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为了提高Si3N4陶瓷的烧结致密度,采用振荡压力烧结工艺分别在1 745和1 775℃制备了Si3N4陶瓷,主要研究了Si3N4粉的粒度（平均粒径分别为0.4、2.0、2.3μm）对Si3N4陶瓷的显微结构和性能的影响。结果显示：1)在两种温度的振荡压力烧结工艺下,由三种不同粒度的Si3N4粉制备的Si3N4陶瓷的相对密度都很大,为99.65%～99.86%,彼此相差很小。2)由平均粒径为0.2μm的Si3N4粉在1 745℃烧结制备的试样的微观结构最均匀,其β-Si3N4晶粒平均长径比、抗弯强度和维氏硬度均最大,分别达到5.0、（1 364±65） MPa和（15.72±0.8） GPa;由平均粒径为2.3μm的Si3 相似文献
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