真空阴极弧离子镀类金刚石碳（DLC）膜的碳弧稳定性研究

选用氩气、氩气加氢气、氩气加乙炔等气体作为介质，石墨作为靶材进行真空阴极弧离子镀来制备类金刚石碳膜。石墨电弧有其独特的电弧特性曲线，不同气体介质对碳弧特性的影响不同，磁场的大小对电弧的稳定性有很大作用，碳弧下基片偏流随电弧电压的增加而减小，试验得到表面光滑的类金刚石碳（DLC）膜，对膜的表面进行了SEM分析。     

等离子体湮没离子注入

本文扼要地介绍了等离子体湮没离子注入的基本原理，特点，应用效果及发展趋向。     

Tribological properties of 2024 aluminum alloy plasma-based ion implanted with nitrogen then titanium

1　INTRODUCTIONOwingtolowdensityandhighspecificstrength ,aluminumanditsalloysareextensivelyusedinmanyfields ,especiallyinaviationandspaceindustry .Butlowhardnessandlowwearresistanceoftenlimittheirengineeringapplications .Surfacemodificationforalu minumanditsalloysbyionimplantationoffersthepossibilityofwideningtheirapplicationswherehighwearresistanceandlowdensityarerequired[15] .Sincenitrogenionisconvenienttoobtainandeasytocontrol,andAlNhasexcellentmechanicalproperties ,nitrogenionimplant…     

等离子体源离子注入技术

1.出现等离子体源离子注入技术的背景众所周知,金属材料的离子注入表面改性技术,与其他表面改性技术比较,具有以下突出的优点:(1)可以在不改变材料温度条件下,获得热力学非平衡组织,例如亚稳定相和     

离子渗碳层中的晶间脆性SCIEI

本文对20Cr2Ni4A钢离子渗碳层出现的沿晶断裂的原因进行了分析,结果表明,渗碳层中的残余奥氏体与在该区域产生的沿晶脆断无关。TEM分析和Auger电子能谱分析表明,形成沿晶断裂的主要原因是S,P等杂质元素在原奥氏体晶界的偏聚。采用二次加热淬火可以消除这种现象。     

脉冲偏压下沉积的立方氮化硼膜的断面结构研究

采用自行研制的磁增强活性反应离子镀系统 ,在脉冲偏压条件下成功地合成了高品质立方氮化硼 (c BN)薄膜。用傅立叶变换红外谱 (FTIR)分析沉积膜的相结构 ,用透射电镜 (TEM)及高分辨率透射电镜 (HRTEM)分析膜的断面结构。FTIR结果表明 :c BN的纯度强烈地受基片负偏压的影响 ,当基片负偏压为 15 5V ,c BN膜的纯度高达 90 %以上。TEM及HRTEM对膜的断面结构分析表明 ,在膜与基片的界面处存在很薄的非晶氮化硼和六方氮化硼 (h BN)层 ,h BN(0 0 0 2 )晶面垂直于基片表面 ,在界面层之上生长着单相c BN层     

气体渗碳控制的数学模型

本文概括介绍了近年来气体渗碳控制数字模型的研究发展状况,其中包括炉气碳势控制、碳物质传递以及过程控制最优化三方面的数学模型,并对各模型的特点进行了评述。     

化学复合镀Ni-P/PTFE工艺研究

探讨了粒子悬浮量、镀液温度、搅拌速度、表面活性剂含量及pH值等工艺条件对Ni-P/PTFE复合镀层中PTFE粒子的含量影响。研究表明，在一定工艺条件下，当活性剂(FCE)含量达到1g/L时，可以获得粒子含量为48vol％的Ni-P/PTFE复合镀层。     

ARE法沉积的立方氮化硼薄膜生长过程的研究

采用逆序法研究了通过活性反应离子镀技术沉积在单晶硅 (10 0 )上的c BN膜生长过程。在X射线光电子能谱分析仪上 ,用氩离子剥离c BN膜并进行膜的成分的深度分布及不同刻蚀深度处膜的价态分析 ,用富立叶变换红外透射谱分析不同刻蚀深度处的膜的相结构。结果表明 :在此生长条件下 ,c BN不能在基底上直接成核 ,而是先在基底上形成一层h BN ,然后c BN在其上生长。对这种生长顺序 ,引用c BN膜形成机制的压应力模型给予了解释     

电子式真空阴极弧离子镀引弧器的研制

研制了电子式真空阴极弧离子镀引弧器 ,分析了其工作原理及工作时序 ,给出了它的关键部分的电路 ,介绍了它的离子镀引弧器的性能及特点。