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1 INTRODUCTIONTherare earthhydridefilmswithswitchableop ticalpropertieswerefirstlydiscoveredbyHuibertsetal[13] andhaveattractedmoreandmoreinterestre cently .Huibertsetal[1,2 ] foundthatthefilmsofYHxandLaHx exhibitremarkablereversiblechangesintheiropticalpropertiesduringhydrogenation/dehy drogenationprocess .Bychangingthehydrogen gaspressureorbyelectrochemicalmeans,thefilmscanbecontinuouslyandreversiblyswitchedfromashinymirrortoatransparentwindowinafractionofasec ond[3,4 ] .Thesubsequen… 相似文献
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该文从最基本的物理学原理出发,把压电变压器的性能归结为3个基本因子的函数,即机械品质因素、机电耦合因素以及电学品质因素。这3个基本因子同材料特性以及尺寸之间具有相对简单的函数关系,同时其量值的测定又是国标所规定的,大大简化了分析、设计过程。 相似文献
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压电变压器的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
压电变压器利用压电陶瓷材料自身的压电和逆压电效应来实现升降压,同传统的电磁变压器相比较,具有体积小、无电磁污染、升压比随工作频率和阻抗变化的特点。本文详细评述了用于压电变压器的铁电陶瓷材料的电畴特性、性能参数和掺杂改性的方法,以及压电变压器的变压原理、一般等效电路图和各种各样的压电变压器,分析了现阶段压电变压器存在的问题,并展望了压电变压器的发展方向。 相似文献
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基于Dyakonov-Shur 效应(D-S 效应)利用MOSFET 可构建太赫兹源。研究表明MOSFET沟道内的1mV信号在偏置电压的作用下产生波动并形成等离子波,其电学特性与谐振腔相似。当MOSFET 外接5 V 的偏置电压源时,输出频率为2.15THz、峰值为2mV 的等离子信号。通过调节偏置电压(1~20 V)可以使输出信号在0.96~4.30THz 范围内调频。此外,MOSFET 在5V 的偏置电压和5A的偏置电流的共同作用下,沟道内产生的等离子波随时间的推移以指数形式放大。受器件限制和沟道夹断效应影响,该信号源的最大输出电压为20V,电压增益最大可达到86dB,最大输出功率为200W。在器件允许范围内,偏置电压越大信号频率越高、偏置电流越大起振时间越短,且偏置电流引起的信号频偏小。 相似文献
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Pd/Y薄膜在气态吸放氢过程中的表面形貌和可转换光学特性 总被引:1,自引:0,他引:1
利用直流磁控溅射法制备了Pd/Y稀土薄膜,研究了薄膜在气态吸放氢过程中表面形貌及光学特性变化。研究表明,采用磁控溅射法制备的薄膜具有柱状晶结构,最外层的Pd层为纳米级的孤岛状颗粒结构,室温气态充氢过程中,在Pd颗粒催化作用下,Y可形成氢化物YH3和YH2,形成氢化物的局部区域发生膨胀开裂,在气态充氢过程中,薄膜的透光率随充氢时间和入射光波长的增加而增加,由于YH3自身禁带宽度的原因,在λλ=400nm处存在吸收限,放氢过程中,YH3分解为YH2,薄膜在λ=689nm处透光率最大。 相似文献
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与传统的电磁变压器相比,压电变压器具有高升压、无电磁污染等特点。由于压电变压器的工作原理复杂,除了Rosen型压电变压器,对于其他压电变压器的理论研究较少。对一种驱动部分以及发电部分都是横场模式的横横式压电变压器进行了理论研究。从Mosen等效电路出发,利用泰勒展开,建立了能反映压电变压器实际工作情况的集总式等效电路图;并在此基础上,给出了一种只用机械品质因数Qm、电学品质因数Qe及机电耦合系数k三个量来表征变压器电学性能的方法。由于Qm、Qe、k的测量方法早已标准化,尺寸、负载对变压器的影响可归结为Qe对电学性能的函数,因此有望简化设计过程。 相似文献
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