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1.
本文研究Zr薄膜在等离子体作用下的氢化特性,测试表明,与分子氢相比,氢等离子体作用下氢化速率明显增高,在室温和≈2Pa氢压的DC放电条件下,氧化10min样品的氢化浓度可达饱和值,即66.67(原子分数,%),远大于该压强下的气体氢化浓度,在非超清洁系统中,等离子体氢化在样品表面产生大量的氧污染和少量的碳污染,少量的表面氧化物并不阻碍等离子体氢化,但随着污染的增加,氢化浓度却大大减少,Ni对样品表面氢分子解离吸附和氢原子再结合逸出有着不同程度的催化作用,在低的放电压强和放电电流下,表面镀Ni使Zr的稳态氢化浓度减小,而在高压强、低电流下,表面镀Ni可增加Zr的氢化效率。  相似文献   
2.
同质外延钛酸锶薄膜的生长模式图谱   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用激光分子束外延技术在SrTiO3(100)单晶基片上同质外延生长SrTiO3铁电薄膜.通过反射高能电子衍射原位实时监测薄膜生长,结合原子力显微镜等表征手段,分析了薄膜的表面微观结构,确定了薄膜的生长模式.根据反射高能电子衍射强度振荡曲线及衍射图样,通过改变薄膜的生长条件,实现了对薄膜生长模式的控制,绘制了SrTiO3薄膜的生长模式图谱:在高温、低沉积速率时,薄膜以二维层状模式生长为主;而在低温、高沉积速率下,薄膜则以三维岛状生长模式为主.从二维模式生长向三维模式生长的过渡区则表现为层状和岛状混合的Stranski-Krastanov生长模式.系统研究了生长条件对生长模式的影响,发现生长温度是影响薄膜生长过程中Ehrilich-Schwoebel扩散势垒的主要因素,而扩散势垒和沉积速率的变化决定了生长模式的改变.  相似文献   
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