Si_3N_4对PTC瓷料性能的影响

研究了 Si_3N_4掺杂 BaTiO_3基 PTC 瓷料的显微结构和性能。掺 Si_3N_4的瓷料中出现了大量特征的棒状晶体。Si 富集在棒状晶体中。与掺 SiO_2的瓷料比较,Si_3N_4掺杂的 PTC 瓷料显示了更多的优越性。     

复合添加剂对全粉料制α-A1_2O_3陶瓷抗热震性的影响

本文研究了0．3wt％TiO2和Mgo＋Y2O3＋La2O3复合添加剂对全粉料a-Al2O3抗热震性的影响人试样热震后的抗折强度保持率来看，当复合添加剂含量为0．375wt％及0．5wt％时，不仅可以促进烧结，且由于添加剂有细化晶粒的作用，可使全粉料a-A12O3抗热见性提高。     

PTC热敏电阻发热体瓷料

<正> 一、引言 PTC热敏电阻作为发热体使用时具有安全可靠、发热功率易于调节、发热温度受电源电压波动和环境温度变化的影响较小、升温迅速等一系列优点,因而这种元件的发展很快,在工农业生产,家用电器、医疗卫生等各个领域中都有着广泛应用。     

高纯电熔莫来石再烧结制品的研制

以高纯电熔莫来石为主要原料,用硅酸乙酯水解液或硅酸溶胶为结合剂制备了样砖。其性能如下:荷重软化开始温度≥1700℃;0.2MPa荷重下于1550℃持续50h的蠕变率仅0.16％;常温耐压强度高达160MPa以上;耐热震性和抗玻璃侵蚀性也相当优良。优良的性能源于材料的高的纯度和良好的显微结构。     

Y—TZP陶瓷材料的近期研究动态

本文综述了近年来Ｙ２Ｏ３稳定的四方氧化锆多晶体（ＴＺＰ）材料的发展情况。主要岂以下四方面来叙述：（１）原料和制备工艺：（１）组成优化和低温烧结；（３）换制低温老化和改善高温力学性能；（４）耐磨性。     

Al_2O_3晶须在Y-TZP/TiN(w)材料中作用机制的初探

本实验基于Y-TZP/TiN(w)复合材料存在高温下严重氧化致使材料破坏的现象,通过引入Al_2O_3晶须来改善该材料的高温抗氧化能力。实验采用聚乙二醇作分散剂预处理Al_2O_3晶须和TiN晶须,然后将其与用化学共沉淀法制得的Y-TZP粉料球磨均匀混合,通过热压烧结获得致密的烧结体。本文研究了不同的Al_2O_3晶须添加量对     

Y2O3、MgO复合稳定微晶PSZ陶瓷热处理过程的研究

本文采用工业级ＺｒＯ２作主要原料,利用机械球磨混合工艺,在Ｙ２Ｏ３－ＭｇＯ－ＺｒＯ２－ＡＩ２Ｏ３四元体系中,利用ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３的复合稳定制备出微晶（Ｙ,ｇ）－ＰＳＺ／ＭｇＡＩ２Ｏ４陶瓷。探讨了热处理工艺过程对材料力学性能、相组成及显微结构的影响。     

高纯Al_2O_3陶瓷基片制备条件的选择问题

引言 Al_2O_3含量在99.5％以上的陶瓷,具有非常良好的高频介电性能,即使频率高达10~(10)赫以上时,其损耗角正切值仍可低至1×10~(-4)以下。除此以外,这种材料还具有极高的机械强度,良好的导热性能,较高的表面光洁度等优良性能,是一种理想的薄膜基片材料,可部份代替兰宝石单晶作为微液基片使用。近年来,这种材料在电子技术中已得到广泛应用。国内外在高纯Al_2O_3陶瓷材料方面进行了许多研究工作。本文对高纯     

细晶(Y/Ce,Mg)-PSZ/MgAl2O4陶瓷制备工艺及性能的研究

在化学共沉淀法制备细晶PSZ陶瓷的基础上，用工业ZrO2作原料，以MgO、Y2O3、CeO2及α-Al2O3作为复合稳定剂及添加剂，采用机械球磨混合法，并在制备过程中部分用去离子水代替乙醇作为球磨介质，探讨了水磨混合法制备粉料的可行性．实验结果表明：在较低的固溶烧结温度（1550℃）下，经1100℃适当时间热处理，亦可制备出具有较好力学性能的细晶PSZ陶瓷材料，其室温强度约700MPa，断裂韧性在15MPa·m1／2左右；在（180℃，1MPa）水热条件下，采用CeO2作复合稳定剂的PSZ陶瓷材料要比Y2O3复合稳定的PSZ材料更具良好的抗水化性．     

低温深冷表面处理提高Mg－PSZ陶瓷耐磨性研究

运用低温深冷表面处理提高了Ｍｇ－ＰＳＺ陶瓷的表面硬度，同时其耐磨性也有显著的改善，磨损率由１．３１％降低到０．７４％。硬度、耐磨性改善的原因在于深冷表面处理后，Ｍｇ－ＰＳＺ表面发生了马氏体相变从而产生了表面压应力