键合界面金属间化合物对可靠性影响的研究现状

在微电子封装过程中,键合丝被广泛应用,而键合可靠性对于产品的应用性能有着极大的影响,受到人们的广泛关注。键合丝与常用的铝焊盘之间是异质材料,在应用和服役的过程中会在界面上产生金属间化合物(IMC),对器件可靠性产生影响,同时,键合强度也与键合丝和焊盘之间的界面反应联系密切,因此了解键合丝与铝焊盘之间金属间化合物的形成与演变对键合可靠性的影响是有必要的。本文综述了Au/Al、Ag/Al和Cu/Al三种键合界面上金属间化合物的形成与演变的研究现状,并根据目前的应用状况,展望了未来的应用发展前景。     

超薄型层状金属基复合丝材的制备技术

随着电子信息行业的快速发展,超薄层状金属基复合丝材的需求不断增加。制备超薄层状金属基复合丝材的复合技术有4种,分别为:电镀技术、固相复合技术、复合铸造和气相沉积技术。通过复合质量和批量化生产条件两方面的比较,简要介绍了半导体封装用内引线-金银复合丝的复合工艺的选择和优化。     

镀钯键合铜丝的发展趋势

铜丝表面镀钯是提高抗氧化性进而改善键合性能的有效手段。镀钯键合铜丝具有优异的综合性能,是半导体封装材料连接导线的新型材料。综述了镀钯键合铜丝国内外的发展现状、研究背景、镀钯工艺及金丝、铜丝和镀钯铜丝的比较。     

银键合丝力学性能对键合质量的影响

通过调节微合金元素的含量获得3种具有不同力学性能的银键合丝.利用拉伸试验、键合试验、焊线挑断力、焊球推力测试等手段,研究了银键合丝力学性能对键合质量的影响.结果表明,在延伸率相同的条件下,随着微合金元素含量的降低,3种键合丝的断裂负荷降低,初始模量先减小后增大,键合后焊线挑断力和焊球推力均降低,电极金挤出率先减小后增大.银键合丝初始模量较低时在超声和压力的作用下易于变形,焊线内残余应力较低且第二焊点与引线框架结合较好,因此挑断测试时第二焊点与框架材料界面处不易发生脱离,有利于获得更高的键合成功率.     

微电子封装用键合金丝替代产品的研究现状

随着电子封装技术的发展,传统键合金丝在性能和价格上已经不具备优势。采用复合和改性等方法可以开发出满足要求的键合金丝替代品。总结了金包银复合键合丝、钯包铜复合键合丝、金合金键合丝和银合金键合丝共4种键合金丝替代产品的性能特点、成分配比、生产技术难点和关键点,介绍了部分典型产品,并对替代产品的发展趋势进行了展望。     

热处理对AuCuPtPdNiRh合金显微组织的影响(英文)

运用金相组织分析、差热分析(DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和能谱(EDS)对铸态、固溶态(750℃、1 h,850℃、4 h,950℃、1 h)和热处理950℃、4 h后的金基合金的显微组织进行了研究。该金基合金由Au(Cu,Pd)固溶体和Pt(Rh,Ni)固溶体以及它们的混合物构成。随着热处理温度的提高,Pd溶质由混合物中偏析出来。在700℃、850℃和950℃进行热处理时,形成了L12结构的Au Cu3相。     

键合金丝的研究进展及应用

介绍了键合金丝的特性、种类及其适用的封装领域;微合金化高纯金丝、合金型金丝、复合型金丝和键合铜丝的研究发展概况,以及各类型键合丝在市场上所处的地位;键合金丝主要应用领域-集成电路(IC)和半导体分立器件的发展情况.分析了国内外键合金丝市场、产业状况以及该行业的发展趋势.     

回转水纺丝及其在贵金属合金丝制备中的潜在应用

回转水纺丝法用快冷技术将熔融金属直接制备成细丝,可用于制备具有很高连续性和圆整度的丝材,并且能够改善合金的微观组织,提高材料性能。对该方法中喷嘴孔径、喷射速度和喷射距离等工艺影响因素,以及其对丝材性能的影响机制进行了综述分析。结合常见贵金属丝材的特点,由于回转水纺丝法可减轻常规凝固过程中的偏析,在多元合金丝材的制备中有潜在应用前景。据此用自制设备进行了初步实验,并提出了技术改进设想。     

一种半导体封装用键合金丝的研制

在开发了1种微合金配方的基础上,重点研究了真空熔炼连铸工艺,研制出1种适用于半导体分立器件和集成电路封装的高强度低弧键合金丝。结果表明:1)微合金元素得到有效添加,且分布均匀。2)铸锭组织为粗大柱状晶沿轴向分布。3)机械性能均匀稳定,Φ19μm:断裂负荷≥5cN,延伸率2%~6%;Φ15μm:断裂负荷≥3 cN,延伸率2%~6%。4)与国内外相同规格键合金丝相比,具有更高的强度和更大的熔断电流。