离子膜碱浓缩装置的比较

从工艺流程、设备材质、操作、汽耗等方面对双效逆流降膜浓缩装置和双效逆流板式蒸发器浓缩装置进行了比较,结果表明两种浓缩装置各有特点。     

三网融合给广播电视网络带来的机遇与挑战

阐述了三网融合的起源和意义,介绍了三网融合的路径,分析了三网融合给广播电视网络带来的机遇和挑战,并提出相应策略。     

浅谈工艺管理

介绍了工艺管理的内容及具体做法,通过加强管理,提高了劳动生产率及产品质量,节能降耗并减少事故。     

氯碱厂节水技术改造

介绍了氯碱厂的电解、蒸发、氯氢处理、次酸、盐酸等工序的节水改造情况。通过改造，回收了大量的冷凝水且减少了酸性水对厂房、设备的腐蚀。     

基于CMOS工艺设计GGNMOS ESD保护电路

随着CMOS工艺技术的不断发展进入到深亚微米阶段,器件沟道的有效长度小于0.25μm,器件的高集成度增进了集成电路(IC)的性能及运算速度。但随着器件尺寸的缩减,却出现了一些可靠性问题,其中ESD(electrostatic discharge)是当今MOS集成电路中最重要的可靠性问题之一[1]。ESD现象主要对电子器件造成损坏为:在半导体中由于介质击穿而导致氧化物薄膜破裂;由于EOS(electrical overstress)引起过热,导致金属导线熔化;由于寄生的PNPN结构而导致CMOS器件闭锁;ESD使元器件结构中产生潜藏的缺陷,它们并不立即失效,但会引起断续的故障以及长期可靠性问题,这种损伤非常微弱,不易发现,即潜在损伤[2]。集成电路工业由ESD导致的损失是严重的问题。     

低电压大电流开关电源的设计

介绍了一种以PWM控制芯片UC3825为核心的低压大电流开关电源的设计方案,阐述了主电路的拓扑结构及主控制电路的电路设计,并设计了软启动及过压过流保护电路,应用反馈手段和脉宽调制技术实现了电压、电流的稳定输出,并研制了1台15 V/1 200 A的样机.     

离子膜电槽送电初期淡盐水含游离氯高的解决方案

介绍了离子膜电槽送电初期脱氯淡盐水含游离氯的情况，分析了造成脱氯淡盐水中游离氯含量高的原因并确定了解决方案。     

3 kV非对称型GCT的p基区结构的设计及其优化

介绍了非对称型门极换流晶闸管的基本结构和工作原理.在建立3kV非对称型门极换流晶闸管结构模型的基础上,利用MEDICI软件对GCT正向I-V特性进行了模拟,在综合考虑通态特性和阻断特性的条件下,得到了3 kV非对称型GCT的p基区结构的最佳设计参数.     

盐酸生产环境的治理

提出了在盐酸生产过程中冷却水和酸性水的回收以及酸雾的净化方法，采用这些方法可以达到治理盐酸生产环境的目的。     

一种具有静电防护功能RS-485接口电路的设计方案

文中设计一个通讯高效、使用可靠的RS-485接口芯片,它可以安全地使用在工业场合,确保计算机和工业产品之间的通信畅通地进行.该芯片完全符合RS-485通讯协议,由单一5 V电源供电,采用0.6 μmBCD工艺.芯片主要由驱动器和接收器2部分构成.其中,驱动器的摆率不受限制,可以实现最高2.5 Mbit/s的传输速率;接收器输入具有失效保护特性,当输入开路时,可确保逻辑高电平输出.