顺式聚乙炔中的次近邻电子相互作用

采用数值计算的方法,研究了次近邻电子跳跃作用对顺式聚乙炔(Cis-PA)的能谱、电子束缚态和双极化子附近的二维局域振动模的影响．与基本哈密顿的计算结果比较发现：Cis-PA能谱的电子-空穴对称性被解除,与实验结果相吻合;各种激发态的电子束缚态数目发生了改变,双极化子晶格附近的局域模的频率和数目都与次近邻电子跳跃作用有关．     

Ti6Al4V微弧氧化膜的生物相容性

采用微弧氧化(MAO)手段在Ti6Al4V表面制备TiO2陶瓷膜层,结合水热处理(HS)方法诱发膜层内生成羟基磷灰石(HA);以抗凝血性能、抗溶血性能、抗血小板黏附和材料的细胞毒性为指标,对Ti6Al4V基体合金、具有微弧氧化陶瓷膜层的Ti6Al4V合金和经水热合成处理后的Ti6Al4V微弧氧化膜层样品进行生物相容性综合评定。结果表明,经微弧氧化和水热合成处理后样品表现出优异的抗溶血性,良好的抗凝血性和血小板黏附以及无毒性,说明Ti6Al4V合金表面生成的羟基磷灰石复合薄膜赋予材料表面良好的生物相容性。     

氧化时间对 ZA 43 合金微弧氧化膜摩擦磨损性能的影响

目的研究ZA43合金微弧氧化陶瓷膜的摩擦磨损特性随氧化时间的变化规律。方法制备微弧氧化时间不同的ZA43合金微弧氧化陶瓷膜样品,采用球-盘磨损方法进行摩擦磨损实验,分析陶瓷膜磨损前后的形貌、物相组成及元素组成,测试膜层厚度和显微硬度。结果陶瓷膜主要由α-Al2O3和γ-Al2O3相组成。随着氧化时间的延长,陶瓷膜厚度和平均硬度逐渐增大。在干摩擦条件下,陶瓷膜的摩擦系数和磨损失重随氧化时间的延长而降低。结论随着氧化时间的延长,ZA43合金微弧氧化陶瓷膜的耐磨性逐渐提高,其磨损机制以磨粒磨损为主。     

30Mn2热轧棒材表面裂纹缺陷原因分析

针对30Mn2热轧棒材表面出现裂纹缺陷的问题,取样进行了成分、性能、显微组织及能谱分析。结果表明,材料的成分及性能均符合设计要求,裂纹内存在较大的残留气泡及夹杂物,基体存在由P偏析导致的带状组织即鬼线组织,夹杂物包含保护渣成分。结晶器卷渣是导致轧材出现纵向裂纹的主要原因。通过更换保护渣及优化加入方式等,避免了30Mn2轧材表面裂纹和鬼线组织等缺陷的再次产生。     

轴承钢连铸过程中非金属夹杂物群迁移行为的分析

为了研究轴承钢方坯连铸过程中存在的非金属夹杂物聚集问题,建立了凝固过程的流-固耦合模型,采用数值模拟和现场试验相结合的方法,研究了浇注过程中夹杂物族群的迁移行为。结果表明,在断面、结晶器搅拌强度和浸入式水口对比方面,较大断面、较强搅拌和带侧孔的水口对改善铸坯中10 μm以下的夹杂物比较有利,5～10 μm级别夹杂物最易被初生坯壳捕捉。结果显示,5 μm以下的中间包钢液中微观夹杂物数量过大,在浇注过程中会促进夹杂物族群间的碰撞迁移,导致铸坯中20～30 μm级别夹杂物数量增多,但对50 μm以上的大尺寸夹杂物影响甚微;铸坯中该大尺寸级别的夹杂物主要直接来源于中间包。这些研究结果对弄清夹杂物的来源,改善轴承钢疲劳寿命具有重要意义。     

汽车前轴用50钢疲劳试验失效原因分析

对50钢加工汽车前轴后疲劳试验失效试样进行断口、化学成分、金相组织等检测分析,结果表明,缺陷处异常脱碳是导致试样疲劳失效的原因,为客户锻造成型模具内氧化铁皮粘连造成。     

溶胶凝胶法在铝基片上沉积Si0x薄膜及结合性能

为了获得性能良好的蛋白质芯片的固相载体,采用溶胶-凝胶工艺并结合旋转涂布技术在Al基片上沉积硅氧化物薄膜,考察了薄膜的表面形貌、组成、结构以及与基片的结合性能.结果表明:酸性溶胶在Al基片上沉积薄膜容易产生较多较大的裂纹,严重影响薄膜的表面性能;以浓氨水为催化剂获得的碱性溶胶在Al基片上涂膜,干燥过程中产生的内应力较小,获得的SiOx薄膜表面较均匀,虽然仍存在少量裂纹,但较细小.添加少量DMF于碱性溶胶中可获得比表面积大、无裂缝、与基片结合强度较高的均匀非晶态硅氧化物薄膜,有望作为蛋白质芯片的固相载体.     

电流密度对ZA43微弧氧化膜层摩擦性能的影响

利用微孤氧化技术在ZA43合金表面原位生成了陶瓷层,通过SEM、XRD和摩擦磨损试验机分析了不同电流密度处理膜层的表面形貌、相组成以及磨损试验后的摩擦学行为和磨痕形貌.结果表明,陶瓷层主要由α-Al2O3和γ-Al2O3相组成;在干摩擦条件下,陶瓷层摩擦系数随电流密度的增加逐渐增大,表明陶瓷层耐磨性随电流密度的增加而降低;电流密度一定时,摩擦系数随载荷的提升而增大.磨损机制以磨粒磨损为主.