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<正> 二氯二氢硅(Sicl_2H_2)是一种新型的外延沉积源,比Sicl_4外延沉积温度低,外延层质量高,是目前国内半导体器件科研和生产单位急需的一种气态源,它还可以用于制备高均匀度的氧化层,廉价太阳能电池和用于生产Si_3N_4薄膜的气态源,具 相似文献
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根据我们以前提出的熔盐溶液的统计模型,和零级近似规则溶液理论,导出了AB-AC-AD型和A_2B-AC-AD型三元熔盐相图的液相面方程式。计算结果用若干三元相图进行了验证,结果符合较好。对其他类型的三元同离子系相图,则讨论了溶解能参数和相图几何特征的关系。 相似文献
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The diffusion of Zn in InP at low temperature is investigated.The experiment is accomplishedin an evacuated and sealed quartz ampoule using Zn_3P_2 as the source of Zn.The electrical characteristics of the diffusion samples obtained by the isotemperature processand the two-temperature process have been compared.It is found that with the two-temperatureprocess one can obtain a smooth,damageless and high-concentration surface layer.This processhas been applied to fabricate InGaAsP/InP light emitting diodes,and the diodes obtained have anoutput power of≥1mW with a series resistance of 2—5Ω.The behaviors of Zn diffusion in InPare discussed. 相似文献
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用液相外延技术生长GaAs-Ga_(1-X)Al_XAs双异质结材料,并制成小面积高辐射度发光二极管。辐射度高达100w/sr·cm~2以上,尾纤(芯径60μm,N.A.=0.17)输出功率最高达200μW,外推工作寿命10~5小时。已用于1.8公里,8.448Mb/S,PCM-120路光纤电话通信系统。对器件的工作特性进行了分析,讨论了影响因素及改进途径。 相似文献
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本文用DLTS谱仪研究了SiO2限制的InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级。结果表明:只有在p-n结位于p-InP/n-InGaAsP界面处的个别器件中,有△E=0.24eV的多子陷阱。 相似文献
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本文用Zn3P2源在闭管条件下研究了Zn在InP中的低温(520700℃)扩散。比较了用等温扩散和双温区扩散技术扩散后,样品的电学参数。结果表明:双温区扩散法可得到表面光亮,无损伤的高浓度表面层。该法已用于InGaAsP/InP双异质结发光管的制备工艺中,并制得了光功率1mW,串联电阻23的发光管。还讨论了Zn在InP中扩散时的行为,解释了低温(550℃)扩散过程中,等温扩散时出现的异常现象。 相似文献