流保护电路反应速度快,IGBT关断可靠,可在2μs之内抑制短路电流继续上升。该驱动电路应用于10级的Marx电路中,实现了峰值电压10 kV,脉冲宽度30μs,最大电压阶数10阶的脉冲高压输出。 相似文献
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采用铜(纯铜及含稀土元素钇的铜) 铌的复合中间层进行了钛合金与不锈钢板的真空热轧焊接试验,测试了接头拉伸强度,并利用金相显微镜、扫描电镜、XRD、能谱对连接界面的微观结构、断口形貌及中间层材料铜的组织进行了分析,结果表明,连接界面结合良好,无未焊合或开裂处;焊后未生成金属间化合物,在铌-钛合金界面处存在一厚度约为2.5μm的过渡层,而铜-不锈钢、铌-铜界面的过渡层厚度约为1.9μm;焊后铜晶界处产生了空洞,断口形貌显示出现了沿晶开裂的现象;稀土元素r的加入可以细化铜的晶粒,在相同的焊接工艺参数时含有稀土元素Y的铜层中未形成空洞,随着钇在铜中的质量百分含量由0.01%增加到0.02%,细化晶粒的效果更加显著,与采用纯铜作为中间层材料时的抗拉强度(326.9 MPa)相比分别提高了51.3MPa(铜中含钇0.01%,质量分数)和61.7 MPa(铜中含钇0.02%质量分数). 相似文献
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偏压对磁控溅射沉积铌膜表面性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用直流磁控溅射在钢基体上沉积了铌薄膜,分别采用扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射仪和电化学分析仪研究了不同偏压下铌膜表面形貌、相结构以及耐蚀性。实验结果表明:在低于300V偏压下,偏压的变化并没有使得铌膜的晶体结构发生改变,但对铌膜的表面形貌影响很大。随着偏压的提高,Nb膜表面先变得平坦,晶粒细小致密,孔隙减少;偏压升到300V时,晶粒粗大,膜层变得疏松。偏压的增大使得铌膜的显微硬度和结合力相应提高。150V偏压下沉积得到的铌膜耐蚀性最为出色,这主要缘于其较低的孔隙率和高的膜基结合力。 相似文献